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公开(公告)号：CN116387349A
公开(公告)日：2023-07-04
申请号：CN202310299355.4
申请日：2023-03-24
Applicant: 华南理工大学
IPC: H01L29/40 , H01L29/778 , H01L21/28 , H01L21/335
Abstract: 本发明公开了一种梳齿状场板的GaN基射频器件及其制备方法。所述器件从下至上包括衬底、过渡层、氮化物缓冲层和GaN沟道层、AlGaN势垒层、钝化层；氮化物缓冲层上表面从一端到另一端顺次设置源极金属电极和漏极金属电极；AlGaN势垒层上表面中部设置栅极金属电极，其余位置覆盖有钝化层；钝化层上设置有梳齿状场板，梳齿状场板朝向漏极金属电极延伸，在靠近漏极金属电极端的梳齿状栅极场板上设置有图形化开口。本发明通过图形化的场板结构，相较于传统的场板结构，其结构优化了沟道电场分布，优化传统场板产生电场的强度大小以及均匀性，可有效改善传统场板技术的GaN基HEMT器件的击穿电压和频率特性。
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公开(公告)号：CN116387246A
公开(公告)日：2023-07-04
申请号：CN202310306201.3
申请日：2023-03-24
Applicant: 华南理工大学
IPC: H01L23/29 , H01L23/31 , H01L29/51 , H01L29/778 , H01L21/335 , H01L21/28 , H01L21/56 , H01L21/02 , C01G53/04
Abstract: 本发明公开了一种p‑GaN增强型MIS‑HEMT器件及其制备方法。所述器件除了采用金属氧化物/SiO2叠层作为表面钝化层来抑制电流崩塌，提升器件击穿特性以外，还通过热氧化沉积的方式生长一层NiOx作为器件的接触钝化层和栅介质。NiOx作为一种天然的P型氧化物，其禁带宽度大(～4.0ev)，将其作为p‑GaN HEMT器件的栅介质，能有效抑制栅极漏电的同时降低栅介质对器件阈值电压漂移的影响，提升器件整体性能。
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公开(公告)号：CN109889266B
公开(公告)日：2022-06-14
申请号：CN201910088926.3
申请日：2019-01-30
Applicant: 华南理工大学
IPC: H04B10/116 , H04B10/516 , H04B17/391 , H04L1/00
Abstract: 本发明公开了一种基于高斯近似的可见光通信信道的极化编码方法，包括：S2，根据初始化设置的信噪比求出信道的初始似然值，利用高斯逼近量化算法求出每个子信道的对数似然比根据每个子信道的对数似然比得到N个子信道的巴氏参数Z(W)，N为设定的极化码的码长；S3，将N个子信道的巴氏参数进行排序，根据码率从排序后的巴氏参数选择出信息位集合和冻结位集合；从而分析出各个子信道的好坏；巴氏参数越小，代表信道的信道容量越大，这样就可以挑选出更优的信道。S4，将信息位集合结合生成矩阵GN；S5，根据生成的矩阵GN将待传输的源信息线性映射为编码序列完成可见光通信信道下极化码的编码。
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公开(公告)号：CN106784221A
公开(公告)日：2017-05-31
申请号：CN201611209700.7
申请日：2016-12-23
Applicant: 华南理工大学
CPC classification number: B82Y40/00 , H01L33/0075 , H01L33/06 , H01L33/20
Abstract: 本发明公开了一种基于表面等离子体效应的宽带高效GaN基LED芯片及其制备方法。该宽带高效GaN基LED芯片为倒装结构，由下至上依次包括衬底、缓冲层、非故意掺杂GaN层、n‑GaN层、量子阱层、电子阻挡层、p‑GaN层、金属反射镜层、钝化层、p‑电极层、n‑电极层、p‑电极孔和n‑电极孔；所述金属反射镜层的底面连接p‑GaN层的表面处具有微米‑纳米复合金属结构。微米金属结构包含交替出现的凸起部分和凹槽部分；凸起部分延伸至量子阱附近，实现高效SP‑MQW耦合；凹槽部分覆盖在p‑GaN表面，使p‑GaN层具有足够的厚度注入空穴；纳米金属结构分布在微米金属结构与p‑GaN的分界面上。
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公开(公告)号：CN103904183B
公开(公告)日：2017-01-18
申请号：CN201410121785.8
申请日：2014-03-28
Applicant: 华南理工大学
Abstract: 本发明公开一种ITO粗化的GaN基LED芯片及其制备方法，包括如下步骤：在GaN基LED外延片表面沉积ITO作为透明导电层；再置入稀盐酸溶液进行无掩模的湿法腐蚀；用去离子水清洗后烘烤；再在表面涂覆一层增粘剂；再涂覆一层正性或负性光刻胶，在热板上烘烤后，使用具有微米尺寸结构的光刻掩模版进行普通紫外曝光，并再次在热板上烘烤；将基片置入显影液中显影；用去离子水清洗后放入烤箱烘烤；再置入稀盐酸溶液进行有掩模的湿法腐蚀；去除光刻胶后高温退火。本发明在LED芯片的ITO透明导电层同时制备纳米尺寸和微米尺寸的微结构，具有更高的光输出功率。本发明适用于LED生产线批量生产、无需增加额外设备且低成本。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102901043B
公开(公告)日：2015-06-03
申请号：CN201210237619.5
申请日：2012-07-10
Applicant: 华南理工大学
IPC: F21V5/04 , F21Y101/02 , F21W101/027 , F21W101/10
Abstract: 本发明公开了用于LED摩托车近光灯的自由曲面光学透镜，所述透镜的内侧是一具有空腔，使用时LED从该开口端进入并安装于该空腔内；透镜包括入射面及出射面，透镜的内侧为所述入射面，入射面由所述空腔顶部的自由曲面和腔壁的柱面构成；而透镜外侧的顶部平面即为所述出射面，透镜外侧的侧面为外围自由曲面；所述透镜分为上、下两部分，透镜上部分主要用于将LED光源射向水平面以上的光照向水平面以下的照明面上；透镜下部分则主要用于将LED光源向水平面以下扩散的光会聚到水平面以下的照明面上。本发明结构简单，体积小，不需要其它的辅助装置进行配光，提高了光能利用率，眩光效应低，达到GB5948-1998的配光要求。
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公开(公告)号：CN103268882A
公开(公告)日：2013-08-28
申请号：CN201310211074.5
申请日：2013-05-30
Applicant: 华南理工大学
Abstract: 本发明属于半导体发光器件制造领域，具体涉及一种具有微结构增透膜的高压LED芯片，其结构包括蓝宝石衬底、缓冲层、N型层、量子阱层、P型层、P型层上的电极、N型层上的电极、连接桥、ITO层以及覆盖在ITO层上的带有圆柱状微结构的增透膜。本发明能有效减少LED出光时的反射损耗，同时通过微结构减少由芯片到空气中的光线全反射。同时增透膜本身能抑制芯片本身潮气和杂质的扩散，起到最终的保护作用。
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公开(公告)号：CN103236475A
公开(公告)日：2013-08-07
申请号：CN201310131166.2
申请日：2013-04-16
Applicant: 华南理工大学
Abstract: 本发明针对具有深沟槽隔离的多个发光单元的大尺寸LED芯片，提出深沟槽隔离的LED发光单元的电极桥接方法，包括如下步骤：沉积第一层钝化层；旋涂液态绝缘材料，填满发光单元之间的隔离沟槽，并在芯片表面形成平整薄膜；液态绝缘材料高温固化；刻蚀绝缘材料薄膜，使得发光单元表面的钝化层暴露，而隔离沟槽处绝缘材料的表面与钝化层的表面齐平；沉积第二层钝化层，将隔离沟槽处的绝缘材料封闭在钝化层内部；刻蚀钝化层，制备电极槽；沉积金属，并采用剥离技术，制备电极，同时在钝化层上表面制备电极连接桥。本发明提高了电极桥接的良率，适用于横截面为矩形、正梯形或倒梯形的发光单元结构，特别适用于高深宽比的隔离沟槽。
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公开(公告)号：CN102778730A
公开(公告)日：2012-11-14
申请号：CN201210224281.X
申请日：2012-07-02
Applicant: 华南理工大学
Abstract: 本发明提供基于多模干涉器反射镜的反射式阵列波导光栅，包括输入波导、耦合器、阵列波导、反射镜和输出波导，输入波导和输出波导位于耦合器的同一侧，阵列波导位于耦合器的另一侧；所述阵列波导由多根纳米线波导组成，每一根纳米线波导的一端与耦合器相连，另一端与一个反射镜相连；反射镜是由多模干涉器和环型波导构成的平面波导结构。本发明的反射式阵列波导光栅完全基于平面光波导工艺，而且宽度最窄的波导是单模波导，制作精度的要求与普通纳米线阵列波导光栅的要求完全一致。采用基于多模干涉器的反射镜，反射镜对波长和制备工艺的误差不敏感。阵列波导的结构设计灵活，可根据需要任意布局。
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公开(公告)号：CN108807621B
公开(公告)日：2024-11-01
申请号：CN201810717722.7
申请日：2018-06-29
Applicant: 华南理工大学
Abstract: 本发明提供了照明通信共用的二维光子晶体LED倒装芯片及其制备方法，制备方法包括提供透明衬底的外延片、在所述透明衬底的外延片上制备空气孔光子晶体结构、在所述空气孔光子晶体结构中填充SOG绝缘介质、用填充好绝缘介质的外延片进行普通倒装芯片制备工艺，形成二维光子晶体LED倒装芯片。本发明的照明通信共用的二维光子晶体LED倒装芯片的制备方法可以有效的提高LED芯片的调制带宽和出光效率，同时有效避免外延片带来的质量问题，而照明通信共用的二维光子晶体LED倒装芯片具有散热效果好、出光效率高的优点。
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