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公开(公告)号：CN112213759A
公开(公告)日：2021-01-12
申请号：CN202011073327.3
申请日：2020-10-09
Applicant: 南京工业职业技术大学
Abstract: 本发明公开的属于导航仪技术领域，具体为一种高精度组合导航仪，包括导航解算单元、IMU和二次电源，所述导航解算单元的底部通过螺丝固定连接所述IMU，所述导航解算单元的内部电性连接有输入接口、导航计算机和输出接口，所述输入接口和所述导航计算机电性连接，该种高精度组合导航仪，以陀螺仪输出跟踪惯性坐标系的变化，将加速度计输出在惯性系中进行投影，单滤除载体对地的加速度影响后，可观测到地球自转引起重力加速度G在惯性坐标系中的缓慢旋转漂移，G的漂移是在以地球自转轴为主轴的一个锥面内，最终可以从G的漂移图中确定出地理北向，实时为车辆提供姿态、速度和位置等导航信息。
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公开(公告)号：CN112770446B
公开(公告)日：2022-06-10
申请号：CN202110189077.8
申请日：2021-02-19
Applicant: 南京工业职业技术大学
Inventor： 雷建明
Abstract: 本发明公开一种视觉感知自适应的LED调光兼容方法，采用氮化镓基高电子迁移率晶体管(GaN HEMT)及其驱动电路替代传统硅基MOSFET，实现MHz高频工作环境。频率的大幅度提高能够减小滤波电容、电感的值，可大幅减小线路中的冲击电流和电流振荡，提升TRIAC调光兼容性。采用MHz第三代GaN基宽禁带半导体技术、模数结合式相角检测技术并引入电流外环、接入与LED输出联动的新功能电子假负载，使产品的线性度有明显提升。结合采用光路闭环控制技术和视觉感知优化技术，使产品的输出调光角‑光强曲线能够很好地符合视觉感知特性，提升用户舒适度。另外，采用与LED输出联动的新功能电子假负载能够有效扩展调光范围，并为TRIAC提供足够的启动电流。
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公开(公告)号：CN112466928B
公开(公告)日：2021-11-30
申请号：CN202011470924.X
申请日：2020-12-15
Applicant: 南京工业职业技术大学
Inventor： 雷建明
IPC: H01L29/06 , H01L29/40 , H01L29/778 , H01L29/20
Abstract: 本发明公开一种同时优化击穿特性和反向特性的GaN HEMT器件，涉及半导体器件领域，包括GaN缓冲层、AlGaN势垒层、栅极电极、栅下氧化层、源极电极、源极场板、反向二极管氧化层、Al2O3插入层、SiO2插入层、漏极电极、漏极场板、以及Si3N4钝化层。MIS结构的反向二极管将栅极包围，使栅极电场被有效屏蔽，减小了栅极漏电流，降低了栅极被击穿的风险，将栅下峰值电场右移至MIS反向二极管氧化层处。复合双插入层将位于MIS反向二极管氧化层处的峰值电场进一步右移至漏极侧，有效保护了反向二极管。通过漏极场板，将漏极侧峰值电场拉高至钝化层中，减小器件半导体体材料内部的电场，有效降低器件的漏电流，提升器件的击穿特性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112649714A
公开(公告)日：2021-04-13
申请号：CN202011473394.4
申请日：2020-12-15
Applicant: 南京工业职业技术大学
Inventor： 雷建明
IPC: G01R31/26
Abstract: 本发明公开一种GaNHEMT器件的高频无损逐周期电流检测电路，涉及氮化镓基第三代宽禁带半导体领域，包括GaN HEMT器件器件电路、电流源电路、动态导通电阻提取电路和运放差分电路，可通过探测器件漏极电压推算得到，通过器件漏源极的高频电流，省去了电流探测器，避免了电流探测器带来的损耗，减小了电路环路面积。该方法还能有效地将GaN HEMT器件的自热效应及其独有的俘获效应解嵌，从而获得高精度的电流探测结果，能够广泛地运用于高频功率电子线路中。
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公开(公告)号：CN112491403A
公开(公告)日：2021-03-12
申请号：CN202011470986.0
申请日：2020-12-15
Applicant: 南京工业职业技术大学
Inventor： 雷建明
IPC: H03K7/08 , H01L29/778 , H01L29/20
Abstract: 本发明公开一种GaN HEMT器件应用于高频电路中的俘获效应消除方法，涉及氮化镓基第三代宽禁带半导体领域，首次提出在后端高频电路应用中来实现，解决目前在前端外延和器件设计中无法实现消除俘获效应的难题。该方法采用新型的拓扑电路控制方式，控制方式的核心是采用分频工作模式与平均输出控制技术。该控制方式充分利用GaN HEMT器件的高频工作优势，通过减小器件单次关断时间，使其小于器件中电子俘获所需的时间，实现消除器件的俘获效应。
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公开(公告)号：CN112466928A
公开(公告)日：2021-03-09
申请号：CN202011470924.X
申请日：2020-12-15
Applicant: 南京工业职业技术大学
Inventor： 雷建明
IPC: H01L29/06 , H01L29/40 , H01L29/778 , H01L29/20
Abstract: 本发明公开一种同时优化击穿特性和反向特性的GaN HEMT器件，涉及半导体器件领域，包括GaN缓冲层、AlGaN势垒层、栅极电极、栅下氧化层、源极电极、源极场板、反向二极管氧化层、Al2O3插入层、SiO2插入层、漏极电极、漏极场板、以及Si3N4钝化层。MIS结构的反向二极管将栅极包围，使栅极电场被有效屏蔽，减小了栅极漏电流，降低了栅极被击穿的风险，将栅下峰值电场右移至MIS反向二极管氧化层处。复合双插入层将位于MIS反向二极管氧化层处的峰值电场进一步右移至漏极侧，有效保护了反向二极管。通过漏极场板，将漏极侧峰值电场拉高至钝化层中，减小器件半导体体材料内部的电场，有效降低器件的漏电流，提升器件的击穿特性。
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公开(公告)号：CN214012942U
公开(公告)日：2021-08-20
申请号：CN202023007673.X
申请日：2020-12-15
Applicant: 南京工业职业技术大学
Inventor： 雷建明
IPC: H01L27/085 , H01L29/778 , H01L29/20 , G01N27/00
Abstract: 本实用新型公开一种氮化镓基差分式无栅生物传感器，涉及生物传感器领域，包括GaN器件Q1、GaN器件Q2以及外围的功能电路，采用了第三代氮化镓基宽禁带半导体技术和差分技术，包含两个工艺完全相同且并联连接的无栅GaN器件，以及差分信号处理电路。氮化镓无栅传感器具有天然高浓度二维电子气及强极化效应，感测灵敏度高、响应度高、制备工艺简单。差分技术使传感器的感测精度大幅度提升，使其几乎不受环境影响。
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公开(公告)号：CN214255731U
公开(公告)日：2021-09-21
申请号：CN202023158996.9
申请日：2020-12-24
Applicant: 南京工业职业技术大学
Abstract: 本发明公开一种用于混合储能的双级储能系统主电路及其功率模块，包括储能系统主电路和功率模块，所述储能系统主电路采用双级拓扑结构，前一级AC/DC为三相PWM整流电路，后一级双向DC/DC为Buck/Boost电路，涉及储能技术领域，功率模块采用一体化设计，有效降低了模块设计的复杂度，散热性能好、可靠性高、安装方便、结构紧凑，可根据不同功率需求，通过相同封装不同功率等级的IGBT模块，可满足不同功率等级要求；储能系统采用铅碳电池和超级电容相结合的混合储能方式，利用铅碳电池具有能量大，超级电容充放电瞬时速度快，使用寿命长、功率密度高，可以实现在并/离网模式下恒流恒压充放电以及平滑切换功能。
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