一种基于纳米浮栅有机场效应晶体管存储器及制备方法

    公开(公告)号:CN108054169B

    公开(公告)日:2021-02-23

    申请号:CN201711128735.2

    申请日:2017-11-14

    Abstract: 本发明是基于有机小分子的有机场效应晶体管存储器,通过浮栅‑遂穿层一体化构造的器件结构。整个器件从上到下依次是:源漏电极、半导体层、浮栅‑遂穿层、栅绝缘层,其中浮栅层与遂穿层共同构成构成电荷存储层。本发明旨在通过简单的溶液悬涂工艺形成一种纳米结构避免了复杂的纳米技术制备薄膜,实现较大的存储窗、开关比(105)、具有较好的稳定性反复擦写耐受性、实现了光擦除有利于信息加密,并且成本较低可以大面积商业推广、生产。

    一种基于纳米浮栅有机场效应晶体管存储器及制备方法

    公开(公告)号:CN108054169A

    公开(公告)日:2018-05-18

    申请号:CN201711128735.2

    申请日:2017-11-14

    Abstract: 本发明是基于有机小分子的有机场效应晶体管存储器,通过浮栅‑遂穿层一体化构造的器件结构。整个器件从上到下依次是:源漏电极、半导体层、浮栅‑遂穿层、栅绝缘层,其中浮栅层与遂穿层共同构成构成电荷存储层。本发明旨在通过简单的溶液悬涂工艺形成一种纳米结构避免了复杂的纳米技术制备薄膜,实现较大的存储窗、开关比(105)、具有较好的稳定性反复擦写耐受性、实现了光擦除有利于信息加密,并且成本较低可以大面积商业推广、生产。

    一种应用于光/电双控有机场效应晶体管的本体异质结

    公开(公告)号:CN104779350A

    公开(公告)日:2015-07-15

    申请号:CN201510155876.8

    申请日:2015-04-02

    Abstract: 本发明涉及一种应用于光/电双控有机场效应晶体管的本体异质结,属于有机固体电子器件领域。该本体异质结是将一种光致变色材料与电荷传输型半导体材料共蒸或旋涂到有机场效应晶体管半导体层。基于光致变色材料的光响应特性,其在光的作用下能够发生物理性质的变化,在与电荷传输型半导体材料掺杂后,内部载流子浓度发生变化,从而能够通过光调制有机场效应晶体管电流特性。同时,在避光时,该本体异质结也能在电场的作用下改变内部的载流子浓度,并体现在有机场效应晶体管的电流变化上。因此,将光致变色材料,与电荷传输型半导体材料采用共蒸或者旋涂方式制膜,作为有机场效应晶体管的本体异质结,能够实现光/电双控晶体管特性。

    强发光有机纳米粒子的制备方法

    公开(公告)号:CN101724391A

    公开(公告)日:2010-06-09

    申请号:CN200910184869.5

    申请日:2009-10-16

    Abstract: 本发明提供一种强发光有机纳米粒子的制备方法,将把有机发光材料溶解于良溶剂,将不良溶剂与上述良溶剂混合,使所述有机材料析出生成,从而制得纳米尺寸的有机纳米颗粒的分散液,所述的有机分子溶液的浓度范围为过饱和至超稀。其中,在该纳米分散液中含有如通式I,其中X为S、O或NH;Y=1时,R为7-羧基庚烷基等;Y=2时,R为庚烷基等;Y=3时,R为均三苯基。采用本发明可以简便快捷地制备有机发光低维纳米材料,从而为有机纳米科技以及有机发光显示工业提供全新的方法。通式I

    一种具有高激子利用率青蓝色荧光材料及其应用

    公开(公告)号:CN114874262B

    公开(公告)日:2024-06-28

    申请号:CN202210553715.4

    申请日:2022-05-19

    Abstract: 本申请公开了一种具有高激子利用率青蓝色荧光材料及其应用,所述具有高激子利用率青蓝色荧光材料在溶液与薄膜中表现出良好的耐温性,与质子转移黄光材料掺杂制备的掺杂薄膜在高温范围内具有良好的温度响应,有应用到高温传感中的潜力;将具有质子转移的黄光材料与上述青蓝光材料掺杂作为发光层,制备白光OLED器件。所制备的青蓝和白光OLED器件具有耐高温的特征,在高温下电致发光强度明显增强。本发明所述单分子青蓝光OLED以及白光OLED器件都具备较高的器件效率、高的激子利用率和较好的耐温性;其中发射层黄光材料与青蓝光材料之间没有能量传递,因此色坐标与电致发光光谱稳定,在高效耐高温的OLED应用领域具有很高的使用及推广价值。

    具有高激子利用率的ESIPT发光材料及其制备方法与应用

    公开(公告)号:CN116874444A

    公开(公告)日:2023-10-13

    申请号:CN202310812396.9

    申请日:2023-07-04

    Inventor: 钱妍 张勇 杨宁婧

    Abstract: 本申请公开了具有高激子利用率的ESIPT发光材料及其制备方法与应用,结合ESIPT性质与热激活延迟荧光性质,设计合成能够发生高能级三重态激发态到单重态激发态间的快速反向系间窜越机制的ESIPT材料。该类材料分子激发态具有显著的杂化局域‑电荷转移性质,并具有高的激子利用率。同时,本发明的材料具有良好的热稳定性和成膜性,分别制备了单分子黄光和单分子白光OLED;本发明还将TADF蓝光材料与上述ESIPT黄光材料掺杂作为发光层,且两者之间能量传递受到阻断,通过掺杂比例调控互补色主客体发光峰,制备了低成本、可重复制备、高效、EL光谱稳定、色度可调的白光OLED器件。

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