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公开(公告)号：CN116360128A
公开(公告)日：2023-06-30
申请号：CN202310313297.6
申请日：2023-03-28
Applicant: 华中科技大学
IPC: G02F1/01
Abstract: 本发明公开了一种片上光开关器件的加热器、制备方法及应用，属于集成光电子技术领域，包括：在片上光开关器件相变材料层之上依次设置的加热层和覆盖层，以及设置在加热层两侧的金属电极；其中，加热层为透明导电氧化物薄膜。本发明将透明导电氧化物薄膜作为加热层沉积在片上光开关器件相变材料层之上，直接对相变材料层进行加热，并在加热层上设置覆盖层，进一步减缓热量流失，增加加热过程的稳定性，从而大大提高了片上光开关器件相变材料的晶化程度，实现相变材料状态的切换，调制空间较大；此外，该加热器结构具有普适性，与现有的CMOS工艺兼容，具有大规模应用的潜力。
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公开(公告)号：CN115329945A
公开(公告)日：2022-11-11
申请号：CN202210828987.0
申请日：2022-07-14
Applicant: 华中科技大学
IPC: G06N3/063
Abstract: 本发明公开了一种频率自适应LIF神经元、神经元的频率自适应控制方法以及模拟生物自适应的方法，其神经元包括电阻RS、电阻Ro、阈值转变忆阻器和充电电容CM，电阻RS的第一端用于接收控制脉冲、第二端通过充电电容CM接地，阈值转变忆阻器的第一端与电阻RS的第二端连接、第二端通过电阻Ro接地且第二端输出发放脉冲；其中，阈值转变忆阻器的顶电极具有活性电极材料，阻变层具有空位，阈值转换忆阻器由低阻态到高阻态的关断阻态变化速度随着状态切换周期的增加而变慢、导致电容的充电速度也逐渐变缓，以使输出的发放脉冲的频率逐渐变小直至趋于稳定，从而模拟生物对环境刺激的自适应过程。
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公开(公告)号：CN114648108A
公开(公告)日：2022-06-21
申请号：CN202210418444.1
申请日：2022-04-20
Abstract: 本发明公开了一种基于忆阻器的自适应仿生神经元电路及利用该电路实现仿生神经元自适应模拟地方法，激励脉冲和电容C1形成第一充电回路；易失性忆阻器M1、恒定电压源V1以及电容C1构成第一反向充电回路；易失性忆阻器M1、恒定电压源V1以及电容C2构成第二反向充电回路；易失性忆阻器M2、恒定电压源V2以及电容C2构成第二充电回路。利用电容充电行为使得易失性忆阻器发生阈值转变行为，加以恒定电压源的持续输出，实现神经元产生动作电位的基本功能，在激励脉冲的工作过程中，易失性忆阻器的阈值电压逐渐发生变化，实现了在恒定激励下与生物神经元相似的多模式动作电位发放以及放电频率的变化，即实现神经元自适应能力。
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公开(公告)号：CN112331766A
公开(公告)日：2021-02-05
申请号：CN202011154078.0
申请日：2020-10-26
Applicant: 华中科技大学
IPC: H01L45/00
Abstract: 本发明属于半导体存储相关技术领域，其公开了一种基于碲化钼的忆阻器及其制备方法、非易失性存储器，所述忆阻器包括自上而下设置的顶电极、阻变层及底电极，所述阻变层位于所述顶电极及所述底电极之间，其为经过氩等离子处理的二维碲化钼片；通过氩等离子处理在碲化钼片的表面引入碲空位，从而降低碲化钼从2H相到1T’相转变的能量，使得碲化钼自2H相到1T’的相转变更容易发生；所述阻变层在外加电压作用会发生从2H相到1T’相的可逆相转变，从而所述忆阻器的电阻发生高低阻态的变化。本发明使得碲化钼2H和1T’之间的相转变更容易发生，降低相转变的操作电压，同时提高转变速度和循环寿命。
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公开(公告)号：CN109447250A
公开(公告)日：2019-03-08
申请号：CN201811075282.6
申请日：2018-09-14
Applicant: 华中科技大学
IPC: G06N3/063
Abstract: 本发明属于半导体信息相关技术领域，其公开了基于忆阻器中电池效应的人工神经元，该人工神经元包括人工突触阵列、加法器、第二忆阻器、比较器及动作电位发生器，该人工突触阵列的输出端连接于该加法器的输入端，该加法器的输出端连接于该第二忆阻器的一端，该第二忆阻器的另一端分为两路，一路经第二电阻接地，另一路连接于该比较器的负向输入端，该比较器的正向输入端接阈值电压，其输出端连接于该动作电位发生器的输入端；该动作电位发生器基于电池效应输出一个类生物神经元动作电位的电信号；该第二忆阻器为具有电池效应的完全易失性忆阻器。本发明结构简单，易于实现，灵活性较好。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN119997667A
公开(公告)日：2025-05-13
申请号：CN202510088029.8
申请日：2025-01-21
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明属于集成光电子技术领域，公开了一种相变光突触器件阵列及制备方法。该突触器件阵列为多个相变光突触单元格通过相同数量的定向耦合器形成的交叉阵列结构，其中每个相变光突触单元格中弧形波导包含相变波导段，且在相变材料层上方设置加热层，在金属电极与波导之间设置隔离层。本发明的突触器件阵列，通过加热层在电脉冲作用下产生的电流焦耳热传递给相变材料层，使其发生状态改变，同时借助隔离层屏蔽金属电极对波导中光信号的吸收和干扰，减小阵列的光损耗，由此能够有效解决相变光突触器件阵列的加热结构集成问题，实现相变光突触器件阵列的有效调制。
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公开(公告)号：CN118627561A
公开(公告)日：2024-09-10
申请号：CN202410665052.4
申请日：2024-05-27
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本申请属于类脑仿生相关技术领域，其公开了一种基于忆阻器的神经元电路、脉冲神经网络装置、计算设备，神经元电路包括易失性双向阈值转变忆阻器TS、电阻R1、电阻R2与电容C1、电容C2；电阻R1的第一端作为信号输入端、用于接收阶梯波信号，电阻R1的第二端与忆阻器TS的第一端相连；电容C1的第一端与忆阻器TS的第一端相连，电容C1的第二端接地；电容C2的第一端与忆阻器TS的第二端相连，电容C2的第二端与电阻R2的第一端相连；电阻R2的第一端为神经元电路的信号输出端，电阻R2的第二端接地。通过以上神经元电路，只有当信号输入端的信号变化足够大时，才能触发输出脉冲，如此可以避免因噪声累积对脉冲转换的干扰，提高脉冲触发的准确性。
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公开(公告)号：CN114648108B
公开(公告)日：2024-09-03
申请号：CN202210418444.1
申请日：2022-04-20
Abstract: 本发明公开了一种基于忆阻器的自适应仿生神经元电路及利用该电路实现仿生神经元自适应模拟地方法，激励脉冲和电容C1形成第一充电回路；易失性忆阻器M1、恒定电压源V1以及电容C1构成第一反向充电回路；易失性忆阻器M1、恒定电压源V1以及电容C2构成第二反向充电回路；易失性忆阻器M2、恒定电压源V2以及电容C2构成第二充电回路。利用电容充电行为使得易失性忆阻器发生阈值转变行为，加以恒定电压源的持续输出，实现神经元产生动作电位的基本功能，在激励脉冲的工作过程中，易失性忆阻器的阈值电压逐渐发生变化，实现了在恒定激励下与生物神经元相似的多模式动作电位发放以及放电频率的变化，即实现神经元自适应能力。
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公开(公告)号：CN117634570A
公开(公告)日：2024-03-01
申请号：CN202311582089.2
申请日：2023-11-24
Applicant: 华中科技大学
IPC: G06N3/063
Abstract: 本发明公开了一种基于忆阻器的自适应神经元电路及应用，属于类脑仿生技术领域，包括LIF神经元电路和自适应反馈回路；其中，LIF神经元电路基于易失性忆阻器的阈值转变特性实现了神经元的脉冲发放，自适应反馈回路通过调节晶体管栅压抑制了LIF神经元电路的脉冲发放，并在一段时间后达到了稳定的脉冲发放频率，从而实现了生物神经元的自适应功能；本发明仅包括易失性阈值转变忆阻器、晶体管M1、M2、电容C2和电阻RL这几个器件，充分利用了易失性阈值转变忆阻器以及晶体管的电学特性，结构简单，电路面积小、能耗低，能够以较高的集成度实现生物神经元自适应功能。
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