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公开(公告)号：CN115498998B
公开(公告)日：2023-02-21
申请号：CN202211419950.9
申请日：2022-11-14
Applicant: 南京邮电大学 , 南京邮电大学南通研究院有限公司
Abstract: 本发明公开了一种基于相位误差自动校正的高频晶体振荡器，包括高频晶体、负载电容、两个单刀双掷开关、环形振荡器、8分频电路、扭环形计数器、峰值检测器、缓冲器、数字模块、多路选择器和放大器，本发明在电路对高频晶体进行能量注入的同时，检测注入信号与晶体振荡信号之间的相位误差并自动校正，使相位误差始终小于45°。本发明保证了高频晶体内部能量持续高效的线性增长，大大降低晶体达到稳定振荡幅度所需的启动时间，实现快速启动；且基于相位误差自动校正技术，本发明在极大地降低启动时间的同时，大幅降低了产生能量注入信号的信号源频率精度要求，本发明显著地提升了芯片良率。
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公开(公告)号：CN115295065A
公开(公告)日：2022-11-04
申请号：CN202211224306.6
申请日：2022-10-09
Applicant: 南京邮电大学 , 南京邮电大学南通研究院有限公司
Abstract: 本发明涉及超大规模集成电路可测性设计领域，公开了一种基于灵活可配置模块的芯粒测试电路，电路核心结构位于中介层，包括灵活可配置模块FCM、控制信号配置模块和测试状态控制模块；FCM采用双路斜对称结构，实现水平方向及垂直方向的数据传输；控制信号配置模块连接所有FCM的控制信号，控制着所有FCM的数据传输方向以及导通和截断状态；测试状态控制模块控制着FCM和控制信号配置模块内部数据的移位和更新操作。本发明可满足多种场景芯粒的测试需求，实现对原有DFT测试逻辑的复用，满足芯粒即插即用的策略，提升测试的灵活性和可控性。
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公开(公告)号：CN115084276A
公开(公告)日：2022-09-20
申请号：CN202210672743.8
申请日：2022-06-15
Applicant: 南京邮电大学 , 南京邮电大学南通研究院有限公司
IPC: H01L29/786 , H01L29/40 , H01L29/06 , H01L21/34
Abstract: 本申请提供一种非晶氧化物半导体薄膜晶体管及其制备方法，包括衬底层、支撑层、栅电极层、栅绝缘层、IGZO有源层、刻蚀阻挡层、源区电极、漏区电极以及漏极场板；栅电极层在水平方向上与源区电极存在交叠区，与漏区电极之间存在非交叠区域，该非交叠区域形成漏极偏移区，刻蚀阻挡层位于IGZO有源层上方，左侧末端与源区电极层右侧末端相切，右侧末端与漏区电极左侧末端相切，漏极场板设于刻蚀阻挡层上方，与漏区电极层左侧末端相连，在水平方向上延伸至栅电极层上方，漏极场板结构通过覆盖于漏极偏移区上方，实现了对该区域处IGZO有源层中载流子浓度的调控，减小电阻，以及降低该处电场分布，改善器件的耐压特性，提升了IGZO薄膜晶体管的功率密度。
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公开(公告)号：CN114582962A
公开(公告)日：2022-06-03
申请号：CN202210462372.0
申请日：2022-04-29
Applicant: 南京邮电大学 , 南京邮电大学南通研究院有限公司
IPC: H01L29/10 , H01L29/778 , H01L21/335
Abstract: 本发明公开了一种可变沟道AlGaN/GaN HEMT结构及制备方法，通过在衬底层上生长缓冲层；在缓冲层之上再生长多沟道层，即两层及以上的AlGaN/GaN异质结叠层；再对多沟道层进行选择性刻蚀，形成阶梯多沟道层；再在器件表面淀积介质钝化层，并进行化学物理抛光，形成阶梯钝化层和顶部钝化层；最后通过微纳加工工艺制备器件的金属电极，获得可变多沟道AlGaN/GaN HEMT结构。
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公开(公告)号：CN114301404A
公开(公告)日：2022-04-08
申请号：CN202111659207.6
申请日：2021-12-30
Applicant: 南京邮电大学 , 南京邮电大学南通研究院有限公司
Abstract: 本发明公开了一种可调谐的多级放大器结构，该技术属于集成电路领域，包括N个级联的放大器，多级放大器输入端和第一级放大器之间通过输入匹配网络连接，第N级放大器与多级放大器输出端之间通过输出匹配网络连接，相邻两个级间的放大器通过级间匹配网络连接，所述输入匹配网络、输出匹配网络和级间匹配网络均连接可调节元件，相邻级间还设有与可调节元件连接的功率识别器。本发明在每一匹配网络都加入了可调节元件以调整频率；根据放大器具体级数N，加入N+1个功率识别器，用来检测功率的大小，通过该识别器检测到的功率，来调整输入匹配网络的电容，进行选择合适的电容，从而提高放大器整体性能。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114112077A
公开(公告)日：2022-03-01
申请号：CN202111420630.0
申请日：2021-11-26
Applicant: 南京邮电大学 , 南京邮电大学南通研究院有限公司
Abstract: 本发明提供了一种应用于大测温范围的温度传感器的SAR逻辑电路，温度传感器包括感温电路与SAR ADC电路，SAR逻辑电路是SAR ADC电路的组成部分；SAR逻辑电路包括3个TSPC寄存器阵列，寄存器阵列之间通过信号的传输相连接，寄存器阵列都由TSPC寄存器级联组成；TSPC寄存器结构包括TSPCR与电平恢复回路，能够改善信号的竞争问题，从而改善电路工作温度范围。本发明改善了SAR逻辑电路的工作温度范围，使工作温度范围扩大至‑150℃—200℃，应用于温度传感器时，能扩大温度传感器的测温范围。
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公开(公告)号：CN114094963A
公开(公告)日：2022-02-25
申请号：CN202111420437.7
申请日：2021-11-26
Applicant: 南京邮电大学 , 南京邮电大学南通研究院有限公司
Abstract: 本发明公开了一种增益增强的分布式放大器结构，实现的放大器增强功能包括三个方面：1.针对有源部分未匹配，在有源部分插入一个级间匹配；2.为了提高性能，提高增益，可以把前一个的信号通过耦合，引导到下一个的输入级，耦合的方法有2种，其一：电容直接通过电场发生耦合，其二：两个电感构成一个变压器通过此磁场发生耦合；3.为了提高输入能量传输效率，考虑到不同频率信号的在传输线中传输的特性不同，所以设置了每一级的输入输出网络的传输线的线长都不相同，这样能够将信号的传输效率最大化；通过以上方法均可提高分布式放大器的增益。
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公开(公告)号：CN113346850A
公开(公告)日：2021-09-03
申请号：CN202110671608.7
申请日：2021-06-17
Applicant: 南京邮电大学 , 南京邮电大学南通研究院有限公司
Abstract: 本发明公开了一种多次谐波抑制的高效射频功率放大器，包括输入匹配电路、栅极偏置电路、晶体管、漏极偏置电路、输出匹配电路、多次谐波抑制电路,是在射频功率放大器的输出网络中添加由多个步进阻抗谐振器组成的具有多次谐波抑制的低通滤波电路，一方面可以实现较好的二至五次谐波抑制和提升线性度；另一方面，输出匹配电路的基波频率具有较低的插入损耗，并且添加的多次谐波抑制电路不会影响输出匹配的带宽。
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公开(公告)号：CN112750911A
公开(公告)日：2021-05-04
申请号：CN202110147388.8
申请日：2021-02-03
Applicant: 南京邮电大学 , 南京邮电大学南通研究院有限公司
IPC: H01L29/78 , H01L29/40 , H01L29/423 , H01L21/336
Abstract: 本发明公开了一种三向电场可控的LDMOS，包括半导体衬底、埋层、有源区，所述有源区包括半导体漏区、条形半导体漂移区和半导体阱区，所述半导体漏区位于条形半导体漂移区一侧台阶处的上方，所述半导体阱区位于条形半导体漂移区的另一侧；三向控制电极，位于条形半导体漂移区的两侧及表面，所述三向控制电极与条形半导体漂移区之间为介质层；三栅电极，位于沟道区的两侧及顶部，形成三栅结构。本发明还公开了一种三向电场可控的LDMOS制备方法。本发明设置三向控制电极，能够获得较高的击穿电压，有效降低LDMOS的导通电阻；设置三栅电极，提供了良好的沟道控制能力，降低器件关闭时的漏电流，并抑制短沟道效应，大大降低阈值电压的迟滞。
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公开(公告)号：CN110570896B
公开(公告)日：2020-09-01
申请号：CN201910701404.6
申请日：2019-07-31
Applicant: 南京邮电大学 , 南京邮电大学南通研究院有限公司
IPC: G11C29/50 , G11C11/413
Abstract: 本发明提供一种面向弱故障的低电压SRAM测试方法，基于弱故障敏化机制，整合存储单元弱故障、译码器字线弱故障和写驱动位线弱故障对应的测试元素，同时引入棋盘数据背景并配合连续读操作，设计出一种算法复杂度仅为12N的新型测试算法，通过电路实现和验证表明该测试方法对这三种弱故障的故障覆盖率较现有测试方法有所提高。
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