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公开(公告)号：CN106409939B
公开(公告)日：2018-05-15
申请号：CN201610998201.4
申请日：2016-11-14
Applicant: 南通大学
IPC: H01L31/0352 , H01L31/075 , H01L31/18
CPC classification number: Y02E10/50 , Y02P70/521
Abstract: 本发明公开了平面型侧向收集结构铟镓砷红外探测器芯片的制备方法，步骤包括：1)外延材料清洗，2)淀积氮化硅扩散掩膜，3)第一次光刻，4)开扩散窗口，5)光刻胶剥离，6)闭管扩散，7)开管取片，8)第二次光刻，9)生长P电极，10)光刻胶剥离，11)淀积二氧化硅增透膜，12)P电极退火，13)第三次光刻，14)开P电极孔，15)光刻胶剥离，16)第四次光刻，17)加厚P电极，18)光刻胶剥离，19)背面抛光，20)生长N电极，21)划片。本发明制备方法制得的芯片减小了光敏元的扩散区域，可有效地减少扩散带来的热损伤，并引入双层钝化工艺减小表面复合，增加少数载流子的寿命、降低器件的暗电流和盲元率、提高探测器的探测率。
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公开(公告)号：CN103367472B
公开(公告)日：2017-08-01
申请号：CN201310332313.2
申请日：2013-08-02
Applicant: 南通大学
IPC: H01L31/0224 , H01L31/0216 , H01L31/075 , H01L31/20
CPC classification number: Y02E10/52 , Y02P70/521
Abstract: T型顶电极背反射薄膜太阳电池，透明顶电极的下表面制有与其材质相同的若干条状凸棱，使顶电极局部形成T型结构，凸棱下方的P型非晶硅薄膜、本征非晶硅薄膜、N型非晶硅薄膜、透明导电过渡薄膜下表面向下凸起形成条状鼓包，对应位置的底电极与透明导电过渡薄膜的接触面具有与凸棱一一对应的条状弧形反射面。本发明顶电极深入薄膜内，提高电极对电流的收集能力；电极上后续淀积的薄膜材料形成弧形鼓包，增加了薄膜电池的面积，增加了电池的受光面；金属底电极具有凹面镜结构的背反射面，增加了电池对反射光的利用，从而提高了电池对光的吸收和利用，进一步提高电池的转换效率。
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公开(公告)号：CN106757337A
公开(公告)日：2017-05-31
申请号：CN201710019684.3
申请日：2017-01-12
Applicant: 南通大学
Abstract: 本发明公开了一种缓冲式多层多晶硅籽晶熔化控制的装料方法，包括以下步骤：在坩埚底部铺设一层多晶硅块作为定向凝铸半熔工艺的籽晶层；在籽晶层上码放小颗粒原生多晶硅料和细小多晶硅碎片，作为缓冲层；在缓冲层上码放多层多晶硅晶砖，作为阻挡层；使用小颗粒原生多晶硅料将上述步骤中的多晶硅晶砖的缝隙填满；在阻挡层上逐层码放如下硅料：菜籽料、原生多晶硅料、头尾及边皮料，直至堆放硅料高出坩埚100‑120mm。本发明通过阻挡层与缓冲层的组合应用，能够得到平直的固液界面，硅锭更易于进行外延生长，晶粒更均匀，柱状晶更完整，减少了缺陷簇和晶粒晶界的形成，提高了硅锭的质量。
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公开(公告)号：CN104966766B
公开(公告)日：2017-01-18
申请号：CN201510291019.0
申请日：2013-04-01
Applicant: 南通大学
IPC: H01L31/20
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明涉及一种太阳能电池的选择性掺杂方法，步骤如下：在硅片上表面淀积磷硅玻璃；将淀积后的硅片进行高温扩散，使磷元素扩散入硅片，形成PN结；除去硅片上表面顶电极区以外的磷硅玻璃；在硅片上表面淀积本征非晶硅层；将硅片置于无氧环境中进行高温扩散，使非硅片顶电极区的磷元素扩散入非晶硅层，顶电极区磷硅玻璃中的磷元素进一步向顶电极区扩散；去除硅片表面的非晶硅层和磷硅玻璃，完成太阳能电池的逆扩散选择性掺杂。本发明采用逆扩散的方法，通过非晶硅吸收非顶电极区的杂质，使非顶电极区的掺杂浓度降低，同时顶电极区进行了二次掺杂，导致顶电极区与非顶电极区的掺杂浓度差进一步增大，提高了选择性掺杂的效果。
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公开(公告)号：CN103996751B
公开(公告)日：2016-08-31
申请号：CN201410252683.X
申请日：2014-06-09
Applicant: 南通大学
IPC: H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 并联双结太阳能电池的制造工艺，步骤如下：对N型硅衬底进行P型掺杂，形成PN深结；在硅片表面淀积一层含有N型杂质的二氧化硅层；在顶电极区开窗，露出P型硅；P型杂质高温扩散，使二氧化硅层内的N型杂质掺入P型硅，在非顶电极区形成PN浅结，开窗处形成P型重掺杂；去除二氧化硅层并淀积氮化硅抗反射薄膜；最后制备电极。巧妙的工艺设置使得发明工艺步骤十分简化，并且能够一步形成电极区重掺杂和上表面的浅结。在高温扩散的同时，二氧化硅层内的N型杂质也会向顶电极区扩散，然而窗口区浓度较高的P型杂质能够有效的抑制这一趋势，从而确保最后获得完美的双结和电极区重掺杂。本发明各步骤均易于在工业上实现，极具实际运用价值。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103985782B
公开(公告)日：2016-08-17
申请号：CN201410126821.X
申请日：2014-03-31
Applicant: 南通大学
IPC: H01L31/18 , H01L31/0224
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明提供了一种双面电极太阳能电池的制备方法，包括：提供P型硅基板；在硅基板上层形成氧化层；保留硅基板上部分氧化层、并刻蚀其他部位的氧化层，保留的氧化层作为硅基板上层的正电极通道；在硅基板表面扩散一N层，形成PN结；去除硅基板上保留的氧化层，并在硅基板上层印刷金属电极，所述金属电极包括正电极和顶电极；在硅基板下层形成底电极，形成双面电极太阳能电池。本发明通过两次扩散和增加一个金属电极，减少了加工步骤并将载流子均匀分布形成环形PN结，同时减少了电流的损失。
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公开(公告)号：CN103528558B
公开(公告)日：2016-01-13
申请号：CN201310496729.8
申请日：2013-10-21
Applicant: 南通大学
IPC: G01B21/18
Abstract: 本发明涉及一种太阳能电池激光背电极窗口开窗终点判断方法，利用相同波长和频率的激光对电池片背面进行连续的多次刻蚀，最终得到的电池片背面形成阶梯状结构，分别测量各台阶面下的电池表面电阻率，最终得到激光开窗终点与激光减薄次数的对应关系，从而找到刻除背面钝化层所需的减薄激光重复次数。与传统方法相比较，本发明对背钝化层的减薄采用连续进行的方式，同样的，测量表面电阻率也采用连续进行的方式，这样就大大缩短了检测时间，提高了生产效率；并且最终刻蚀后得到样品能够完整的保留每次刻蚀后的状态信息。本发明的开窗终点判断方法简单易行，成本低，而且精度较高。
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公开(公告)号：CN104966766A
公开(公告)日：2015-10-07
申请号：CN201510291019.0
申请日：2013-04-01
Applicant: 南通大学
Inventor： 王强
IPC: H01L31/20
CPC classification number: Y02P70/521 , H01L31/20
Abstract: 本发明涉及一种太阳能电池的选择性掺杂方法，步骤如下：在硅片上表面淀积磷硅玻璃；将淀积后的硅片进行高温扩散，使磷元素扩散入硅片，形成PN结；除去硅片上表面顶电极区以外的磷硅玻璃；在硅片上表面淀积本征非晶硅层；将硅片置于无氧环境中进行高温扩散，使非硅片顶电极区的磷元素扩散入非晶硅层，顶电极区磷硅玻璃中的磷元素进一步向顶电极区扩散；去除硅片表面的非晶硅层和磷硅玻璃，完成太阳能电池的逆扩散选择性掺杂。本发明采用逆扩散的方法，通过非晶硅吸收非顶电极区的杂质，使非顶电极区的掺杂浓度降低，同时顶电极区进行了二次掺杂，导致顶电极区与非顶电极区的掺杂浓度差进一步增大，提高了选择性掺杂的效果。
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公开(公告)号：CN103165761B
公开(公告)日：2015-07-01
申请号：CN201310112386.0
申请日：2013-04-01
Applicant: 南通大学
IPC: H01L31/20
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明涉及一种太阳能电池的制造方法，步骤如下：应用离子注入的方法将杂质注入硅片形成PN结；淀积含有掺杂元素的二氧化硅薄膜；除去硅片上表面电极区以外的二氧化硅；在硅片上表面淀积本征非晶硅层；将硅片置于干氧环境中进行高温扩散，使非电极区的掺杂元素逆向扩散入非晶硅层，电极区氧化层中的掺杂元素进一步向电极区扩散，同时形成表层氧化层；去除硅片表面的非晶硅层和氧化层；在硅片表面淀积氮化硅抗反射薄膜；最后烧制金属电极。本发明通过离子注入的方式，降低了表面杂质浓度，后通过高温过程，使非晶硅吸收非电极区的杂质，进一步降低了非电极区的掺杂浓度，致使电极区与非电极区的掺杂浓度差加大，提高了电池的性能。
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公开(公告)号：CN103170376B
公开(公告)日：2014-12-10
申请号：CN201310120021.2
申请日：2013-04-08
Applicant: 南通大学
Abstract: 本发明涉及一种双层流净化工作台，包括进气系统、排气系统，进气系统下方设有散流板，散流板下方为工作腔体，散流板前侧沿横向开设大孔，散流板其余部位沿横向开设小孔，排气系统包括位于工作腔体内且竖直放置的集流板，集流板的开孔从上至下逐渐增大，集流板的外侧装有集流罩，集流罩下部通过排气管与排气装置相连，工作腔体内的气流水平地通过集流板后被集流罩收集，然后经排气管被排气装置排出。本发明散流板采用突变孔形式，使工作腔体形成两个正压区域，其中靠近工作人员一侧气压大于内侧气压；排气系统放置在工作腔体内侧，采用渐变孔形式，使工作腔体内的气流水平地通过集流板后被集流罩收集，避免工作腔体下方出现的气流反弹现象。
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