公开(公告)号：CN104362108A

公开(公告)日：2015-02-18

申请号：CN201410492234.2

申请日：2014-09-23

申请人： 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司

发明人： 丹尼尔·吉多蒂 ,  薛海韵 ,  张文奇

IPC分类号： H01L21/66

CPC分类号： H01L22/30

摘要： 本发明实施例提供一种光电测试装置。该装置包括：支撑结构、样品承载台、光学显微镜和光电探头，其中，所述光学显微镜的数量为至少两个，与所述支撑结构连接，用于同时观测待测试样品表面的至少两点；所述光电探头的数量为至少两个，与所述支撑结构连接，用于同时对待测试样品表面的至少两点进行测试。本发明实施例提供的光电测试装置，通过至少两个光学显微镜同时观测待测试样品表面的至少两点，并通过至少两个光电探头同时对观测到的点进行测试，能够得到待测试样品表面的多个测试点对应的器件的光学性能和/或电学性能，由于对待测试样品表面的多个测试点同时进行观测并测试，因此能够提高测试效率。

公开(公告)号：CN103956334A

公开(公告)日：2014-07-30

申请号：CN201410191832.6

申请日：2014-05-07

申请人： 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司

发明人： 李恒甫 ,  张文奇

IPC分类号： H01L21/768 ,  H01L21/28 ,  H01L21/3105

CPC分类号： H01L21/7684 ,  H01L21/0276 ,  H01L21/76841 ,  H01L21/76879

摘要： 本发明公开了一种集成电路中RDL和TSV金属层一次成型方法，包括：TSV的光刻和蚀刻；TSV光刻胶的去除和清洗；TSV绝缘层氧化物沉积；TSVBARC填充及刻蚀；RDL光刻和蚀刻；RDL光刻胶的去除和清洗；扩散阻挡层和种子层的沉积；金属导电物的填充以及表面平坦化处理的步骤。本发明能够同时实现TSV和第一层线转移层RDL制作过程中扩散阻挡层、种子层、金属填充物的同步完成以及一次性平坦化处理，不仅提高了材料的利用率，降低了生产成本，还提高了生产效率。

公开(公告)号：CN103915357A

公开(公告)日：2014-07-09

申请号：CN201410153971.X

申请日：2014-04-16

申请人： 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司

发明人： 张文奇

IPC分类号： H01L21/60

CPC分类号： H01L2224/1147 ,  H01L2224/13 ,  H01L2924/01322 ,  H01L24/13 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012

摘要： 本发明公开了一种超细间距微凸点的制备方法，属于基于传统的大马士革工艺的改进型技术。首先在晶圆上沉积一层电解质层，刻蚀出贯穿所述电解质层的孔，然后在晶圆表面和孔内沉积金属种子层，在晶圆表面和孔内填充UBM金属和低熔点金属，对晶圆表面的金属进行CMP，将孔之外的金属去除，孔内金属表面特别是中心区域即锡的区域水平无凹陷。相邻孔内填充的金属被电解质材料隔离，对孔内金属的头部周围的电解质材料进行刻蚀，使得金属的头部端面高于周围的电解质面，形成低熔点金属被UBM金属包裹的微凸点结构。该方法避免了凸点钻蚀，可以将凸点的间距缩小到几个微米级，甚至数百纳米级，且可以避免传统凸点中锡球与相邻焊盘发生短路的现象。

公开(公告)号：CN103811416A

公开(公告)日：2014-05-21

申请号：CN201410068687.2

申请日：2014-02-27

申请人： 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司

发明人： 勇振中 ,  张文奇

IPC分类号： H01L21/768

CPC分类号： H01L21/76819

摘要： 本发明涉及一种工艺方法，尤其是一种硅通孔侧壁的平坦化方法，属于硅通孔加工的技术领域。按照本发明提供的技术方案，一种硅通孔侧壁的平坦化方法，所述侧壁平坦化方法包括如下步骤：a.提供基板，并对所述基板进行刻蚀，以在所述基板内得到深孔；b.对所述基板进行氧等离子体环境下的氧等离子体氧化或氧等离子体阳极氧化，以在所述深孔的侧壁上形成氧化绝缘层；所述氧等离子体氧化过程中基板的温度为200℃～600℃；c.利用等离子体刻蚀去除上述深孔侧壁的氧化绝缘层；d.重复上述步骤b及步骤c，直至深孔侧壁达到所需的光滑度。本发明工艺步骤简单，能对TSV的侧壁进行有效平坦化，便于TSV内加工的可靠性，适应范围广，安全可靠。

公开(公告)号：CN103787268A

公开(公告)日：2014-05-14

申请号：CN201410028300.0

申请日：2014-01-21

申请人： 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司

发明人： 张文奇 ,  薛海韵

IPC分类号： B81C1/00 ,  B81B7/00

摘要： 本发明公开了一种高速宽带硅光转接板的制造方法及硅基光互连器件，其通过第一和第二RDL把光子器件和TSV沟通；通过第一、第二凸点将第一电子器件和第二电子器件和光子器件连接；通过TSV和背面第三RDL、第三凸点和基板连接，实现基板和正面CMOS/光子器件的沟通；本发明将先进的CMOS芯片和单片多种硅光器件的混合集成；本发明同时保证了高性能硅光器件在SOI衬底的单片集成和CMOS芯片的先进制造，允许二者都是用各种最先进和方便的工艺进行制造，充分借用CMOS工艺进而能大幅降低成本；本发明将单片集成的硅光子器件和先进COMS芯片通过TSV技术完成超短距离高速电学互连，实现高速宽带硅光互连。

公开(公告)号：CN103787264A

公开(公告)日：2014-05-14

申请号：CN201410027454.8

申请日：2014-01-21

申请人： 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司

发明人： 薛海韵 ,  张文奇

IPC分类号： B81B7/00 ,  B81C1/00

摘要： 本发明公开了一种应用于高速宽带光互连的硅通孔器件的制造方法及硅基光互连器件，本发明采用的是先刻蚀出宽环以填充绝缘材料，然后刻蚀被绝缘环包围的硅形成TSV深孔，最后在TSV深孔内填充金属和正面光子器件的电极形成互连。且宽环的形成增加了绝缘层的厚度，同时有利于绝缘材料的填充，这样大大地降低TSV寄生电容，有利于高速宽带信号传输；同时，TSV在绝缘材料填充后形成，避免了传统工艺中需要在TSV金属化时先选择性的刻蚀掉TSV底部的绝缘材料及由此带来的许多工艺难题，更有利于从背面连接到Wafer正面光子器件的电极。本发明采用背面集成CMOS器件，正面集成Si光子器件，可以给光子部分单片集成设计提供更大的自由度、也保证未来光源耦合方式可以有更多的选择。

公开(公告)号：CN103474366A

公开(公告)日：2013-12-25

申请号：CN201310419725.X

申请日：2013-09-13

申请人： 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司

发明人： 宋崇申 ,  张文奇

IPC分类号： H01L21/60 ,  H01L21/603 ,  H01L21/304

摘要： 本发明提供了一种混合键合实现方法，包括如下步骤：（1）在衬底表面制作金属凸块；（2）在衬底表面涂覆介质层，覆盖所述金属凸块；（3）采用机械刮平的方式，处理衬底表面，使衬底表面金属凸块和介质层表面在一个平面上；（4）使采用以上方法制作的两层衬底相对，使两层衬底表面金属凸块和介质层对准，并通过施加压力和温度条件实现两层衬底的键合。本发明的优点是：采用机械刮平的方式处理衬底表面，获得混合键合结构，整个工艺流程不需要CMP工艺，降低混合键合工艺的难度和成本。

公开(公告)号：CN107346755B

公开(公告)日：2019-10-01

申请号：CN201710512423.5

申请日：2017-06-29

申请人： 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司

发明人： 戴风伟 ,  张文奇

IPC分类号： H01L21/67 ,  H01L21/687 ,  H01L21/02

摘要： 本发明公开了一种晶圆清洗装置，包括：清洗台，所述清洗台包括用于支撑待清洗的晶圆的支撑面、与所述支撑面连通的废液收集腔体，所述废液收集腔体用于收集并容纳清洗废液，所述废液收集腔体具有废液出口，用于将所述废液收集腔内的废液排出；晶圆固定装置，所述晶圆固定装置将待清洗的晶圆固定在所述清洗台的支撑面上，其中所述晶圆固定装置包括载片，所述载片具有多个孔，所述待清洗的晶圆与载片层叠在一起，使得待清洗的晶圆上TSV通孔与载片上的孔连通，形成清洗液的流动通道；清洗液释放装置，所述清洗液喷嘴朝向待清洗的晶圆；以及废液排出装置，用于迫使清洗液从待清洗的晶圆上的TSV通孔内流过。

公开(公告)号：CN106876289B

公开(公告)日：2019-05-21

申请号：CN201710137582.1

申请日：2017-03-09

申请人： 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司

发明人： 李昭强 ,  孙鹏 ,  陈峰 ,  张文奇

IPC分类号： H01L21/56 ,  H01L23/31 ,  H01L23/49 ,  H01L21/60

摘要： 本发明实施例公开了一种芯片的封装方法，该芯片的封装方法包括：提提供一器件晶圆，器件晶圆的正面具有至少一个功能区和围绕功能区的至少一个布线区，布线区设置有多个焊盘；提供与所述至少一个功能区分别对应设置的至少一个盖玻晶片，将盖玻晶片的正面与器件晶圆上的对应功能区键合；切割器件晶圆以形成至少一个芯片。本发明实施例提供的芯片及其封装方法，盖玻晶片与对应的功能区实现了键合，则布线区的焊盘直接裸露在外，由此实现芯片气密性封装的同时利用晶圆级工艺实现晶圆级焊盘引出，无需采用TSV制程，降低了工艺复杂度和封装成本。

公开(公告)号：CN109037080A

公开(公告)日：2018-12-18

申请号：CN201810699163.1

申请日：2018-06-29

申请人： 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司

发明人： 张文奇 ,  陈峰

IPC分类号： H01L21/56 ,  H01L23/31 ,  H01L23/522 ,  H01L23/528

CPC分类号： H01L21/56 ,  H01L23/3114 ,  H01L23/522 ,  H01L23/528

摘要： 本发明公开了一种集成IPD封装结构，包括：第一介电层；第一金属层，设置在所述第一介电层内部和表面；第二介电层，设置在所述第一介电层的第一面上方，且与所述第一金属层相连；第二金属层，设置在所述第二介质层内部和表面，且与所述第一金属层形成电连接；第一芯片焊接结构和第二芯片焊接结构，与所述第二金属层形成电连接；芯片，电连接至对应的所述第一芯片焊接结构；集成无源器件IPD芯片，电连接至对应的所述第二芯片焊接结构；阻挡层，第一面与第一介电层的与第一面相对的第二面相连；第三介电层，覆盖阻挡层的与第一面相对的第二面；第三金属层，与第一金属层形成电连接；以及外接焊球，与第三金属形成电连接。