一种基于典型假想表面特征的磨削三维表面分解方法

    公开(公告)号:CN119888135A

    公开(公告)日:2025-04-25

    申请号:CN202411878602.7

    申请日:2024-12-19

    Abstract: 一种基于典型加项表面特征的磨削三维表面分解方法,其特征是它包括以下步骤:步骤1:分析需求确定目标。步骤2:建立多种假想表面数学模型。步骤3:根据步骤2的模型将多种假想表面耦合,寻找最优耦合方式。步骤4:根据耦合方式求出磨削加工参数的经验公式。步骤5:根据步骤4得到的数据进行仿真和实验,测量并对比数据。步骤6:根据数据进行相似性判别,绘制法向量累积分布曲线(NVCDC)曲线。本发明对磨削加工表面的可控加工技术具有重要的指导意义。

    一种磨削离散热源的自适应与最优化温度场建模方法

    公开(公告)号:CN115034141B

    公开(公告)日:2024-07-19

    申请号:CN202210739795.2

    申请日:2022-06-28

    Abstract: 一种磨削离散热源的自适应与最优化温度场建模方法,其特征是首先通过理论分析求出单热源温度场的表达式,然后利用等强度热源温度场的相似性,结合粒子群算法通过优化分析获得任一位置等强度热源的温度分布,之后利用温度场叠加原理获得任意数量和任意位置热源的综合温度分布,最后以优化的结果为样本,结合小波神经网络构建该综合温度场关于空间位置的函数表达式。本发明有效平衡了磨削热源随机性强和温度场模型适应性差的矛盾关系,使温度场模型能够根据不同的热源分布自动匹配求解路径。

    一种可实现空心结构设计的空心叶片毛坯计算方法

    公开(公告)号:CN112395698B

    公开(公告)日:2024-03-29

    申请号:CN202011202282.5

    申请日:2020-11-02

    Abstract: 本发明公开了一种可实现空心结构设计的空心叶片毛坯计算方法,包括如下步骤:1)提取两层板空心叶片的各空心型腔表面并缝合填充形成多个实体化空心型腔;2)得到分瓣空心叶片和分瓣实体化空心型腔;3)实现分瓣空心叶片及分瓣实体化空心型腔的逆向扭转及整平有限元模拟;4)得到两瓣带有空心型腔与加强筋结构的空心叶片毛坯;5)对比模拟结果及空心叶片数模,修整叶片毛坯,添加机械加工余量,完成两层板空心叶片毛坯设计。本发明的方法依据空心叶片模型及其成形过程变形分析,对空心叶片进行毛坯展开计算,为两层板空心叶片制造提供准确的毛坯数模,保障叶片外形以及空心型腔与加强筋结构的成形精度。

    智能可控温式霍普金森压杆试验用低温加载装置及控温方法

    公开(公告)号:CN110262587B

    公开(公告)日:2023-11-03

    申请号:CN201910454782.9

    申请日:2019-05-29

    Abstract: 一种智能可控温式霍普金森压杆试验用低温加载装置,它包括液氮罐(17)、液氮汽化瓶(12)和低温测试箱(1),其特征是在液氮汽化瓶(12)中安装有第一电加热丝(13),在液氮汽化瓶(12)的出口端安装有第一热电偶(10),在低温氮气输送管(7)中安装有第二电加热丝(6),在低温测试箱(1)中安装有第二热电偶(30),第二热电侧(30)连接有与温控仪(25)进行无线通讯的第二热电侧无线连接器系统(31),温控仪(25)接收第二热电偶(30)的温度,从而控制第二电加热丝(6)的工作状态。本发明可有效地为霍普金森压杆实验提供均匀的超低温测试环境,温度范围在RT~‑190℃,减少了液氮的损耗量,达到节约能源的目的。

    一种强流脉冲电子束增强HEA过渡层及其HECs/ta-C复合多层结构制备方法

    公开(公告)号:CN116497328A

    公开(公告)日:2023-07-28

    申请号:CN202310431049.1

    申请日:2023-04-21

    Abstract: 一种强流脉冲电子束增强HEA过渡层及其HECs/ta‑C复合多层结构制备方法,它通过高熵合金(HEA)过渡层、HEA过渡层表面强化和HECs/ta‑C多层交替生长形成HEA/(HECs/ta‑C)n复合涂层。其制备方法包括:(1)衬底预处理、Ar离子清洗和靶材预溅射;(2)采用磁控溅射法制备HEA过渡层AlTiVCrZr;(3)HCPEB法强化过渡层;(4)采用磁控溅射法在强化后的AlTiVCrZr过渡层上沉积(AlTiVCrZr)C层;(5)采用过滤阴极真空电弧法在(AlTiVCrZr)C层上进一步沉积ta‑C;(6)重复(4)和(5)的操作得到(AlTiVCrZr)C/ta‑C多层交替的涂层。本发明的HECs/ta‑C复合多层增韧耐磨蚀涂层具有高硬度、强韧性和优异的耐磨蚀性能。

    一种低温辅助高速高压微射流均质方法及装置

    公开(公告)号:CN116493105A

    公开(公告)日:2023-07-28

    申请号:CN202310641900.3

    申请日:2023-06-01

    Abstract: 一种低温辅助高速高压微射流均质方法及装置,其特征是,所述的装置包括油泵动力部分、微射流均质机主体部分、供料部分、冷却部分、对撞及均质产物收集部分;本发明将微射流高压均质技术与低温辅助相结合,极大地提高了浆体原料的脆性,在两股相对射流发生高速碰撞时能够提高其粉碎效果和效率,同时在低温下还可以有效防止当制备一些金属粉末时由于温度升高而发生氧化;除此之外,在对撞腔部分也设计了低温冷却室,可以有效降低碰撞后浆体原料的温度。对撞腔内设计了固定形状的微射流通道,浆体原料会分成两股对撞破碎,提高加工效率,达到更佳的均质效果。

    一种碳化硅晶圆基片研抛加工的上料组批优化方法

    公开(公告)号:CN116061013A

    公开(公告)日:2023-05-05

    申请号:CN202310241390.0

    申请日:2023-03-14

    Abstract: 一种碳化硅晶圆基片研抛加工的上料组批优化方法,其特征在于,包括以下步骤:步骤1:通过灰色关联分析法对碳化硅晶片研抛加工工序历史加工数据进行分析,获取与该工序成品率具有强关联的晶片组表面质量参数的一致性作为加工质量预测模型的输入参数,输出参数为对该工序成品率的预测值;步骤2:基于碳化硅晶片生产线采集所得研抛工序历史加工数据建立碳化硅晶片加工质量预测模型;步骤3:通过表面质量检测获得缓冲区所有待加工晶片的表面质量参数,建立该批加工工序缓冲区晶片上料组批优化问题模型;步骤4:采用优化算法对缓冲区碳化硅晶片上料组批优化问题进行求解,获得优化后的晶片组批生产方案。本发明能有效地提高具有单品种、大批量特点的碳化硅生产线多片加工工序的成品率,降低产出损失。

    一种可调温式低温气体喷枪系统

    公开(公告)号:CN113560061B

    公开(公告)日:2023-02-03

    申请号:CN202010353291.8

    申请日:2020-04-29

    Abstract: 一种可调温式低温气体喷枪系统,其特征是它包括:自增压液氮罐(1)、管路保温层(2)、液氮调压阀(3)、低温单向阀(4)、液氮流量调节阀(5)、液氮流量计(6)、耐压容器(7)、低温泄压阀(8)、低温压力表(9)、低温调压阀(10)、气体喷枪(11)、导气罩(12)、空气压缩机(13)、常温调压阀(14)、常温单向阀(15)、空气干燥机(16)、空气流量调节阀(17)、空气流量计(18)、混合器(19)、PLC控制器(20)、温度测量仪(21)、温度传感器(22);本发明能够调节低温气体的出口温度和出口压力,同时使气体喷枪(11)出口保持干燥以防止其结冰造成堵塞,从而满足多种工况下低温加工辅助冷却的需求。

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