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公开(公告)号：CN101923901B
公开(公告)日：2013-01-09
申请号：CN201010172859.2
申请日：2010-05-13
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G11C16/10
Abstract: 本发明公开了一种相变存储器编程驱动系统及驱动方法，该系统包括逻辑控制电路，以及分别与逻辑控制电路相连的编程脉冲上升沿控制器、编程脉冲保持时间控制器、编程脉冲下降沿控制器、编程脉冲发生电路；所述逻辑控制电路用以控制编程过程中编程脉冲电流的上升沿阶段、保持阶段、下降沿阶段的切换；所述编程脉冲上升沿控制器用以控制编程脉冲电流的上升沿级数以及时间；所述编程脉冲保持时间控制器用以控制编程脉冲电流保持稳定值的时间长度；所述编程脉冲下降沿控制器用以控制编程脉冲电流下降沿级数以及时间；所述编程脉冲发生电路用以生成编程脉冲电流。本发明可以对编程脉冲电流的上升时间，保持时间，以及下降时间进行独立的调整。
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公开(公告)号：CN101777388B
公开(公告)日：2012-08-08
申请号：CN201010022600.X
申请日：2010-01-08
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明公开了一种获得相变存储器相变电阻晶化率的方法，该方法为利用不同的电压对相变存储器进行Reset操作，然后进行Set操作，测得Reset操作的电压-电阻曲线，Set操作的电压-电流曲线，和Set态的电流-电压曲线，并根据相变存储器的电阻-电压-电流关系方程最终获得晶化率的值。本发明在相变电阻被电流或电压加热发生相变时，其相变区电阻晶化率进行计算，并通过对相变区电阻晶化率的计算确定加热电流或电压与加热时间的关系；本发明还可以为相变过程中阻值的变化提供理论指导，同时为多值存储的研究提供了一种解决方案。
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公开(公告)号：CN101950190A
公开(公告)日：2011-01-19
申请号：CN201010225702.1
申请日：2010-07-13
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G05F1/10
Abstract: 本发明提供一种用于升压电路中的N阱电位控制电路，其包括：采用MOS管和电流源构成且用于比较升压电路接入的输入电源Vin和输出的电压Vout的比较电路；分别接入输入电源Vin和电压Vout且输出互连以便与升压电路中的N阱连接的输入电源选择管和输出电压选择管；连接在所述比较电路输出端以便在输入电源选择管导通时能向所述输出电压选择管提供不低于Vout的关断信号的第一控制电路；以及与所述比较电路输出端及升压电路的输出端以便在输出电压选择管导通时能向所述输入电源选择管提供不低于Vin的关断信号的第二控制电路，由此可在输入电源电压低于升压电路的输出电压时，完全关闭输入电源选择管，进而有效降低功耗，增加电路的稳定性，并减小芯片面积。
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公开(公告)号：CN101923901A
公开(公告)日：2010-12-22
申请号：CN201010172859.2
申请日：2010-05-13
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G11C16/10
Abstract: 本发明公开了一种相变存储器编程驱动系统及驱动方法，该系统包括逻辑控制电路，以及分别与逻辑控制电路相连的编程脉冲上升沿控制器、编程脉冲保持时间控制器、编程脉冲下降沿控制器、编程脉冲发生电路；所述逻辑控制电路用以控制编程过程中编程脉冲电流的上升沿阶段、保持阶段、下降沿阶段的切换；所述编程脉冲上升沿控制器用以控制编程脉冲电流的上升沿级数以及时间；所述编程脉冲保持时间控制器用以控制编程脉冲电流保持稳定值的时间长度；所述编程脉冲下降沿控制器用以控制编程脉冲电流下降沿级数以及时间；所述编程脉冲发生电路用以生成编程脉冲电流。本发明可以对编程脉冲电流的上升时间，保持时间，以及下降时间进行独立的调整。
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公开(公告)号：CN101770807A
公开(公告)日：2010-07-07
申请号：CN200910247484.9
申请日：2009-12-29
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
CPC classification number: G11C13/0004 , G11C13/0069 , G11C2013/0083
Abstract: 本发明揭示了一种相变存储器的写优化电路及其写优化方法，写优化电路包括写优化控制电路、脉冲控制电路、可变电流源电路、数据读出电路、修调电路、振荡器电路、相变存储器电路；在存储器上电初始化阶段，存储器的译码控制电路选择一个存储器块，对其中一个存储单元在脉冲控制电路和修调电路的控制下，控制可变电流源电路进行写Reset操作，操作结果由数据读出电路读出；数据读出电路的读出结果一方面控制写优化控制电路的状态，控制脉冲控制电路是否还要发写脉冲；另一方面控制修调电路是否要对电流源进行修调，修调后该存储器块的写Reset电流则固定下来。本发明通过可变电流源电路调节存储器的电流，优化写Reset电流，在很大程度上减小系统的功耗。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101661992A
公开(公告)日：2010-03-03
申请号：CN200810042218.8
申请日：2008-08-29
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种相变存储单元器件结构。其特点在于：1.相变存储单元下方有一个面积较小的加热电极和一个或多个面积较大的引流电极；2.可逆相变区域被严格控制在较小的电极周围；3.可逆相变区域外的相变材料处于结晶与稳定状态，呈现稳定和较高的电导率；4.整个相变存储单元的相变材料除电极外被高密度的SiO 2 等介质材料包覆。优势在于：减小相变存储单元的热扩散，提高加热效率，降低操作电流，减小功耗；防止原子扩散，保证相变材料成分稳定；提高可逆相变区域材料的成核生长速率，提高存储速度，提高其与小电极接触的有效性与可重复性；解决相变材料与顶层金属粘附性差的问题；简化工艺步骤，提高工艺的可集成性。
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公开(公告)号：CN101552603A
公开(公告)日：2009-10-07
申请号：CN200910050914.8
申请日：2009-05-08
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H03K19/0175 , G11C11/4063 , G11C11/413 , G11C13/00 , G11C16/06
Abstract: 一种相变存储单元的读写驱动电路，其包括：用于提供待读写的相变存储单元所需电流的电流源电路；用于将电流源电路所提供的电流转换为多路镜像电流的镜像电路；与多个脉冲信号输入端相连接且用于根据待读写的相变存储单元当前所要进行的操作选择相应输入的脉冲信号的脉冲选择电路；用于根据所选择的脉冲信号选取所述镜像电路输出的一路镜像电流，并将其输出至待读写的相变存储单元的电流控制电路；与写信号输入端相连接且用于监视写入的数据是否正确的写监视电路；用于根据待读写的相变存储单元的电流确定所述待读写的相变存储单元的电压降，进而确定所述待读写的相变存储单元所存储的数据的读数据电路，由此实现对相变存储单元的读写驱动。
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公开(公告)号：CN101329909A
公开(公告)日：2008-12-24
申请号：CN200810040952.0
申请日：2008-07-24
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种提高相变存储器编程速度的系统及方法，对存储单元进行编程操作的同时，对上一个或多个已经过编程操作的单元进行读反馈。如果读反馈结果与上一个或多个写入数据相同则进行下一个存储单元的编程操作；如果不相同则在本存储单元完成编程操作后，对上一或多个存储单元再进行一次编程操作。如此循环往复，将读反馈与编程操作并行进行，在提高存储其编程操作可靠性的同时，不影响整体编程速度。
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公开(公告)号：CN101329907A
公开(公告)日：2008-12-24
申请号：CN200810040950.1
申请日：2008-07-24
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种降低相变存储器编程功耗的系统及方法，在进行当前编程操作的同时，预读下一位或多位待编程的地址位，将其数据与待编程数据相比较：如果待写入数据与存储器原始存入数据相同，则不进行编程操作；如果待写入数据与存储器原始存入数据不同，则进行编程操作。由于存储器的状态处于“0”与“1”两种状态，按照概率理论，待写入数据与存储器原始数据相同的概率为50％，故该方法能够降低存储芯片50％的功耗，提高了存储单元的存储寿命，同时擦、写时间比读的时间要长，因此该发明也可提高芯片的存储速度。
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公开(公告)号：CN1877743A
公开(公告)日：2006-12-13
申请号：CN200610028740.1
申请日：2006-07-07
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及相变存储器器件单元阵列演示系统及可视化演示的方法，其特征在于所述的演示系统由控制计算机、脉冲信号发生器、控制电路板、相变存储器存储阵列芯片及转换连接部件构成，其中所述的电路板是由控制电路、选址电路、切换电路、读出电路、显示电路组成的；整个演示系统得核心为单片机，控制计算机通过自带的RS232接口实现与单片机的通信，接受指令和数据的传递；单片机通过可编程逻辑器件实现对周围各种模块，如发光二极管、液晶显示屏、读出电路、切换电路或选址电路的控制，所述的演示方法包括数据的存储、读出以及简单数据运算的演示，也即对器件单元阵列的数据读/写/擦过程进行可视化的演示。
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