一种碳杂化纳米带的制备方法

    公开(公告)号:CN103601169A

    公开(公告)日:2014-02-26

    申请号:CN201310233277.4

    申请日:2013-06-13

    Applicant: 南昌大学

    Abstract: 一种碳杂化纳米带的制备方法,按硝酸盐:三乙醇胺为1:6~1:12的质量比,混合均匀,置于烘箱,150℃加热4~8h,至水分完全蒸干,取出;将烘箱升温至170~180℃,将样品置于其中,控制烘箱温度缓慢达到三乙醇胺燃烧点;将样品装入陶瓷舟,置于管式炉中央;再用另一陶瓷舟盛满升华硫、硒粉或者升华硫和硒粉的混合物,置于管式炉进气口一侧,排净空气后,通入92~97%的氮气和3~8%的氢气构成的混合气体,600℃退火三小时。本发明过程简单,而且易得到高纯、粒度小、形貌优良、活性高的硫(硒)化物/碳杂化纳米带。

    一种自组装钒系强疏水材料及其制备方法、涂层及其制备方法

    公开(公告)号:CN115536067B

    公开(公告)日:2023-10-03

    申请号:CN202211373082.5

    申请日:2022-11-03

    Applicant: 南昌大学

    Abstract: 本发明公开了一种自组装钒系强疏水材料及其制备方法、涂层及其制备方法。该自组装钒系强疏水材料的制备方法,通过水热合成法和化学气相沉积法制备一种自组装钒系强疏水材料,该自组装钒系强疏水材料具有自组装多级层片结构,保有无机金属盐的耐高温性能;通过调配得到涂层浆料,将涂层浆料采用旋涂、刮刀涂覆等方法附着于基底表面上,并在真空干燥箱中干燥,即得所述自组装钒系强疏水材料涂层。本发明的自组装钒系强疏水材料涂层,能有效地提高原始基底的疏水性能。

    用钙钛矿量子点合成废液制备阻变介质及在存储器中应用

    公开(公告)号:CN116634856A

    公开(公告)日:2023-08-22

    申请号:CN202310674982.1

    申请日:2023-06-08

    Applicant: 南昌大学

    Abstract: 一种用钙钛矿量子点合成废液制备阻变介质及在存储器中应用,将钙钛矿量子点合成中产生的废液通过溶液涂布的方式直接涂布在衬底上,经过60oC~200oC的高温处理,获得阻变介质。或者在溶液涂布前,先对钙钛矿量子点合成中产生的废液进行预处理,再进行高温处理。同时提供了一种用钙钛矿量子点合成废液制备的阻变介质在存储器中的应用。本发明将钙钛矿量子点生产中的废料用来制备阻变介质,可以提高原料的利用率,降低成本;同时解决了废液的处理问题,避免废液对环境造成危害。并且本发明提供的利用废料制备的阻变介质及在阻变器件中的应用与常规制备方法复杂程度相当,非常简便的解决了上述问题。

    一种新型自组装钒系强疏水材料及其制备方法、涂层及其制备方法

    公开(公告)号:CN115536067A

    公开(公告)日:2022-12-30

    申请号:CN202211373082.5

    申请日:2022-11-03

    Applicant: 南昌大学

    Abstract: 本发明公开了一种新型自组装钒系强疏水材料及其制备方法、涂层及其制备方法。该新型自组装钒系强疏水材料的制备方法,通过水热合成法和化学气相沉积法制备一种新型自组装钒系强疏水材料,该新型自组装钒系强疏水材料具有自组装多级层片结构,保有无机金属盐的耐高温性能;通过调配得到涂层浆料,将涂层浆料采用旋涂、刮刀涂覆等方法附着于基底表面上,并在真空干燥箱中干燥,即得所述新型自组装钒系强疏水材料涂层。本发明的新型自组装钒系强疏水材料涂层,能有效地提高原始基底的疏水性能。

    一种利用废弃原料制备高质量有机无机钙钛矿薄膜的方法

    公开(公告)号:CN112467032B

    公开(公告)日:2022-12-06

    申请号:CN202011159673.3

    申请日:2020-10-27

    Applicant: 南昌大学

    Abstract: 本发明公开了一种利用废弃原料制备高质量有机无机钙钛矿薄膜的方法,其特征在于,该方法包括以下步骤:(1)将基底进行表面处理;(2)将受潮的废弃原料与基底结合,并置于所述高温设备中进行负压处理;(3)向所述高温设备腔体内通入惰性气体,并使得腔体内稳定在设置的负压状态;(4)将所述高温设备腔体升温至设定负压下的升华温度,然后保温保压直至所述基底上获得有机无机钙钛矿薄膜。本发明利用在潮湿环境中长时间暴露的废弃原料来制备高质量的有机无机钙钛矿薄膜,一方面可以使废弃原料重新被利用,另一方面不需要高纯度的原料,降低了制造成本。

    镍钴氧化物-二氧化锡复合超级电容器电极材料制备方法

    公开(公告)号:CN109755037A

    公开(公告)日:2019-05-14

    申请号:CN201811626782.4

    申请日:2018-12-28

    Applicant: 南昌大学

    Abstract: 本发明公开了一种镍钴氧化物-二氧化锡复合结构超级电容器电极材料的制备方法,该制备方法包括以下步骤:(1)将表面活性剂溶解,形成均匀的溶液;随后加入镍和钴的金属盐溶液,充分搅拌溶解,得到分散液;(2)向分散液中加入无水四氯化锡,再加入尿素;(3)将溶液转移至反应釜中,加热反应后自然冷却;(4)将步骤(3)得到的产物用蒸馏水和无水乙醇进行多次洗涤,然后放入烘箱进行干燥;(5)将步骤(4)得到的产物放置于管式炉中进行煅烧2-3h,温度为200-300摄氏度,保护气为惰性气体,即得到镍钴氧化物-二氧化锡复合结构超级电容器电极材料。本发明解决了传统工艺的不足,其制作工艺简单,操作方便,能耗低,具有很好的应用前景。

    一种基于陷阱态调控的非易失性多比特微/纳米阻变存储器及使用方法

    公开(公告)号:CN105702857B

    公开(公告)日:2018-10-19

    申请号:CN201610160435.1

    申请日:2016-03-21

    Applicant: 南昌大学

    Inventor: 赵婕 程抱昌

    Abstract: 一种基于陷阱态调控的非易失性多比特微/纳米阻变存储器及使用方法,阻变存储器包括绝缘衬底、单根Sn元素掺杂的ZnO一维微/纳米线、电极、封装材料等。单根Sn元素掺杂的ZnO一维微/纳米线置于绝缘衬底上,其两端分别焊接电极;封装材料将单根Sn元素掺杂的ZnO一维微/纳米线、电极封装在绝缘衬底上。信息写入时在两端电极之间施加写入电压。非易失性多比特存储时在两端电极之间施加写入电压,然后撤去写入电压并施加读取电压。信息擦除时在两端电极之间施加写入电压,然后撤去写入电压并施加读取电压,再置于70℃环境中,随后置于室温中。本发明实现了对电场信息的响应及存储,工艺简便、体积小、轻巧便携、兼容性好,能高效利用。

    基于均相共沉淀法制备金属纳米颗粒镶嵌纳米氧化铝的方法

    公开(公告)号:CN104708009A

    公开(公告)日:2015-06-17

    申请号:CN201410468671.0

    申请日:2014-09-15

    Applicant: 南昌大学

    Inventor: 肖丽 程抱昌

    Abstract: 一种基于均相共沉淀法制备金属纳米颗粒镶嵌纳米氧化铝的方法,(1)将金属盐和硫酸铝或硝酸铝按溶于蒸馏水中,加入表面活性剂和尿素,超声搅拌完全溶解,将溶液转入聚四氟乙烯内衬反应釜中,烘箱中,125℃,恒温12-16h,再升温至170℃恒温8-10h,冷却后抽滤,沉淀物用无水乙醇和蒸馏水洗涤后于60-80℃烘箱中空气干燥;(2)将(1)中产物倒入坩埚后置于电阻炉中,600℃空气气氛退火3h,炉冷后,将产物移入瓷方舟置于管式电阻炉中,在还原气氛于600℃-800℃退火3h,还原气氛中炉冷至室温。本发明制备过程非常简单,设备要求不高,适用于多种类金属,产物混合均匀、形貌优良,产物的尺寸、形貌和物相结构可以通过改变原料的投加量及后续热处理温度进行控制。

    一种氧化铝负载纳米零价铁纳米棒的制备方法

    公开(公告)号:CN103978229A

    公开(公告)日:2014-08-13

    申请号:CN201310649336.6

    申请日:2013-12-06

    Applicant: 南昌大学

    Inventor: 周琳 程抱昌

    Abstract: 一种氧化铝负载纳米零价铁纳米棒的制备方法,按照水溶性铝盐:亚铁盐:表面活性剂:尿素:水=1:1:1:8~12:350的摩尔比,混合,超声搅拌至完全溶解;将反应物置于反应釜中,100~125℃,保温12~15h,再升温至170℃,保温6~9h,冷却后抽滤,沉淀用无水乙醇和蒸馏水洗涤后于80℃烘箱中空气干燥10h;将干燥后的产物倒入坩埚后置于箱式电阻炉中,550℃~700℃空气退火3h,随后将样品在通入氢气和氮气的弱还原气氛中于600℃退火3h,随后保持弱还原气氛炉冷至室温。本发明通过将纳米零价铁负载到氧化铝纳米棒上,改善了纳米零价铁易被氧化的缺点,使氧化铝负载纳米零价铁纳米棒对六价铬的吸附效果明显高于独立存在的纳米零价铁及氧化铝纳米棒,可应用于催化吸附、纳米元器件等领域。

    基于一维镉掺杂氧化锌纳米线的电压控制存储器及制备方法

    公开(公告)号:CN103840080A

    公开(公告)日:2014-06-04

    申请号:CN201310645667.2

    申请日:2013-12-05

    Applicant: 南昌大学

    Inventor: 程抱昌 许剑

    Abstract: 基于一维镉掺杂氧化锌纳米线的电压控制存储器及制备方法,由单根一维镉掺杂氧化锌纳米线、金属电极、载玻片、封装层、导线组成;取单根一维镉掺杂氧化锌纳米线,放置在洁净的载玻片上,在一维镉掺杂氧化锌纳米线两端焊接金属电极,在金属电极上焊接金属导线,用封装材料将金属电极和一维镉掺杂氧化锌纳米线固定在载玻片上,然后放入在30℃恒温箱中,保温8小时。本发明通过改变电压来实现高阻态和低阻态之间相互转变,进而实现信息存取,其M-S-M结构具有优异的电阻开关效应,且制作过程简单,所需设备可重复使用,节省材料,有利于实际应用和工业生产。

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