氧化还原格芳烃及合成方法、基于该氧化还原格芳烃的有机场效应晶体管存储器及制备方法

    公开(公告)号:CN111848698B

    公开(公告)日:2022-03-25

    申请号:CN202010716229.0

    申请日:2020-07-23

    Abstract: 本发明公开了一种氧化还原格芳烃、基于该氧化还原格芳烃的有机场效应晶体管存储器及制备方法,所述氧化还原格芳烃具有对称的几何结构,具有较明显分离的LUMO和HOMO能级,结构式如下:本发明将氧化还原格芳烃作为有机场效应晶体管存储器的电荷存储层。该存储器件可用于制造非易失性存储设备,例如:移动硬盘、U盘;以及柔性存储设备,例如:电子皮肤,可穿戴设备。该场效应存储器件表现出了有机存储器适合柔性、大面积以及工艺成本低等优势。本发明通过简单的工艺制备了存储器件,并且降低了器件制备成本。对于应用有较大优势。

    菲啰啉配合物及合成方法及忆阻器及忆阻器的应用

    公开(公告)号:CN109053722B

    公开(公告)日:2021-05-11

    申请号:CN201810768096.4

    申请日:2018-07-12

    Abstract: 本发明公开了一种菲啰啉配合物,其结构通式如下:本发明同时公开了一种菲啰啉配合物忆阻器,包括阳极与阴极、以及位于阳极与阴极之间的阻变层,其中阻变层包括由菲啰啉配合物形成的菲啰啉配合物活性薄膜层,该忆阻器可应用于阵列作为节点链接处理器的交叉阵列人工神经计算系统及制造具有学习功能的人工智能系统。本发明具有工艺简单且成本低的优点。

    菲啰啉配合物及合成方法及忆阻器及忆阻器的应用

    公开(公告)号:CN109053722A

    公开(公告)日:2018-12-21

    申请号:CN201810768096.4

    申请日:2018-07-12

    CPC classification number: C07D471/04

    Abstract: 本发明公开了一种菲啰啉配合物,其结构通式如下:本发明同时公开了一种菲啰啉配合物忆阻器,包括阳极与阴极、以及位于阳极与阴极之间的阻变层,其中阻变层包括由菲啰啉配合物形成的菲啰啉配合物活性薄膜层,该忆阻器可应用于阵列作为节点链接处理器的交叉阵列人工神经计算系统及制造具有学习功能的人工智能系统。本发明具有工艺简单且成本低的优点。

    基于数据挖掘的实时入侵检测方法

    公开(公告)号:CN102521378A

    公开(公告)日:2012-06-27

    申请号:CN201110428600.4

    申请日:2011-12-20

    Abstract: 本发明的实现是基于数据挖掘的实时入侵检测方法。该方法在分布式实时系统架构中,增加了两个自适应管理模块:自适应策略管理模块(ASM)和自适应模式管理模块(AMM)。这两个模块用于实现基于数据挖掘的入侵检测系统检测策略及检测模型的自动生成与分发。这个结构可以解决有关数据收集的自动化,检测模型和策略的自动生成与配置以及数据的实时评估方面的问题。它是一个由一些组件类构成的分布式系统,而且这些组件类可以在系统框架内进行灵活的改变,以适应不同的环境变化和用户需求。

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