-
公开(公告)号：CN112710659A
公开(公告)日：2021-04-27
申请号：CN202010609154.6
申请日：2020-06-29
Applicant: 南京大学
IPC: G01N21/84
Abstract: 圆形莫尔织物镜及其使用方法，圆形莫尔织物镜绘制在透明板上，特征是透明板上绘制有若干个黑白相间的非均匀的同心圆条纹，构成莫尔条纹，在处涂成黑色，其他地方不涂色，其中，x和y为平面直角坐标系中坐标。为条纹密度参数，表示单位长度代表的条纹密度。b为同心圆条纹宽度系数，表示黑线占总面积的比例，n依次取各正整数。本发明克服了现有技术测量耗时长、规整的条纹、只能测量一个方向上的织物密度等不足，实现了读数简便，可估读。条纹为正圆形，规整易读数。可同时读取多个方向上的条纹密度，快速便捷。还可与多个方向的条纹分别作用，独立成纹。本发明还涉及这种圆形莫尔织物镜的使用方法。
-
公开(公告)号：CN106087051B
公开(公告)日：2019-05-17
申请号：CN201610396031.2
申请日：2016-06-06
Applicant: 南京大学
Abstract: AB堆垛双层石墨烯的制备方法及其设备：采用固态或液态碳氢化合物为碳源，控制挥发量，通过含高氢分压的惰性载气带到铜箔表面，利用常压化学气相沉积法催化生长双层石墨稀。碳氢化合物采用固体碳源：固态烃类化合物或烃类的衍生物；通过对固体碳源加热，控制碳源挥发量；或碳氢化合物采用液体碳源：液态烃类化合物或烃类衍生物；通过通入惰性气体量的大小，控制液体碳源的挥发量。本发明实现了双层石墨稀的同步生长，得到了高质量晶圆级AB堆垛的双层石墨烯，AB堆垛的双层石墨稀覆盖率可达100%，单晶场效应载流子迁移率高达5300 cm2v‑1s‑1。实验参数控制方便，操作简单，环保高效，很容易扩展到工业大规模卷对卷生产。
-
公开(公告)号：CN101286545B
公开(公告)日：2010-09-29
申请号：CN200810098905.1
申请日：2008-05-09
Applicant: 南京大学
Abstract: 具有磁电效应的复合薄膜异质结，由具有压电效应的材料和具有磁致伸缩效应的材料复合而形成，特征是：所述的具有磁致伸缩效应的材料为稀土铁合金RFe2纳米薄膜，R为稀土元素；具有压电效应的材料为柔软的PVDF聚合物压电薄膜；两种薄膜的复合方式是：稀土铁合金RFe2纳米薄膜淀积在PVDF压电薄膜上而形成RFe2/PVDF双层纳米复合薄膜。该RFe2/PVDF双层纳米复合薄膜的制备方法：将RFe2团簇束流持续淀积在PVDF压电薄膜表面，形成RFe2纳米薄膜层。本发明中PVDF聚合物薄膜既是压电功能层，又是RFe2纳米薄膜层的衬底。本发明的复合薄膜异质结中界面应力传递更加有效，具有较强的磁电效应。
-
公开(公告)号：CN100558945C
公开(公告)日：2009-11-11
申请号：CN200710023415.0
申请日：2007-06-01
Applicant: 南京大学
Abstract: 制备具有密堆积结构的纳米超薄晶片的方法，采用气相团簇束流源产生颗粒直径在1-50纳米之间尺寸分布集中的纳米团簇束流，以纳米晶片的材料压制成为溅射靶材，并将其电离，加速，使得从其出发到衬底时的纳米颗粒能量在接近或刚超过颗粒的整个结合能的区间，衬底选用非取向的非晶衬底，将纳米颗粒束流高能沉积在衬底上。在本发明中，利用荷能团簇束流沉积的方法来制备超薄的纳米晶片，是因为荷能团簇束流沉积可以使数百成千个原子以同一速度到达衬底，而接近整个颗粒结合能的动能在荷能纳米颗粒与衬底完成接触的瞬间消失作用在纳米颗粒上，促进了密堆积结构晶核的生长。
-
公开(公告)号：CN1805165A
公开(公告)日：2006-07-19
申请号：CN200510122647.2
申请日：2005-11-30
Applicant: 南京大学
Abstract: 一种提高复合材料磁电效应的方法，将磁致伸缩材料和压电材料制成层状的复合材料，二者粘合在一起。根据磁致伸缩材料的在直流偏磁场和交流激励磁场作用下的振动模式来设计压电单晶的切型，使新切型的压电单晶在磁致伸缩材料所施加的应变作用下有更大的压电输出；对标准切型的压电单晶的切型进行选择以使得晶体的最大压电系数得到应用：即对标准压电单晶的压电系数张量矩阵进行坐标变换，使在新的切型下压电系数矩阵中所用到的压电系数组合值达到最大，以使新切型的压电单晶在我们所需要的方向上有最大的压电输出。即可获得最大磁电效应。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1262514C
公开(公告)日：2006-07-05
申请号：CN200410041727.0
申请日：2004-08-19
Applicant: 南京大学
IPC: C04B35/49 , C04B35/491 , C04B35/26 , C04B35/624 , H01F1/34
Abstract: 磁电复合薄膜由锆钛酸铅铁电基体和均匀分布于其中的铁酸钴磁性颗粒所构成，其中铁酸钴颗粒在复合薄膜中的体积含量在20%～80%之间。该复合薄膜具有良好的铁电性和铁磁性，并具有磁电效应。铁酸钴颗粒在复合薄膜中的优化比例在40%～60%之间。在制备复合薄膜时，可通过在衬底上交替旋涂不同层数的锆钛酸铅和铁酸钴凝胶薄膜，以得到上述不同的铁酸钴体积含量；在高温退火处理过程中，由于锆钛酸铅铁电体层和铁酸钴层相互渗透并自发聚集，复合薄膜将形成连续的锆钛酸铅铁电基体相和均匀分布于其中的铁酸钴颗粒磁性体相。复合薄膜随铁酸钴体积含量的不同，可以表现出不同的磁电效应。本发明还提供了制备这种磁电复合薄膜的具体方法。
-
公开(公告)号：CN1597612A
公开(公告)日：2005-03-23
申请号：CN200410041727.0
申请日：2004-08-19
Applicant: 南京大学
IPC: C04B35/49 , C04B35/491 , C04B35/26 , C04B35/624 , H01F1/34
Abstract: 磁电复合薄膜由锆钛酸铅铁电基体和均匀分布于其中的铁酸钴磁性颗粒所构成，其中铁酸钴颗粒在复合薄膜中的体积含量在20％～80％之间。该复合薄膜具有良好的铁电性和铁磁性，并具有磁电效应。铁酸钴颗粒在复合薄膜中的优化比例在40％～60％之间。在制备复合薄膜时，可通过在衬底上交替旋涂不同层数的锆钛酸铅和铁酸钴凝胶薄膜，以得到上述不同的铁酸钴体积含量；在高温退火处理过程中，由于锆钛酸铅铁电体层和铁酸钴层相互渗透并自发聚集，复合薄膜将形成连续的锆钛酸铅铁电基体相和均匀分布于其中的铁酸钴颗粒磁性体相。复合薄膜随铁酸钴体积含量的不同，可以表现出不同的磁电效应。本发明还提供了制备这种磁电复合薄膜的具体方法。
-
公开(公告)号：CN219737264U
公开(公告)日：2023-09-22
申请号：CN202320544292.X
申请日：2023-03-20
Applicant: 南京大学
Abstract: 本实用新型公开了一种光纤线圈传感装置，包括光纤调节器；所述光纤调节器一端输入半导体激光器发出并经空间光耦合器耦合的激光，光纤调节器的另一端输出激光，并经光电转换与激光功率指示器相连；光纤调节器包括测量台架以及设置于测量台架上的光纤线圈。本实用新型通过将光纤制成光纤线圈的形式设置在亚克力管上用于对溶液参数进行检测，能够同时检测出溶液的浓度和高度；可适用于不同测量条件，根据实际情况灵活调整量程，整个测量传感装置的测量范围更广，通过将光纤密绕的方式检测溶液的浓度和液面深度，其测量的精度更高；同时设置了配合光纤传感器的夹具，保证测量的稳定性以及测量的效率。
-
公开(公告)号：CN216248292U
公开(公告)日：2022-04-08
申请号：CN202122825606.7
申请日：2021-11-18
Applicant: 南京大学 , 杭州大华仪器制造有限公司
Abstract: 本实用新型公开了一款霍尔效应测试架，包括测试底座、安装在测试底座上的电磁铁以及霍尔测试组件；其特征还包括安装在测试底座上提高霍尔测试组件调节精度的双杆定位式调节支架；所述霍尔测试组件通过螺钉可拆卸安装在测试底座的双杆定位式调节支架上。本实用新型通过双杆定位式调节支架的设置，利用双杆定位式调节支架对霍尔测试组件进行调节，从而提高霍尔测试组件调节的精度以及测试的准确性；通过将霍尔测试组件利用螺钉可拆卸安装在双杆定位式调节支架上，从而便于霍尔测试组件的拆卸更换；通过双杆定位式调节支架上调节刻度条的设置，利用调节刻度条控制双杆定位式调节支架对霍尔测试组件调节的距离，从而提高霍尔测试组件调节的精度。
-
公开(公告)号：CN219429617U
公开(公告)日：2023-07-28
申请号：CN202320928026.7
申请日：2023-04-23
Applicant: 南京大学
Abstract: 本实用新型公开了一种热源放置与移除的电控装置，包括底板、升降轴套筒、升降轴、升降电机、水平移位电机、连杆、探测器、样品台；升降轴套筒固定于底板上，升降轴的底部位于升降轴套筒内，在升降电机的驱动下沿升降轴套筒纵向伸缩，样品台设置于底板上；水平移位电机与升降轴的头部连接，连杆一端连接水平移位电机的转动轴，另一端连接热源，探测器固定在升降轴的顶部，水平移位电机通过转动轴带动连杆和热源沿水平方向转动。本实用新型针对金属比热测量的实验系统，创新设计了一种电控三维移动装置，放置热源定位精确，撤离热源安全可靠，且为实现联动控制、自动测量提供了可能。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
31
records
(took 0.02 seconds)
