-
公开(公告)号：CN100516318C
公开(公告)日：2009-07-22
申请号：CN200710168946.9
申请日：2007-12-19
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 一种自发成核生长溴化铊单晶方法，具体步骤如下：1)将溴化铊原料装入直径为8-15mm的圆柱形安瓿，抽真空，密封，并将安瓿一端加工成锥角为15-45°的圆锥形；2)将安瓿放入垂直管式炉，安瓿的圆锥端指向炉底部，垂直管式炉加热，使得溴化铊原料尖锥处温度不低于溴化铊熔点，并且从尖锥处向上至溴化铊原料的顶部区域内的温度以1.0-1.5℃/mm的温度梯度增高，再保温；3)管式炉以1-5℃/h的速度缓慢降温到450-460℃；4)安瓿随炉冷却至室温。本发明无须移动加热器和安瓿，省去了复杂的机械传动装置，简化了工艺，降低了成本。安瓿及加热器均固定，温场稳定，晶体及熔融体内部热分布较均匀，较易获得凸形的生长界面，生长出相当尺寸的完整性较好的溴化铊单晶。
-
公开(公告)号：CN1248243C
公开(公告)日：2006-03-29
申请号：CN03128277.6
申请日：2003-07-04
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明公开了一种叠层片式PTC电阻器制备方法，步骤为：①预烧处理；②将聚乙烯醇、溶剂水和聚甲基丙烯酸铵与预烧粉料混合得到浆料，其中，浆料的固体质量分数为60-80%，聚乙烯醇相对于预烧粉料为0.5-2.0wt%，聚甲基丙烯酸铵相对于预烧粉料为0.2-0.6wt%；③将浆料在真空下进行脱气处理，完成后将其浇入石膏模具中，使膜厚在0.4mm以下；④湿坯干燥；⑤烧结成瓷；⑥叠层。本发明首先成功地将注浆成型应用于制备BaTiO3基叠层片式PTC陶瓷。采用本发明方法制备的片式PTC生坯有机物含量低，通常小于5wt%，并且生坯密度高、烧成收缩小，生坯厚度在0.4mm以下，生坯在厚度方向的密度均匀。此外，本发明由于有机物含量极低，有机物的排除和陶瓷制品的烧成可同时进行，使得陶瓷成品率高。
-
公开(公告)号：CN1479325A
公开(公告)日：2004-03-03
申请号：CN03128235.0
申请日：2003-06-26
Applicant: 华中科技大学
IPC: H01C7/02
Abstract: 本发明公开了一种叠层片式PTC热敏电阻器的制备方法，步骤为(1)制备超细BaTiO3基PTC粉末；(2)制备BaTiO3基半导瓷水浆料；(3)采用凝胶注模成型方法制备均匀致密的棒状PTC陶瓷坯体；(4)棒状PTC陶瓷的烧成：将成型的坯体在高温下烧结得到棒状PTC陶瓷；(5)瓷片切割；(6)叠层及电极烧渗。本发明采用“烧成—切割—叠层”的工艺路线，切割所得的瓷片平整度好，避免了片式元件先烧后叠时产生的瓷片平整度问题，以及瓷片与电极的欧姆接触问题，同时也避免了一体共烧时高温下内电极的熔化和氧化，以及电极面积大、易短路、可靠性低的缺点；制得的叠层片式PTC热敏电阻器具有高PTC效应。
-
公开(公告)号：CN1373105A
公开(公告)日：2002-10-09
申请号：CN02115671.9
申请日：2002-04-01
Applicant: 华中科技大学
IPC: C04B35/468 , C04B35/622
Abstract: 一种陶瓷发热体的制备方法,依次包括预热处理:将所有原料按配方计量,混合研磨,再在1100－1200℃预烧;冷却后再将预烧物球磨,得到预烧粉料;浆料制备:将预烧粉料、预混液和消泡剂混合制备浆料,浆料的固含量为45－50vol%;注模成型:其中催化剂为四甲基乙二胺,引发剂为过硫酸铵水溶液;以及湿坯干燥、有机物排除和陶瓷烧成过程。本发明首先成功地将凝胶注模成型工艺应用于BaTiO3基PTC陶瓷发热体的制备,有机聚合物含量低,使得有机物排除和陶瓷制品的烧成同时进行,因而排除周期短,陶瓷成品率高。
-
公开(公告)号：CN102432280B
公开(公告)日：2013-06-19
申请号：CN201110266252.5
申请日：2011-09-08
Applicant: 华中科技大学
IPC: C04B35/453 , C04B35/622
Abstract: 本发明公开了一种低温共烧陶瓷基板材料及其制备方法。该陶瓷基板材料为硼酸锌陶瓷，其主晶相为3ZnO·B2O3。该陶瓷原料配方组成为ZnO和H3BO3，其中H3BO3的摩尔百分比为60～41.176％，或者其原料配方化学组成ZnO和B2O3，其中B2O3的摩尔百分比为42.857～25.926％。该陶瓷基板材料的制备方法为：先预烧合成3ZnO·B2O3粉体，再加入去离子水，球磨，烘干；然后造粒、压片烧结。本发明材料烧结温度低(950～1000℃)，微波介电性能优良：介电常数εr＝6.5～6.9，Q×f＝26400～44600GHz，和谐振频率温度系数＝-66～-94ppm/K，可以满足高频高速电路对基板材料的介电性能要求。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102896007A
公开(公告)日：2013-01-30
申请号：CN201210381369.2
申请日：2012-10-09
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明公开了一种微流控器件及其制备方法；微流控器件包括衬底、涂覆于衬底上的缓冲层、附着于缓冲层上的压电层、光刻于压电层上的电极层、涂覆于电极层上的介质层以及涂覆于介质层上的疏水层；电极层中的电极包括网状电极以及多个均匀排列分布于所述网状电极的四周的叉指换能器；网状电极由互相连接的电极块组成。叉指换能器的电极结构可以是单叉指、双叉指或SPUDT结构。本发明提供的微流控器件集成了声波驱动和EWOD两种驱动方式，可降低液滴驱动电压和声波驱动功率，更有效简化芯片制作工艺，降低制造成本。
-
公开(公告)号：CN102809584A
公开(公告)日：2012-12-05
申请号：CN201210261847.6
申请日：2012-07-26
Applicant: 华中科技大学
IPC: G01N27/00
Abstract: 本发明公开了一种多孔氧化锡膜型室温气敏元件及其制备方法，该方法包括下述步骤：S1配制悬浮液：以丙酮或乙酰丙酮为溶剂将氧化锡纳米粉体配制成悬浮液，在悬浮液中加入碘溶液搅拌后进行超声分散；S2电泳沉积成膜：对超声分散后的悬浮液进行电泳沉积处理获得疏松多孔的纳米晶氧化锡膜；S3热处理：对氧化锡膜进行热处理；S4制作表面电极：在经热处理后的氧化锡膜表面制作电极获得气敏元件。本发明提供的方法利用电泳原理在直流电压下将SnO2纳米粉体均匀沉积在ITO导电玻璃上，形成稳定的疏松多孔的纳米晶SnO2膜；工艺简单、操作方便且重复性好，适合于大规模生产，弥补了常规工艺难以制备疏松多孔膜的不足，可以在室温下实现低浓度气体的检测。
-
公开(公告)号：CN102509601A
公开(公告)日：2012-06-20
申请号：CN201110308260.1
申请日：2011-10-12
Applicant: 华中科技大学
IPC: H01C17/30 , C04B35/468 , C04B35/622 , C04B35/64
Abstract: 本发明公开了一种钛酸钡PTC陶瓷的制备方法，①将下述化合物按摩尔组分比混合：BaCO3 99～101，TiO2 100，Y2O3 0.1～0.5，SiO2 0～0.01；②进行高能超细球磨，获得粒径500nm以下的粉体混合物；③将所得浆料进行烘干、预烧处理，合成均匀微量掺杂的钛酸钡粉体；④将所得粉体配制成流延浆料，流延出生坯膜片；⑤层压并印刷Ni内电极，制作成叠层片式结构；⑥切割成含有内电极的器件；⑦在还原气氛中烧结，然后在空气中进行再氧化，获得所需的叠层片式陶瓷电阻。本发明所制备的半导体陶瓷的瓷体晶粒大小可以达到2.0μm以下，室温电阻率在1～200Ω.cm之间，叠层器件升阻比达103以上。
-
公开(公告)号：CN101750409B
公开(公告)日：2012-05-23
申请号：CN200910273200.3
申请日：2009-12-14
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明公开了一种测量溴化铊材料中杂质含量的方法，其特征在于，该方法包括下述步骤为：第1步以TlBr为原料，配制Tl(III)的母液，母液中含Tl(III)量为1～3mg/mL；第2步以母液1mL计，在1mL母液中加入10mL浓度为3.6～8.1mol/L的HBr和10～35mL的异丙醚，振荡均匀，静置分层后分离出水相；第3步利用电感耦合等离子体质谱仪测量水相中各杂质的含量。本发明方法可使溴化铊材料中的基体元素铊的含量达到ICP-MS的测试要求，检测出材料中的各杂质的含量。
-
公开(公告)号：CN102432280A
公开(公告)日：2012-05-02
申请号：CN201110266252.5
申请日：2011-09-08
Applicant: 华中科技大学
IPC: C04B35/453 , C04B35/622
Abstract: 本发明公开了一种低温共烧陶瓷基板材料及其制备方法。该陶瓷基板材料为硼酸锌陶瓷，其主晶相为3ZnO·B2O3。该陶瓷原料配方组成为ZnO和H3BO3，其中H3BO3的摩尔百分比为60～41.176％，或者其原料配方化学组成ZnO和B2O3，其中B2O3的摩尔百分比为42.857～25.926％。该陶瓷基板材料的制备方法为：先预烧合成3ZnO·B2O3粉体，再加入去离子水，球磨，烘干；然后造粒、压片烧结。本发明材料烧结温度低(950～1000℃)，微波介电性能优良：介电常数εr＝6.5～6.9，Q×f＝26400～44600GHz，和谐振频率温度系数＝-66～-94ppm/K，可以满足高频高速电路对基板材料的介电性能要求。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
73
records
(took 0.03 seconds)
