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公开(公告)号：CN100558945C
公开(公告)日：2009-11-11
申请号：CN200710023415.0
申请日：2007-06-01
Applicant: 南京大学
Abstract: 制备具有密堆积结构的纳米超薄晶片的方法，采用气相团簇束流源产生颗粒直径在1-50纳米之间尺寸分布集中的纳米团簇束流，以纳米晶片的材料压制成为溅射靶材，并将其电离，加速，使得从其出发到衬底时的纳米颗粒能量在接近或刚超过颗粒的整个结合能的区间，衬底选用非取向的非晶衬底，将纳米颗粒束流高能沉积在衬底上。在本发明中，利用荷能团簇束流沉积的方法来制备超薄的纳米晶片，是因为荷能团簇束流沉积可以使数百成千个原子以同一速度到达衬底，而接近整个颗粒结合能的动能在荷能纳米颗粒与衬底完成接触的瞬间消失作用在纳米颗粒上，促进了密堆积结构晶核的生长。
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公开(公告)号：CN101060047A
公开(公告)日：2007-10-24
申请号：CN200710021318.8
申请日：2007-04-06
Applicant: 南京大学
Abstract: 类金刚石材料场电子发射阴极制备方法，利用团簇束流在基底上沉积高密度纳米针尖发射体从而实现高场发射电流和低发射阈值，在高真空室中，利用Ar、He等气体碰撞射频磁控溅射产生的类金刚石材料蒸气产生纳米颗粒，并产生定向束流将其引到衬底，改变束流强度和沉积时间来实现高空间密度发射体制备；束流的调节方法是：调节靶室中的Ar、He气体流量101－102sccm和分压1∶1～5∶1，调节最终工作体束流的尺寸组分；调节溅射靶材到小孔的距离＞10cm调节纳米颗粒以及最终发射体的大小。本发明获得高发射体空间密度和高性能(低启动电压、高发射电流)的场发射阴极。
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公开(公告)号：CN100585770C
公开(公告)日：2010-01-27
申请号：CN200710021318.8
申请日：2007-04-06
Applicant: 南京大学
Abstract: 类金刚石材料场电子发射阴极制备方法，利用团簇束流在基底上沉积高密度纳米针尖发射体从而实现高场发射电流和低发射阈值，在高真空室中，利用Ar、He等气体碰撞射频磁控溅射产生的类金刚石材料蒸气产生纳米颗粒，并产生定向束流将其引到衬底，改变束流强度和沉积时间来实现高空间密度发射体制备；束流的调节方法是：调节靶室中的Ar、He气体流量101-102sccm和分压1∶1～5∶1，调节最终工作体束流的尺寸组分；调节溅射靶材到小孔的距离＞10cm调节纳米颗粒以及最终发射体的大小。本发明获得高发射体空间密度和高性能(低启动电压、高发射电流)的场发射阴极。
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公开(公告)号：CN101092737A
公开(公告)日：2007-12-26
申请号：CN200710023415.0
申请日：2007-06-01
Applicant: 南京大学
Abstract: 制备具有密堆积结构的纳米超薄晶片的方法，采用气相团簇束流源产生颗粒直径在1－50纳米之间尺寸分布集中的纳米团簇束流，以纳米晶片的材料压制成为溅射靶材，并将其电离，加速，使得从其出发到衬底时的纳米颗粒能量在接近或刚超过颗粒的整个结合能的区间，衬底选用非取向的非晶衬底，将纳米颗粒束流高能沉积在衬底上。在本发明中，利用荷能团簇束流沉积的方法来制备超薄的纳米晶片，是因为荷能团簇束流沉积可以使数百成千个原子以同一速度到达衬底，而接近整个颗粒结合能的动能在荷能纳米颗粒与衬底完成接触的瞬间消失作用在纳米颗粒上，促进了密堆积结构晶核的生长。
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