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公开(公告)号:CN104355284A
公开(公告)日:2015-02-18
申请号:CN201410535300.X
申请日:2014-10-13
Applicant: 华东光电集成器件研究所
Abstract: 本发明涉及一种MEMS器件双面对通介质隔离结构及制备方法,包括硅基体(1)、可动结构(5)以及盖帽(8),可动结构(5)以及盖帽(8)之间用金属粘接剂(7)连接,可动结构(5)与硅基体(1)进行硅硅键合,其特征在于:硅基体(1)中设有对通的绝缘深槽,绝缘深槽中设有填充材料二氧化硅或氮化硅或多晶硅(3),绝缘深槽之间的硅基体(1)形成隔离电极(4),隔离电极(4)上面与可动结构(5)对应配合。
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公开(公告)号:CN103529240A
公开(公告)日:2014-01-22
申请号:CN201310506796.3
申请日:2013-10-24
Applicant: 华东光电集成器件研究所
IPC: G01P15/00
Abstract: 本发明涉及一种抗高过载的加速度计,包括连接于玻璃衬底上的硅基体(1),硅基体中设有悬臂梁(2)及相连的质量块(3),其特征在于:在质量块的两侧硅基体中对称设有弹性梁(6),弹性梁(6)与硅基体间设有缓冲间隙(4)。本发明与现有的加速度计抗高过载结构相比具有如下优点:(1)本发明有效的将弹性碰撞面与缓冲间隙相结合,使得加速度计在高过载情况下,可动结构不易断裂,实现了器件的高可靠性。(2)本发明结构简单,采用单晶硅片材料,提高了加速度计产品的一致性和可靠性;加工工艺比较简单,全部利用公知的MEMS工艺技术加工,适合大批量生产。
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