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公开(公告)号：CN109738773A
公开(公告)日：2019-05-10
申请号：CN201810629060.8
申请日：2018-06-19
Applicant: 北京航空航天大学
Abstract: 本发明涉及一种非平稳工况下IGBT模块寿命预测方法，包括以下步骤：步骤一：IGBT模块的退化机理调研；步骤二：IGBT模块电学模型建立；步骤三：基于Simulink的IGBT电学模型参数解耦；步骤四：考虑退化特性的结温在线监测；步骤五：窄结温幅值寿命预测模型建立；步骤六：功率循环试验平台搭建；步骤七：窄结温幅值寿命预测模型建立；步骤八：非平稳工况IGBT模块寿命预测模型。本发明首先基于器件电热模型和工作任务剖面计算出实际工况下功率模块的结温-时间曲线，提取出相应的结温波动信息；然后，基于功率模块的寿命预测模型，计算不同结温波动对器件造成的累积损伤；最后，结合各结温应力循环次数，对实际工况下IGBT模块的MTTF进行评估。此方法属于IGBT模块寿命评价技术领域。
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公开(公告)号：CN107543662A
公开(公告)日：2018-01-05
申请号：CN201610813736.X
申请日：2016-09-09
Applicant: 北京航空航天大学
IPC: G01M3/20
Abstract: 一种密封电连接器低温空气泄漏试验夹具，由充气腔压板、适配套环、抽气腔压板、固定螺栓等四部分组成，其间，充气腔压板与适配套环、适配套环与密封电连接器、密封电连接器与抽气腔压板之间的接触面上增加对应尺寸低温密封硅胶垫环，以确保试验夹具的低温密封性。利用低温箱与温度测量装置，控制试验温度；夹具进气端连接带有示踪气体瓶、减压阀、抽气机、气压表等设备的进气系统；夹具出气端连接带有气压表、质谱检测仪，从而组成试验系统开展密封电连接器低温空气泄漏试验。适用于-55℃～25℃温度范围内的低温空气泄漏试验，测量密封电连接器的漏率，属于密封电连接器低温试验领域。
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公开(公告)号：CN106055910A
公开(公告)日：2016-10-26
申请号：CN201610416388.2
申请日：2016-06-14
Applicant: 北京航空航天大学
IPC: G06F19/00
Abstract: 一种基于失效物理的电子产品热循环试验加速因子及试验方案确定方法包括如下步骤：步骤1：基准热循环试验条件特征向量的确定；步骤2：电子产品特征矩阵的确定；步骤3：热循环试验条件特征矩阵的确定；步骤4：不同热循环试验条件下电子产品寿命特征矩阵的计算；步骤5：不同热循环试验条件电子产品加速因子的确定；步骤6：目标热循环试验方案的确定。该方法适用于分析电子产品热循环试验条件的应力水平，计算目标热循环试验条件与基准热循环试验条件相较的加速因子，可用于确定与基准热循环试验方案具有相同试验应力水平的电子产品热循环试验方案，属于电子产品热循环试验技术领域。
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公开(公告)号：CN103955568A
公开(公告)日：2014-07-30
申请号：CN201410153994.0
申请日：2014-04-17
Applicant: 北京航空航天大学
Abstract: 本发明涉及一种基于失效物理的MOS器件可靠性仿真评价方法，包括以下步骤：步骤一：采集MOS器件相关参数；步骤二：进行失效模式、机理及影响分析；步骤三：建立CFD、FEA和故障预计模型；步骤四：开展温度、振动、电特性仿真分析；步骤五：进行应力损伤分析；步骤六：进行累积损伤分析；步骤七：考虑偏差进行参数随机化仿真；步骤八：利用竞争失效机制得到失效前时间向量：步骤九：评估器件的平均首发故障时间。本发明基于失效物理理论，从MOS器件可能失效的原因入手，通过分析获得器件潜在失效机理和对应失效物理模型，进行仿真分析确定器件使用应力，最后计算得到MOS器件使用条件下的平均首发故障时间。此方法属于MOS器件可靠性仿真评价技术领域。
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公开(公告)号：CN102708233B
公开(公告)日：2014-06-18
申请号：CN201210123652.5
申请日：2012-04-24
Applicant: 北京航空航天大学
IPC: G06F17/50
Abstract: 一种适用于表面安装工艺的可靠性实现能力评估方法，它有五大步骤：一、建立数值分析模型，计算获得应力状态；二、建立并分析工艺前模型，获得工艺前可靠性数值；三、抽样检验，定量评价；四、建立并分析工艺后模型，获得工艺后可靠性数值；五、可靠性数值处理，评估工艺可靠性。本发明可以有效评估表面安装工艺的可靠性实现能力水平，解决了工艺可靠性实现能力评估方法缺失问题；此方法采用了简单的抽样检验方法，并采用便于检验的外形参数进行表面安装工艺可靠性实现能力的计算评价，便于工程实施。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102590726B
公开(公告)日：2014-01-08
申请号：CN201210044604.7
申请日：2012-02-23
Applicant: 北京航空航天大学
IPC: G01R31/26
Abstract: 一种评估功率VMOS管寿命以及可靠性的分析方法，该方法有四大步骤：步骤一、将功率VMOS管建模并且建立H桥仿真电路；步骤二、H桥电路的无故障仿真；步骤三、H桥电路阈值电压退化仿真；步骤四、综合分析得出实际应用中的结论。本发明将实际应用中极其常见的功率VMOS管H桥驱动电路进行仿真，分析主要是原因阈值电压退化漂移，并利用数学原理对功率VMOS管的各项参数进行分析计算，得出结论。其构思科学，方法新颖。它在功率半导体器件安全测试技术领域里具有较好的实用价值和良好的应用前景。
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公开(公告)号：CN102663201B
公开(公告)日：2013-12-25
申请号：CN201210123532.5
申请日：2012-04-24
Applicant: 北京航空航天大学
IPC: G06F17/50
Abstract: 一种考虑电气互连结构可靠性的电子产品可靠性预计方法，它有八大步骤：一：找产品中电气互连部分的潜在故障点，对电子组装公差的参数进行仿真抽样；二：利用仿真进行环境应力分析，得到失效物理模型的输入；三：将潜在故障点仿真数据代入失效物理模型，生成失效前的样本数据；四：根据失效前样本数据，构建产品失效前故障仿真数据矩阵Am×n；五：对Am×n中相应数据合并，得化简后的Am×k，其中k≤n；六：取化简后的Am×k各行向量元素最小值，构成板级故障仿真向量TTFBoard；七：对m维列向量TTFBoard的全部元素取均值得到产品的平均故障前工作时间MTTF；八：加入元器件自身的失效率及可靠性模型，得到产品的失效率为最终预计结果。
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公开(公告)号：CN102156820A
公开(公告)日：2011-08-17
申请号：CN201110106935.4
申请日：2011-04-27
Applicant: 北京航空航天大学
IPC: G06F19/00
Abstract: 一种机械装配工艺的危害性分析方法，该方法有五大步骤：步骤一、确定工艺故障模式的严酷度等级；步骤二、确定工艺故障模式的发生概率等级；步骤三、确定工艺故障模式的被检测难度等级；步骤四、计算工艺故障模式的风险优先数；步骤五、确定关键工艺故障模式。本发明在已有的工艺危害性分析方法的基础上使用定量化的手段，对工艺故障模式的严酷度等级、发生概率等级及被检测难度等级进行了数理分析和确定，可操作性强；所需要的参数和数据与实际结合更加紧密，获取更加方便，操作更加容易，它在工艺可靠性工程技术领域宜于推广。
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公开(公告)号：CN119227354A
公开(公告)日：2024-12-31
申请号：CN202411270646.1
申请日：2024-09-11
Applicant: 北京航空航天大学
IPC: G06F30/20 , G06F30/15 , G06F119/02 , G06F113/26
Abstract: 步骤一：确定辐射屏蔽参数；步骤二：分析并确定辐射屏蔽材料；步骤三：确定空间辐射环境；步骤四：几何设计与材料结果分析；步骤五：基于均匀设计的多层屏蔽材料优化；步骤六：模拟结果分析；步骤七：对比分析验证。它采用粒子运输分析的手段针对多层空间屏蔽材料开展研究，从工艺过程本身出发进行分析，对其进行故障模式、影响与危害性分析，找到多层屏蔽材料优化设计过程中对辐射屏蔽性能影响的有关键控制参数。通过均匀设计对关键参数进行试验设计，确定关键参数的优化设计。借助粒子运输软件MCNP6对得到的关键因素进行模拟分析，得到不同厚度情况下的多层材料的剂量当量分布情况，并通过FLUKA代码对仿真模型进行验证和修正。最后结合优化模型对多层空间辐射屏蔽材料进行总结，从而为航天器多层材料屏蔽优化提供理论依据。
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公开(公告)号：CN114708623B
公开(公告)日：2024-09-24
申请号：CN202210290019.9
申请日：2022-03-23
Applicant: 北京航空航天大学
IPC: G06V40/13 , G06V10/762 , G06V10/82 , G06N3/0464 , G06N3/08
Abstract: 本发明涉及一种基于图像处理的金属腐蚀等级评价方法，包括以下步骤：步骤一：采用卷积神经网络训练腐蚀分类器；步骤二：采用滑动窗口法取样；步骤三：腐蚀区域定位；步骤四：采用聚类算法进行颜色量化；步骤五：训练标准色图谱信息表；步骤六：基于颜色和面积的腐蚀等级评价。本发明根据金属腐蚀前后像素点差异化特征，利用卷积神经网络结合滑动窗口法实现腐蚀特征分类及腐蚀区域定位，提出一种颜色聚类结合标准色图谱信息表的方法实现金属腐蚀等级评价。此方法属于金属腐蚀程度评价技术领域。
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