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公开(公告)号：CN112229265B
公开(公告)日：2022-07-15
申请号：CN202011073326.9
申请日：2020-10-09
Applicant: 南京工业职业技术大学
IPC: F41A27/00 , F41A17/00 , G01C21/16 , G01K1/02 , C01B32/225
Abstract: 本发明公开的属于控制系统技术领域，具体为一种基于高精度惯组传感器的火控系统，包括外壳、变频警报器、填充顶框、火控计算机和传感仓，所述外壳的左侧壁通过螺丝固定连接所述变频警报器，所述外壳的顶部通过螺丝固定连接所述填充顶框，该种基于高精度惯组传感器的火控系统，在填充顶框中填充膨胀石墨粉，受热情况下膨胀从与释放槽连接的释放管中释放，增加了安全性，便于提示，且使火控计算机称为全自动工作方式，以火控计算机为核心，实施全系统高精度全自动操瞄控制，在该方式下火控系统自动接收上级下达的命令和信息，自动调炮到位，通过传感仓的组合，将扰动导致的系统变化减少到最低。
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公开(公告)号：CN113327759A
公开(公告)日：2021-08-31
申请号：CN202110596370.6
申请日：2021-05-30
Applicant: 南京工业职业技术大学
Abstract: 一种基于宽禁带异质结结构的平面变压器，采用GaN衬底、GaN/AlGaN异质结以及微加工的互联，利用GaN/AlGaN异质结天然形成的二维电子气(2DEG)替代传统铜线。该技术能够减小变压器损耗，提高工作效率，将工作带宽提升至5MHz以上。由于GaN材料禁带宽度达3.4eV，耐压特性强，该技术还能够很好地解决原副边隔离的安规问题。
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公开(公告)号：CN113327759B
公开(公告)日：2022-11-15
申请号：CN202110596370.6
申请日：2021-05-30
Applicant: 南京工业职业技术大学
Abstract: 一种基于宽禁带异质结结构的平面变压器，采用GaN衬底、GaN/AlGaN异质结以及微加工的互联，利用GaN/AlGaN异质结天然形成的二维电子气(2DEG)替代传统铜线。该技术能够减小变压器损耗，提高工作效率，将工作带宽提升至5MHz以上。由于GaN材料禁带宽度达3.4eV，耐压特性强，该技术还能够很好地解决原副边隔离的安规问题。
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公开(公告)号：CN112490257B
公开(公告)日：2021-11-09
申请号：CN202011473391.0
申请日：2020-12-15
Applicant: 南京工业职业技术大学
Inventor： 雷建明
IPC: H01L27/146 , H01L25/16
Abstract: 本发明公开一种GaN基混合式三维成像与测距装置，涉及测距成像领域，包括处理器、晶圆片、硅晶片、GaN紫外发光二极管、GaN紫外日盲APD、GaN红外探测管和PCB板，解决了激光测距仪均不能成像、激光刺眼、红外成像误判率高且为二维成像、CCD成像成本高且不易单片集成等问题。其包括使用单片集成的GaN紫外发光二极管阵列，和GaN紫外日盲APD、GaN红外探测器非致冷焦平面阵列，可同时实现红外和紫外的成像和测距。其实现的特点是采用三种单片集成的GaN器件的混合工作方式，在无需额外激光源的情况下，实现在极暗的环境下完成高质量的成像与测距，且抗干扰能力强、人体无察觉、成本适中、小尺寸、低损耗。
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公开(公告)号：CN113540021A
公开(公告)日：2021-10-22
申请号：CN202110799245.5
申请日：2021-07-15
Applicant: 南京工业职业技术大学
IPC: H01L23/522 , H01L23/64 , H01L49/02
Abstract: 本发明公开一种宽禁带异质结构的矩阵式平面变压器，涉及变压器领域，器件包括GaN衬底，所述GaN衬底上为厚度在500nm‑3μm之间的GaN层，所述GaN层之上为厚度在10nm‑30nm之间的AlGaN层，所述GaN层和AlGaN层异质结中间填充有绝缘体，本发明颠覆性的基于第三代宽禁带半导体的技术来构建平面变压器，减小变压器损耗，提高工作效率，将工作带宽提升至5MHz以上，利用GaN/AlGaN异质结天然形成的二维电子气(2DEG)替代传统铜线，采用微加工工艺，实现了变压器的超轻薄。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113113923A
公开(公告)日：2021-07-13
申请号：CN202011553232.1
申请日：2020-12-24
Applicant: 南京工业职业技术大学
Abstract: 本发明公开一种用于混合储能的双级储能系统主电路及其功率模块，包括储能系统主电路和功率模块，所述储能系统主电路采用双级拓扑结构，前一级AC/DC为三相PWM整流电路，后一级双向DC/DC为Buck/Boost电路，涉及储能技术领域，功率模块采用一体化设计，有效降低了模块设计的复杂度，散热性能好、可靠性高、安装方便、结构紧凑，可根据不同功率需求，通过相同封装不同功率等级的IGBT模块，可满足不同功率等级要求；储能系统采用铅碳电池和超级电容相结合的混合储能方式，利用铅碳电池具有能量大，超级电容充放电瞬时速度快，使用寿命长、功率密度高，可以实现在并/离网模式下恒流恒压充放电以及平滑切换功能。
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公开(公告)号：CN112229265A
公开(公告)日：2021-01-15
申请号：CN202011073326.9
申请日：2020-10-09
Applicant: 南京工业职业技术大学
IPC: F41A27/00 , F41A17/00 , G01C21/16 , G01K1/02 , C01B32/225
Abstract: 本发明公开的属于控制系统技术领域，具体为一种基于高精度惯组传感器的火控系统，包括外壳、变频警报器、填充顶框、火控计算机和传感仓，所述外壳的左侧壁通过螺丝固定连接所述变频警报器，所述外壳的顶部通过螺丝固定连接所述填充顶框，该种基于高精度惯组传感器的火控系统，在填充顶框中填充膨胀石墨粉，受热情况下膨胀从与释放槽连接的释放管中释放，增加了安全性，便于提示，且使火控计算机称为全自动工作方式，以火控计算机为核心，实施全系统高精度全自动操瞄控制，在该方式下火控系统自动接收上级下达的命令和信息，自动调炮到位，通过传感仓的组合，将扰动导致的系统变化减少到最低。
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公开(公告)号：CN111948211A
公开(公告)日：2020-11-17
申请号：CN202010545829.5
申请日：2020-06-16
Applicant: 南京工业职业技术大学
Abstract: 本发明公开的属于自动化检测系统技术领域，具体为一种复合式承压设备探伤系统，包括系统框架、表面模块、亚表面模块、内部模块和巡检模块，所述系统框架的内部电性连接所述表面模块、所述亚表面模块、所述内部模块和所述巡检模块，所述表面模块的电性输入端电性连接有图像采集模块和机器视觉系统，该种复合式承压设备探伤系统，通过配件系统的组合运用，结合激光视觉图像处理技术、电涡流图像重构技术、相控阵超声技术和数据融合技术，开发一款可应用于输油管道、大型储油罐底板、金属板材等伤损进行图像采集、伤损识别系统，实现承压设备伤损的可视化、定量化评估，指导无损检测专业技术人员及时消除病害深层成因。
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公开(公告)号：CN112770446A
公开(公告)日：2021-05-07
申请号：CN202110189077.8
申请日：2021-02-19
Applicant: 南京工业职业技术大学
Inventor： 雷建明
Abstract: 本发明公开一种视觉感知自适应的LED调光兼容方法，采用氮化镓基高电子迁移率晶体管(GaN HEMT)及其驱动电路替代传统硅基MOSFET，实现MHz高频工作环境。频率的大幅度提高能够减小滤波电容、电感的值，可大幅减小线路中的冲击电流和电流振荡，提升TRIAC调光兼容性。采用MHz第三代GaN基宽禁带半导体技术、模数结合式相角检测技术并引入电流外环、接入与LED输出联动的新功能电子假负载，使产品的线性度有明显提升。结合采用光路闭环控制技术和视觉感知优化技术，使产品的输出调光角‑光强曲线能够很好地符合视觉感知特性，提升用户舒适度。另外，采用与LED输出联动的新功能电子假负载能够有效扩展调光范围，并为TRIAC提供足够的启动电流。
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公开(公告)号：CN112490257A
公开(公告)日：2021-03-12
申请号：CN202011473391.0
申请日：2020-12-15
Applicant: 南京工业职业技术大学
Inventor： 雷建明
IPC: H01L27/146 , H01L25/16
Abstract: 本发明公开一种GaN基混合式三维成像与测距装置，涉及测距成像领域，包括处理器、晶圆片、硅晶片、GaN紫外发光二极管、GaN紫外日盲APD、GaN红外探测管和PCB板，解决了激光测距仪均不能成像、激光刺眼、红外成像误判率高且为二维成像、CCD成像成本高且不易单片集成等问题。其包括使用单片集成的GaN紫外发光二极管阵列，和GaN紫外日盲APD、GaN红外探测器非致冷焦平面阵列，可同时实现红外和紫外的成像和测距。其实现的特点是采用三种单片集成的GaN器件的混合工作方式，在无需额外激光源的情况下，实现在极暗的环境下完成高质量的成像与测距，且抗干扰能力强、人体无察觉、成本适中、小尺寸、低损耗。
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