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公开(公告)号：CN117907277A
公开(公告)日：2024-04-19
申请号：CN202410256890.6
申请日：2024-03-07
Applicant: 南京信息工程大学
IPC: G01N21/39 , G01N21/21 , G06F18/241 , G06F17/15
Abstract: 本发明公开了一种基于深度学习的偏振增强型气体识别探测方法、装置，该方法包括获取超连续谱激光信号，并通过准直分光耦合出两路信号；对光谱信号进行气体的吸收处理，得到气体吸收后的光谱信号，将其与标准的光源光谱对照信号作对比，获得气体吸收特征光谱；利用超连续谱激光信号深度学习模块对光谱谐波信号图谱进行训练，并结合电控偏振片和锗基二维光谱探测器完成信号重构，利用偏振增强的气体光谱指纹信号的智能识别终端绘制气体吸收的光谱信号图谱，完成气体成分和浓度的识别。本发明提高了多气体识别精度，气体浓度识别的下限能够达到ppb级别。
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公开(公告)号：CN112018199B
公开(公告)日：2023-04-07
申请号：CN201910461768.1
申请日：2019-05-30
Applicant: 南京信息工程大学
IPC: H01L31/0304 , H01L31/0352 , H01L31/102 , H01L31/18
Abstract: 本发明涉及一种高质量非极性AlGaN微纳复合结构，包括基底、柱状固体介质阵列结构和孔状非极性AlxGa1‑xN层。本发明可显著降低非极性AlGaN面内应力，从而达到大幅度减弱非极性AlGaN产生位错的根源，实现非极性AlGaN位错密度的有效降低和晶体质量的有效提高。还可以适应非极性AlGaN在不同Al组分条件下应力各向异性的变化，最大限度上解决非极性AlGaN因存在的面内应力各向异性导致的问题。使用该复合结构可进一步生长高质量的非极性AlGaN基薄膜，广泛应用于非极性AlGaN基紫外、深紫外发光器件以及紫外、日盲探测器件的制备，并可显著提高制备器件的性能、稳定性及寿命。
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公开(公告)号：CN114709291A
公开(公告)日：2022-07-05
申请号：CN202210345928.8
申请日：2022-03-31
Applicant: 南京信息工程大学
IPC: H01L31/101 , H01L31/032 , H01L31/0352 , G01J5/28
Abstract: 本发明公开一种基于GeSe二维纳米材料红外光谱探测器及其制备方法，属于红外光谱探测器器件领域，该红外光谱探测器包括基底上利用泼墨打印形成的栅极电极，绝缘层，源漏电极，二维纳米材料层，半导体有源层，本发明能够感知宽光谱红外信号并且将光信号转化为电信号，结合机器学习的方法来进行光谱的分光识别和处理，代替了传统光谱传感器利用光栅进行分光，所用的二维纳米GeSe片在红外波段感光性强，提高了光谱传感器灵敏度，此外该材料构成的传感器靶面与读出电路匹配，器件的集成度高。
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公开(公告)号：CN112436070A
公开(公告)日：2021-03-02
申请号：CN202011381986.3
申请日：2020-12-01
Applicant: 南京信息工程大学
IPC: H01L31/113 , H01L31/0352 , H01L31/18
Abstract: 本发明公开了一种量子点异质结日盲紫外探测芯片及其制备方法，该芯片自下至上依次为基底、底栅电极、栅绝缘层、p型半导体层、本征层和n型半导体层，p型半导体层上设置有源电极，n型半导体层上设置有漏电极，p型半导体层、本征层和n型半导体层构成p‑i‑n异质结场效应沟道，该芯片的制备方法包括以下步骤：(1)在基底制备底栅电极；(2)制备栅绝缘层；(3)制备p型半导体层；(4)制备源电极；(5)制备宽禁带半导体量子点本征层；(6)制备n型半导体层；(7)制备漏电极。该芯片能够在提高内量子效率同时降低暗电流，加速分离光生电子和空穴，使光生电子和空穴分别快速转移到n区和p区，继而分别到达源电极和漏电极，提高其响应度。
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公开(公告)号：CN112018199A
公开(公告)日：2020-12-01
申请号：CN201910461768.1
申请日：2019-05-30
Applicant: 南京信息工程大学
IPC: H01L31/0304 , H01L31/0352 , H01L31/102 , H01L31/18
Abstract: 本发明涉及一种高质量非极性AlGaN微纳复合结构，包括基底、柱状固体介质阵列结构和孔状非极性AlxGa1-xN层。本发明可显著降低非极性AlGaN面内应力，从而达到大幅度减弱非极性AlGaN产生位错的根源，实现非极性AlGaN位错密度的有效降低和晶体质量的有效提高。还可以适应非极性AlGaN在不同Al组分条件下应力各向异性的变化，最大限度上解决非极性AlGaN因存在的面内应力各向异性导致的问题。使用该复合结构可进一步生长高质量的非极性AlGaN基薄膜，广泛应用于非极性AlGaN基紫外、深紫外发光器件以及紫外、日盲探测器件的制备，并可显著提高制备器件的性能、稳定性及寿命。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108195494A
公开(公告)日：2018-06-22
申请号：CN201810204154.0
申请日：2018-03-13
Applicant: 南京信息工程大学
Abstract: 本发明公开了一种基于狭缝表面等离激元效应的光学压力传感器及压力检测方法，所述光学压力传感器主要构成为：刻蚀有脊形波导阵列的基底，在其表面溅射一层金属膜，外部加上套筒保护器件内部结构。基底上的一维或二维金属阵列之间的间隙(gap)在特定频率光子激发下形成Gap-SPP。压力使基底发生形变，进而使阵列之间gap的大小改变，进而引起SPP波长的改变，将压力信号转为光学信号来检测。本发明基于SPP共振模式的变化来检测压力的变化。对比基于法泊腔压力传感器，本发明对光纤距离敏感膜的距离不敏感，因此可以减少温度的影响，同时易于加工制造。
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公开(公告)号：CN107267142A
公开(公告)日：2017-10-20
申请号：CN201710543758.3
申请日：2017-07-05
Applicant: 南京信息工程大学
Abstract: 本发明提供了一种具有高紫外摩尔吸光系数的硫化锌量子点及其制备方法。其制备步骤如下：将70℃的乙酸锌乙醇溶液与0℃的硫代乙酰胺乙醇溶液混合，在60℃恒定温度强力搅拌下，通过控制生长时间调整ZnS量子点的尺寸。提纯过程，加入正庚烷，离心析出。再次加入正庚烷/乙醇混合溶液(体积比例4:1)，溶解后再次离心，干燥得到产物，可悬浮于乙醇中以用于喷涂、印刷工艺。与现有技术相比，其显著优点是：本发明所制备ZnS量子点具有较高的摩尔吸光系数，制备工艺非常的简单。所制备的ZnS量子点，直径在2nm附近。禁带宽度可达4.23eV，可用于日盲紫外光电探测。
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公开(公告)号：CN117907277B
公开(公告)日：2024-05-28
申请号：CN202410256890.6
申请日：2024-03-07
Applicant: 南京信息工程大学
IPC: G01N21/39 , G01N21/21 , G06F18/241 , G06F17/15
Abstract: 本发明公开了一种基于深度学习的偏振增强型气体识别探测方法、装置，该方法包括获取超连续谱激光信号，并通过准直分光耦合出两路信号；对光谱信号进行气体的吸收处理，得到气体吸收后的光谱信号，将其与标准的光源光谱对照信号作对比，获得气体吸收特征光谱；利用超连续谱激光信号深度学习模块对光谱谐波信号图谱进行训练，并结合电控偏振片和锗基二维光谱探测器完成信号重构，利用偏振增强的气体光谱指纹信号的智能识别终端绘制气体吸收的光谱信号图谱，完成气体成分和浓度的识别。本发明提高了多气体识别精度，气体浓度识别的下限能够达到ppb级别。
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公开(公告)号：CN114487190B
公开(公告)日：2023-10-03
申请号：CN202210089718.7
申请日：2022-01-25
Applicant: 南京信息工程大学 , 苏州捷准智能科技研发有限公司
Abstract: 本公开属于医疗器械领域，公开一种基于光PID传感器的医用人体呼出VOC气体检测装置，包括吹气口、干燥管、光PID传感器、主控制器、显示器，待检测的混合VOC气体经过吹气口进入至干燥管，干燥后的混合VOC气体通过至光PID传感器进行检测VOC气体的粗含量和成分，粗含量和成分的检测数据进行传输至主控制器，主控制器传输至显示器上，显示器进行显示检测的混合VOC气体内的分子及其含量。本公开能够准确地提高测量人呼出气体中VOC成分的含量。
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公开(公告)号：CN108195494B
公开(公告)日：2023-08-22
申请号：CN201810204154.0
申请日：2018-03-13
Applicant: 南京信息工程大学
Abstract: 本发明公开了一种基于狭缝表面等离激元效应的光学压力传感器及压力检测方法，所述光学压力传感器主要构成为：刻蚀有脊形波导阵列的基底，在其表面溅射一层金属膜，外部加上套筒保护器件内部结构。基底上的一维或二维金属阵列之间的间隙(gap)在特定频率光子激发下形成Gap‑SPP。压力使基底发生形变，进而使阵列之间gap的大小改变，进而引起SPP波长的改变，将压力信号转为光学信号来检测。本发明基于SPP共振模式的变化来检测压力的变化。对比基于法泊腔压力传感器，本发明对光纤距离敏感膜的距离不敏感，因此可以减少温度的影响，同时易于加工制造。
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