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公开(公告)号：CN109406961B
公开(公告)日：2019-12-17
申请号：CN201811255092.2
申请日：2018-10-26
Applicant: 华北电力大学
Abstract: 本发明公开一种电力电子器件绝缘试验装置，所述电力电子器件包括单芯片、子模组和集成模块，所述试验装置包括：腔体密封外壳、控制器底座和内部夹具；所述腔体密封外壳为所述电力电子器件提供一个密封的工作环境；所述内部夹具夹置所述电力电子器件，所述内部夹具设置在所述腔体密封外壳内部，所述内部夹具用于为所述电力电子器件提供电压、温度、压力；所述控制器底座分别与所述腔体密封外壳和所述内部夹具连接，所述控制器底座用于控制所述腔体密封外壳内的工作环境和所述内部夹具为所述电力电子器件提供的电压、温度、压力。能够测量在高温高压的工作环境下的电力电子器件的光信号、电信号。
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公开(公告)号：CN109459621A
公开(公告)日：2019-03-12
申请号：CN201811314173.5
申请日：2018-11-06
Applicant: 华北电力大学
Abstract: 本发明公开一种悬浮电位的远程在线测量系统，该系统包括电位测量仪，用于测量电场中待测导体的悬浮电位；屏蔽罩，设置于所述电位测量仪的电位测量探头的上方，用于屏蔽外界电场以及空间电荷；电位引入组件，与所述待测导体连接，将所述待测导体的悬浮电位引入屏蔽罩内，以使所述电位测量仪对所述待测导体的悬浮电位进行远程在线测量。因此，通过实施本发明的悬浮电位的远程在线测量系统，采用设计的屏蔽罩进行非接触式测量，避免HVDC线路及空间电荷对测量的影响，进而可以在空间存在空间电荷、且不移除原有电场的情况下，对电场中悬浮导体电位进行精准测。
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公开(公告)号：CN119028965B
公开(公告)日：2025-03-25
申请号：CN202411519127.4
申请日：2024-10-29
IPC: H01L25/18 , H01L23/31 , H01L23/367
Abstract: 本发明提供了一种半导体封装结构，其中，半导体封装结构包括：封装壳，包括基板；第一芯片模块，与基板连接，第一芯片模块包括多个第一半导体芯片，多个所述第一半导体芯片并联连接；第二芯片模块，与基板连接，第二芯片模块与第一芯片模块串联连接；第一功率端子，与第一芯片模块导电连接；第二功率端子，与第二芯片模块导电连接。本申请的技术方案能够有效地解决相关技术中的功率半导体器件难以兼顾高电压等级和成本的问题。
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公开(公告)号：CN118943094B
公开(公告)日：2025-03-25
申请号：CN202411438305.0
申请日：2024-10-15
IPC: H01L23/367 , H01L23/373 , H01L23/49
Abstract: 本发明提供了一种半导体封装结构，包括：壳体，包括基板；第一半导体芯片，与基板连接；第一金属连接部，连接在基板和第一半导体芯片之间并与第一半导体芯片的第一极电连接；第二金属连接部，与第一金属连接部间隔设置，第二金属连接部与基板连接并与第一半导体芯片的第二极电连接；第一端子，与第一金属连接部电连接；第二端子，与第二金属连接部电连接；第一绝缘凸块，设置在基板上并设置在第一金属连接部和第二金属连接部之间。本申请的技术方案能够有效地解决相关技术中的半导体芯片散热效果不佳的问题。
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公开(公告)号：CN119050110B
公开(公告)日：2025-03-18
申请号：CN202411540451.4
申请日：2024-10-31
IPC: H01L25/18 , H01L23/367 , H01L23/498
Abstract: 本发明提供了一种功率器件，包括：功率单元、第一功率端子以及第二功率端子；功率单元包括：底板上具有沿第一预设方向间隔设置第一导电层和第二导电层，第一导电层与第二导电层导电连接；芯片设置在第一导电层上，芯片的第一侧与第一导电层连接，芯片的第二侧与第三导电层连接；绝缘层设置在第一导电层上；控制部与芯片连接，控制部设置在绝缘层远离第一导电层的表面上，芯片和第二导电层位于控制部的两侧；第一二极管设置在第二导电层上。本申请的技术方案有效地解决了相关技术中的功率器件散热效果差的问题。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118969818A
公开(公告)日：2024-11-15
申请号：CN202411080728.X
申请日：2024-08-08
Applicant: 国网智能电网研究院有限公司 , 华北电力大学
IPC: H01L29/06 , H01L29/861
Abstract: 本发明公开了一种场效应晶体管终端结构和二极管器件，涉及半导体技术领域，场效应晶体管终端结构包括设置于二极管器件漂移区上部的主结、场限环和沟槽结构，场限环为多个，主结设置于漂移区靠近二极管器件的有源器件的一端，沟槽结构设置于漂移区远离有源器件的一端，所有场限环均设置于主结与沟槽结构之间，沟槽结构内填充有绝缘介质。二极管器件包括相互连接的有源器件和场效应晶体管终端结构。本发明能够提高场效应晶体管终端结构的电场均匀性，进而能够提高二极管器件的耐压能力，且能够为二极管器件的绝缘设计提供较好的指导意义。
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公开(公告)号：CN118943094A
公开(公告)日：2024-11-12
申请号：CN202411438305.0
申请日：2024-10-15
IPC: H01L23/367 , H01L23/373 , H01L23/49
Abstract: 本发明提供了一种半导体封装结构，包括：壳体，包括基板；第一半导体芯片，与基板连接；第一金属连接部，连接在基板和第一半导体芯片之间并与第一半导体芯片的第一极电连接；第二金属连接部，与第一金属连接部间隔设置，第二金属连接部与基板连接并与第一半导体芯片的第二极电连接；第一端子，与第一金属连接部电连接；第二端子，与第二金属连接部电连接；第一绝缘凸块，设置在基板上并设置在第一金属连接部和第二金属连接部之间。本申请的技术方案能够有效地解决相关技术中的半导体芯片散热效果不佳的问题。
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公开(公告)号：CN117491768A
公开(公告)日：2024-02-02
申请号：CN202311392555.0
申请日：2023-10-25
Applicant: 中国电力科学研究院有限公司 , 华北电力大学(保定) , 国网安徽省电力有限公司 , 国家电网有限公司
Abstract: 本发明公开了一种基于多能互补型能源路由器的电磁兼容测试平台，能源路由器测试技术领域，包括：电磁屏蔽室，以及设置在电磁屏蔽室内的用于检测多能互补型能源路由器的电磁兼容的测试系统；测试系统由频谱分析仪、人工电源网络、电能质量分析仪、信号发生器、矢量网络分析仪、测试模块和数据分析模块组成，其中，测试模块通过测试软件对频谱分析仪、人工电源网络、电能质量分析仪、信号发生器、矢量网络分析仪进行控制；本发明通过集成多种测试仪器和设备、采用合理的电磁兼容测试技术、合理的结构设计、采用先进的测试软件和数据分析模块等多种技术手段，实现了对多能互补型能源路由器的全面评估和优化设计，提高了设备的电磁兼容性能和稳定性。
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公开(公告)号：CN113092863B
公开(公告)日：2023-02-10
申请号：CN202110391454.6
申请日：2021-04-09
Applicant: 全球能源互联网研究院有限公司 , 华北电力大学
IPC: G01R27/02
Abstract: 本发明公开了一种测算功率器件栅极内阻的方法、装置及存储介质，方法包括：构建双脉冲测试电路；根据驱动电源的驱动电压值、驱动外电阻的第一预设电阻值、待测功率器件的第一电极间电容值、第一电极间电容电压的第一变化率建立关于栅极内阻的第一计算关系式；改变驱动外电阻为第二预设电阻值，根据驱动电源的驱动电压值、第二预设电阻值、待测功率器件的第一电极间电容值、第一电极间电容电压的第二变化率建立关于待测功率器件第一端电压和栅极内阻的第二计算关系式；根据第一计算关系式和第二计算关系式计算得到栅极内阻的电阻值。通过实施本发明，采用简单的测试方法和常用的测试仪器即可计算得到功率器件的栅极内阻，具有较高的实用价值。
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公开(公告)号：CN114152831B
公开(公告)日：2023-01-06
申请号：CN202111483879.6
申请日：2021-12-07
Applicant: 华北电力大学 , 全球能源互联网研究院有限公司
IPC: G01R31/00
Abstract: 本发明涉及一种用于压接型功率器件的测试设备，所述测试设备包括：热压机构、热压传感器组件、传动机构和控制机构。本发明通过设置热压机构、热压传感器组件、传动机构和控制机构，实现了待测试模块的自动传送、压力和温度的自动调节，提高了压接型功率器件测试设备的自动化程度。
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