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公开(公告)号：CN103674252A
公开(公告)日：2014-03-26
申请号：CN201310571593.2
申请日：2013-11-15
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 一种原位椭圆偏振测量装置，包括密封盖（100）上设置供偏振光入射与反射的入射孔（106）和反射孔（107），并在外开口处设置密封的入射透光口（108）和反射透光口（109），从而可以保持薄膜反应腔密闭状态下，在整个原子层沉积过程中随时测量薄膜厚度，并且通过光路孔的腔内开口与反应腔的进气口与出气口错开设置，使反应腔的气体流动不易进入光路孔，从而避免在光路孔内壁沉积反应物，无需复杂的定期清洗，整个测量装置结构简单、紧凑，使用方便。
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公开(公告)号：CN104046958B
公开(公告)日：2016-08-17
申请号：CN201410247956.1
申请日：2014-06-06
Applicant: 华中科技大学
IPC: C23C16/455 , B82Y40/00 , B82Y30/00
Abstract: 本发明公开了一种用于微纳米颗粒表面修饰的装置，包括：反应腔，其内部形成的空腔用于作为前驱体与微纳米颗粒的反应空间；多个前驱体供应装置，其分别通过管道与所述反应腔相通以提供不同的前驱体；载气输送系统，前驱体通过该载气输送系统输出的载气输送到反应腔中；以及粉体颗粒装载装置，用于承载待修饰的微纳米颗粒；通过多个前驱体供应装置分别向反应腔交替地输送前驱体，并进入旋转的粉体颗粒装载装置中以与微纳米颗粒表面接触进行原子层沉积反应，从而在微纳米颗粒的表面形成包覆薄膜，实现表面修饰。本发明还公开了利用上述装置进行微纳米颗粒的表面修饰的方法。本发明可以获得颗粒表面高均匀性的包覆层，并提高粉体颗粒的整体包覆率和前驱体的利用率。
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公开(公告)号：CN104046957B
公开(公告)日：2016-08-03
申请号：CN201410247806.0
申请日：2014-06-06
Applicant: 华中科技大学
IPC: C23C16/455
Abstract: 本发明公开了一种三氢化铝表面包覆改性方法，采用原子层沉积技术在三氢化铝粉末表面沉积纳米厚度的金属氧化物或金属物质将其包覆，以提高三氢化铝粉末热稳定性，包括，S1：将三氢化铝粉体放入腔体内并抽真空；S2：加热腔体到设定温度且温度均匀稳定后，通入流化气，使三氢化铝预分散；S3：原子层沉积反应，当腔体内的温度达到50～130℃时，开始原子层沉积反应；S4：重复多次原子层沉积反应，使粉体表面沉积厚度不断增长，通过控制沉积反应循环的次数从而控制在三氢化铝粉体表面沉积的金属氧化物或金属的厚度，实现三氢化铝粉体包面包覆厚度为1～1000nm包覆层，以实现粉体的稳定化。
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公开(公告)号：CN103602959B
公开(公告)日：2016-04-13
申请号：CN201310585179.7
申请日：2013-11-19
Applicant: 华中科技大学
IPC: C23C16/455
Abstract: 本发明公开了一种原子层沉积前驱体输出装置，该输出装置由装载前驱体的钢瓶（101），缓存腔（103），连接所述钢瓶（101）与缓存腔（103）的第一开关阀（102），位于所述缓存腔腔体内且与所述缓存腔腔体气密性良好的运动活塞（104），以及控制输出主管路的第二开关阀（105）构成。本发明通过固定空间的气体体积变化，每次稳定的排出等量前驱体，保证定量输出前驱体，能够更好的适应于前驱体用量优化分析及在线监测系统分析。
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公开(公告)号：CN105032385A
公开(公告)日：2015-11-11
申请号：CN201510398455.8
申请日：2015-07-08
Applicant: 华中科技大学
CPC classification number: Y02A50/2341
Abstract: 本发明公开了一种金属氧化物/铂纳米颗粒复合催化剂的制备方法，该方法包括：使用原子层沉积方法生长铂纳米催化剂颗粒和金属氧化物，通过改变原子层沉积循环次数，从而沉积所需厚度的氧化物复合层和所需粒径的纳米颗粒，两者结合形成复合催化剂。通过本发明，可以精确制备金属氧化物和铂纳米颗粒的复合催化剂，锚定金属催化颗粒从而提高铂催化剂在高温下的热稳定性，且由于氧化物薄膜与金属直接具有催化协同效应，能够在提高催化剂抗烧结性的同时，提高催化剂的活性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103628045B
公开(公告)日：2015-09-23
申请号：CN201310636874.1
申请日：2013-12-02
Applicant: 华中科技大学
IPC: C23C16/455
Abstract: 本发明公开了一种用于制作原子层沉积膜的可拆卸喷头及装置。用于制作原子层沉积膜的喷头，包括进气管路、进气口和出气口；所述进气口内部为空腔；所述出气口内部形成空腔，分为上半部分和下半部分，其上半部分与下半部分之间设有漏斗形结构；进气管路与进气口固定连接，进气口与出气口可拆卸密闭连接。用于制作原子层沉积膜的装置，包括所述喷头、腔体支撑架、基片承载台和运动平台，腔体支撑架中间形成长条状镂空，可顺序设置多个可拆卸喷头，基片承载台设置在墙体支撑架下方，运动平台带动基片承载台。本发明能适应不同的原子层沉积反应，通过气体隔离原子层沉积法，高效快速的制作原子层沉积膜。
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公开(公告)号：CN103628045A
公开(公告)日：2014-03-12
申请号：CN201310636874.1
申请日：2013-12-02
Applicant: 华中科技大学
IPC: C23C16/455
Abstract: 本发明公开了一种用于制作原子层沉积膜的可拆卸喷头及装置。用于制作原子层沉积膜的喷头，包括进气管路、进气口和出气口；所述进气口内部为空腔；所述出气口内部形成空腔，分为上半部分和下半部分，其上半部分与下半部分之间设有漏斗形结构；进气管路与进气口固定连接，进气口与出气口可拆卸密闭连接。用于制作原子层沉积膜的装置，包括所述喷头、腔体支撑架、基片承载台和运动平台，腔体支撑架中间形成长条状镂空，可顺序设置多个可拆卸喷头，基片承载台设置在墙体支撑架下方，运动平台带动基片承载台。本发明能适应不同的原子层沉积反应，通过气体隔离原子层沉积法，高效快速的制作原子层沉积膜。
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公开(公告)号：CN103614705A
公开(公告)日：2014-03-05
申请号：CN201310583654.7
申请日：2013-11-19
Applicant: 华中科技大学
IPC: C23C16/455
Abstract: 本发明公开了一种原子层沉积装置，包括原子层沉积单元喷头，所述单元喷头包括高压气流入口，惰性隔离气体入口通道，出气口通道，和两种前驱体入口通道，其中所述高压气流入口喷出高压气体以顶起整个沉积装置，该装置是微型开放式且可移动可扩展，能够适用于大型非平整结构表面薄膜沉积，并可直接经过简单多块组合，增加沉积效率。
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公开(公告)号：CN109920920B
公开(公告)日：2020-12-29
申请号：CN201910147910.5
申请日：2019-02-28
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明属于光学材料制备领域，并公开了一种基于原子层沉积的量子点光电探测器及其制备方法。该制备方法包括将量子点溶液旋涂在洁净基底上制备第一量子点薄膜，然后将有机物配体溶液滴覆在第一量子点薄膜上并静置一段时间，待配体交换完成后用溶剂进行清洗，从而完成配体交换层薄膜的制备；将量子点溶液旋涂在配体交换层薄膜上制备单层量子点薄膜，在惰性气氛下进行原子层沉积使该单层量子点薄膜充分钝化，重复上述步骤数次从而获得钝化层薄膜，最后在钝化层薄膜上蒸镀电极制成量子点光电探测器。本发明采用原子层沉积技术钝化量子点薄膜表面，能够提高器件的光暗电流比，优化探测器的器件性能，并且形成PN结双层结构，能够有效提高响应速度。
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公开(公告)号：CN105779968B
公开(公告)日：2018-04-24
申请号：CN201610148917.5
申请日：2016-03-16
Applicant: 华中科技大学
IPC: C23C16/40 , C23C16/455 , C23C16/52
Abstract: 本发明公开了一种量子点薄膜制备方法，其包括如下步骤：1)采用原子层沉积技术在量子点表面沉积纳米或亚微米厚度的金属氧化物薄膜，以将量子点包覆；2)将包覆有金属氧化物的量子点涂覆在有机薄膜聚对苯二甲酸乙二酯衬底上，制备获得量子点薄膜；3)采用空间隔离原子层沉积技术在量子点薄膜及量子点表面沉积纳米或亚微米厚度的氧化物薄膜，以保证量子点不被氧化。本发明采用在量子点表面分步包覆钝化膜的方法制备量子点薄膜，解决量子点易被氧化，致使其丧失发光性能的问题，具有制备工艺简单，制备成本低等优点。
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