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公开(公告)号:CN102432280B
公开(公告)日:2013-06-19
申请号:CN201110266252.5
申请日:2011-09-08
Applicant: 华中科技大学
IPC: C04B35/453 , C04B35/622
Abstract: 本发明公开了一种低温共烧陶瓷基板材料及其制备方法。该陶瓷基板材料为硼酸锌陶瓷,其主晶相为3ZnO·B2O3。该陶瓷原料配方组成为ZnO和H3BO3,其中H3BO3的摩尔百分比为60~41.176%,或者其原料配方化学组成ZnO和B2O3,其中B2O3的摩尔百分比为42.857~25.926%。该陶瓷基板材料的制备方法为:先预烧合成3ZnO·B2O3粉体,再加入去离子水,球磨,烘干;然后造粒、压片烧结。本发明材料烧结温度低(950~1000℃),微波介电性能优良:介电常数εr=6.5~6.9,Q×f=26400~44600GHz,和谐振频率温度系数=-66~-94ppm/K,可以满足高频高速电路对基板材料的介电性能要求。
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公开(公告)号:CN102432280A
公开(公告)日:2012-05-02
申请号:CN201110266252.5
申请日:2011-09-08
Applicant: 华中科技大学
IPC: C04B35/453 , C04B35/622
Abstract: 本发明公开了一种低温共烧陶瓷基板材料及其制备方法。该陶瓷基板材料为硼酸锌陶瓷,其主晶相为3ZnO·B2O3。该陶瓷原料配方组成为ZnO和H3BO3,其中H3BO3的摩尔百分比为60~41.176%,或者其原料配方化学组成ZnO和B2O3,其中B2O3的摩尔百分比为42.857~25.926%。该陶瓷基板材料的制备方法为:先预烧合成3ZnO·B2O3粉体,再加入去离子水,球磨,烘干;然后造粒、压片烧结。本发明材料烧结温度低(950~1000℃),微波介电性能优良:介电常数εr=6.5~6.9,Q×f=26400~44600GHz,和谐振频率温度系数=-66~-94ppm/K,可以满足高频高速电路对基板材料的介电性能要求。
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