公开(公告)号：CN107611004A

公开(公告)日：2018-01-19

申请号：CN201710691390.5

申请日：2017-08-14

Applicant: 南京大学

Inventor： 修向前 ,  李悦文 ,  张荣 ,  华雪梅 ,  谢自力 ,  陈鹏 ,  韩平 ,  陆海 ,  施毅 ,  郑有炓

IPC: H01L21/02 ,  C30B25/18 ,  C30B25/20 ,  C30B29/40

Abstract: 一种制备自支撑GaN衬底材料的方法，在衬底如蓝宝石或硅片上用水热法生长氧化镓纳米柱有序阵列，并在氨气气氛中对氧化镓纳米柱进行部分或全部氮化形成氮化镓包覆氧化镓即GaN@Ga2O3或者GaN纳米柱有序阵列；在上述含有GaN纳米柱有序阵列的衬底上进行GaN的氢化物气相外延(HVPE)横向外延和厚膜生长，获得低应力高质量的GaN厚膜材料；利用化学腐蚀去掉界面层氧化镓即可获得自支撑GaN衬底材料；或者利用氧化镓/氮化镓与异质衬底如蓝宝石之间的热应力，采用控制降温速率的方法实现纳米柱与蓝宝石衬底的原位自分离获得GaN衬底材料。

公开(公告)号：CN107574479A

公开(公告)日：2018-01-12

申请号：CN201710691177.4

申请日：2017-08-14

Applicant: 南京大学

Inventor： 修向前 ,  李悦文 ,  熊则宁 ,  张荣 ,  华雪梅 ,  谢自力 ,  陈鹏 ,  韩平 ,  陆海 ,  施毅 ,  郑有炓

IPC: C30B29/40 ,  C30B29/16 ,  C30B25/14

CPC classification number: C30B25/14 ,  C30B29/16 ,  C30B29/40

Abstract: 一种氢化物气相外延生长系统，包括生长区和气路系统，气路系统中进气管路包括氨气管路、氧气管路和氯气管路，在生长氮化镓时使用氨气作为反应气体，在生长氧化镓时使用氧气作为反应气体；外延生长系统的生长区包括低温生长区和高温生长区，高温生长区的外侧为废气排出管路；低温生长区附近还设有Ga舟，氯气管路伸进Ga舟；该系统既用于氧化镓薄膜的生长、用于氮化镓薄膜的生长或用于氮化镓/氧化镓复合结构薄膜的生长。

公开(公告)号：CN107574477A

公开(公告)日：2018-01-12

申请号：CN201710692091.3

申请日：2017-08-14

Applicant: 南京大学

Inventor： 修向前 ,  李悦文 ,  张荣 ,  华雪梅 ,  谢自力 ,  陈鹏 ,  韩平 ,  陆海 ,  施毅 ,  郑有炓

IPC: C30B25/18 ,  C30B29/40

Abstract: 一种大尺寸GaN衬底材料的制备方法，在蓝宝石或硅片衬底上利用溶胶-凝胶法制备大尺寸、厚度均匀的氧化镓薄膜，并在氨气气氛中对氧化镓进行部分或全部氮化形成GaN/Ga2O3或者GaN薄膜作为缓冲层；在上述含有GaN薄膜缓冲层的衬底上进行GaN的氢化物气相外延(HVPE)同质厚膜生长，获得厚度均匀分布的大尺寸GaN厚膜材料；利用化学腐蚀去掉界面层氧化镓即获得自支撑GaN衬底材料；或使用传统的激光剥离等方法去除异质衬底获得GaN自支撑衬底材料。

公开(公告)号：CN106757323A

公开(公告)日：2017-05-31

申请号：CN201611103463.6

申请日：2016-12-05

Applicant: 南京大学

Inventor： 修向前 ,  陈丁丁 ,  李悦文 ,  陈琳 ,  华雪梅 ,  谢自力 ,  韩平 ,  陆海 ,  顾书林 ,  施毅 ,  张荣 ,  郑有炓

IPC: C30B25/02 ,  C30B29/40 ,  C30B29/60

CPC classification number: C30B25/02 ,  C30B29/403 ,  C30B29/60

Abstract: 一种制备无应力InN纳米线的方法，利用CVD设备升华法生长InN纳米线；衬底采用蓝宝石、硅或石英玻璃、GaN/蓝宝石(硅)，衬底清洗后，先覆盖单层或多层石墨烯薄膜；将覆有石墨烯薄膜的衬底表面沉积Au，放入CVD管式炉生长系统中，开始InN纳米线生长；常压，生长温度：500–800℃；高纯N2作为载气先吹扫管式炉去除空气等，然后持续通气保护InN纳米线外延，生长期间总N2载气流量0‑5slm；In源采用常规的高纯金属铟升华铟蒸汽和高纯氨气N H3反应生成InN。高纯氨气作为氮源，NH3流量：100–2000sccm；生长时间30‑150分钟。