-
公开(公告)号：CN115091749A
公开(公告)日：2022-09-23
申请号：CN202210625308.X
申请日：2022-06-02
Applicant: 华中科技大学
IPC: B29C64/209 , B29C64/20 , B29C64/295 , B29C64/30 , B29C64/112 , B33Y30/00 , B33Y40/00
Abstract: 本发明属于喷墨打印相关技术领域，其公开了一种超临界气体辅助电喷雾装置及方法，装置包括输气模块、加压模块、输液模块、喷雾模块及控制模块，输气模块、加压模块及输液模块分别连接于喷雾模块；控制模块分别连接于输气模块、加压模块、输液模块及喷雾模块；喷雾模块包括喷头及设置在喷头下方的基板；控制模块包括处理器、及分别连接于处理器的加热器及高压电源；高压电源的正极及负极分别连接于喷头的喷嘴及基板，且基板接地。本发明实现了电流体喷印技术和超临界气体技术的联合应用，降低了功能溶液的黏度，改善了溶液性质，解决了现有的电喷印装置喷印模式单一以及从根本上解决了高粘度聚合物溶液电喷雾工艺性能差等技术问题。
-
公开(公告)号：CN115090437A
公开(公告)日：2022-09-23
申请号：CN202210624791.X
申请日：2022-06-02
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明属于表面加工相关技术领域，其公开了一种超临界流体辅助电喷雾制膜设备及方法，设备包括气瓶、光刻胶溶液存储罐、混合罐、喷头、六自由度机械臂、微处理器、高压电源及基板，高压电源的正极及负极分别连接于喷头及基板；基板位于喷头下方，其用于承载待镀膜工件；气瓶及光刻胶溶液存储罐分别用于存储辅助气体及光刻胶溶液；混合罐的入口分别连接于气瓶及光刻胶溶液存储罐；喷头设置在六自由度机械臂的末端，且其入口连接于混合罐的出口；微处理器分别连接于高压电源及六自由度机械臂。本发明扩展了实际的工艺需求，同时由于超临界流体辅助，雾化液滴的尺寸大大降低了，可以达到纳米几倍，喷雾薄膜的厚度更加均匀。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114905855A
公开(公告)日：2022-08-16
申请号：CN202210601841.2
申请日：2022-05-30
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明属于微结构制备领域，并具体公开了一种微圆周曲面共形敏感结构及其制备方法和装置，其如下步骤：S1、在微圆周曲面上制备一层疏水层，然后对微圆周表面进行图案化照射，得到可限制液滴滑移的图案化亲水区域，使待沉积区域亲水，非沉积区域疏水；S2、采用电流体喷印工艺在微圆周表面喷印液滴，液滴沉积到图案化亲水区域内；S3、对图案化亲水区域内沉积的液滴立即进行加热处理，使液滴中的溶剂蒸发，完成微圆周曲面共形敏感结构制备。本发明整合了精准定位限域加工位置、高精度高分辨率电喷印和快速烧结固化后处理的技术，实现在微圆周等高曲率表面上对传感器等共形敏感结构的制备。
-
公开(公告)号：CN112928211B
公开(公告)日：2022-03-18
申请号：CN202110280005.4
申请日：2021-03-16
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明属于有机薄膜晶体管制备相关技术领域，其公开了一种复杂曲面薄膜晶体管及自对准电流体共形光刻制造方法，包括以下步骤：(1)依次在曲面基底上制备底栅电极、底栅介电层及半导体层；(2)采用电流体喷印工艺在半导体层上制备纤维掩膜，电流体喷印时空间电场受曲面基底影响而空间分布畸变，使得产生的射流及纤维沉积在曲面基底的法向最短位点，进而实现法向曲面自对准；(3)采用纤维掩膜在半导体层上制备源漏电极及引线，且纤维掩膜位置处因存在高度差而自动生成沟道；(4)加热纤维掩膜以使纤维掩膜转变为熔融态，继而实现自对准封装，由此制造完成。本发明通过电流体喷印自对准工艺实现了曲面基底上薄膜晶体管的原位制备与自封装。
-
公开(公告)号：CN110335943A
公开(公告)日：2019-10-15
申请号：CN201910585900.X
申请日：2019-07-01
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明属于有机薄膜晶体管制备领域，并具体公开了一种双栅有机薄膜晶体管及其制备方法，其首先在基底上依次制备底栅电极、底栅介电层和有源层；然后采用电流体喷印工艺，将具有介电性质的聚合物喷印在有源层上，得到数条圆形截面的聚合物纤维，在有源层上形成网格状的纤维阵列；再对此网格状的纤维阵列进行热压印，使聚合物纤维截面由圆形变为椭圆形；再在有源层和网格状的纤维阵列上制备金属导电薄膜，形成顶栅电极，最后在顶栅电极上滴涂导电介质将其引出，完成双栅有机薄膜晶体管的制备。本发明结合了电流体喷印和热压印工艺，摆脱了传统掩膜、光刻等复杂工艺对精密仪器的依赖，并保证了制备出的双栅有机薄膜晶体管的性能和质量。
-
公开(公告)号：CN115079513A
公开(公告)日：2022-09-20
申请号：CN202210590241.0
申请日：2022-05-26
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明属于柔性电子器件制备相关技术领域，其公开了一种基板结构化处理的嵌入式微纳器件及其喷印制备方法，包括以下步骤：(1)提供纳米压印模板，纳米压印模板的表面上形成有多个拱形的条状凸起；(2)在柔性透明基板上旋涂聚合物胶液，并采用纳米压印模板连续压合进所聚合物胶液，进而得到结构化基板，得到的聚合物胶层形成有多个沟道；(3)对结构化基板进行局部亲/疏水处理，以使沟道的底面及侧壁面具有亲水性，沟道侧壁的上表面具有疏水性；(4)利用电流体喷印方式在结构化基板的沟道内填充纳米金属浆料，进而得到嵌入式微纳器件。本发明实现了大面积、曲面制造，克服了现有制造技术的局限性，还具有成本低、效率高等优点。
-
公开(公告)号：CN112928211A
公开(公告)日：2021-06-08
申请号：CN202110280005.4
申请日：2021-03-16
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明属于有机薄膜晶体管制备相关技术领域，其公开了一种复杂曲面薄膜晶体管及自对准电流体共形光刻制造方法，包括以下步骤：(1)依次在曲面基底上制备底栅电极、底栅介电层及半导体层；(2)采用电流体喷印工艺在半导体层上制备纤维掩膜，电流体喷印时空间电场受曲面基底影响而空间分布畸变，使得产生的射流及纤维沉积在曲面基底的法向最短位点，进而实现法向曲面自对准；(3)采用纤维掩膜在半导体层上制备源漏电极及引线，且纤维掩膜位置处因存在高度差而自动生成沟道；(4)加热纤维掩膜以使纤维掩膜转变为熔融态，继而实现自对准封装，由此制造完成。本发明通过电流体喷印自对准工艺实现了曲面基底上薄膜晶体管的原位制备与自封装。
-
-
-
-
-
-
Search Results
27
records
(took 0.022 seconds)
