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公开(公告)号：CN1297953C
公开(公告)日：2007-01-31
申请号：CN200410101847.5
申请日：2004-12-28
Applicant: 北京科技大学
Abstract: 一种制备双垂直自旋阀的方法及其结构，采用玻璃或单晶硅基片，通过等离子体溅射、磁控溅射或者分子束外延生长手段制备而成的一种金属多层膜结构，然后通过照相平版印刷或电子束印刷、离子刻蚀的手段分别在金属多层膜的顶层和底层膜面制作出两个电极，使该自旋阀在工作时，信号电流的流动方向垂直于金属多层膜膜面。本发明的优点在于将电流垂直薄膜平面与磁各向异性易轴垂直薄膜面两个特征完美结合在一起大幅度的提高自旋阀的磁电阻效应；有效的改善了自旋阀的磁均匀性，使这种自旋阀材料加工到纳米级时，仍可保持单磁畴结构。
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公开(公告)号：CN1641750A
公开(公告)日：2005-07-20
申请号：CN200410101847.5
申请日：2004-12-28
Applicant: 北京科技大学
Abstract: 一种制备双垂直自旋阀的方法及其结构，采用玻璃或单晶硅基片，通过等离子体溅射、磁控溅射或者分子束外延生长手段制备而成的一种金属多层膜结构，然后通过照相平版印刷或电子束印刷、离子刻蚀的手段分别在金属多层膜的顶层和底层膜面制作出两个电极，使该自旋阀在工作时，信号电流的流动方向垂直于金属多层膜膜面。本发明的优点在于将电流垂直薄膜平面与磁各向异性易轴垂直薄膜面两个特征完美结合在一起大幅度的提高自旋阀的磁电阻效应；有效的改善了自旋阀的磁均匀性，使这种自旋阀材料加工到纳米级时，仍可保持单磁畴结构。
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公开(公告)号：CN1614416A
公开(公告)日：2005-05-11
申请号：CN200410009962.X
申请日：2004-12-03
Applicant: 北京科技大学
Abstract: 本发明提供了一种测量薄膜沉积速率的方法。将20～50氧化物薄膜或不易氧化金属薄膜沉积到玻璃基片或单晶硅基片上，利用角分辨X射线光电子能谱测定它们的厚度，这个厚度除以所用沉积时间，就是该薄膜材料的沉积速率。具体步骤为：将沉积到玻璃基片或单晶硅基片上的20～50氧化物薄膜或不易氧化金属薄膜送进超高真空的X射线光电子能谱仪中；实验时，通过改变α角度，收集Si 2p XPS谱图，当刚刚出现Si 2p峰时，停止数据收集，记下α值，由公式d＝3λsin α来算出薄膜材料厚度；该厚度除以所用薄膜沉积时间，就是该薄膜材料的溅射速率。本发明的优点在于：简化了测量方法，并实现了测量数据准确。
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公开(公告)号：CN2738335Y
公开(公告)日：2005-11-02
申请号：CN200420009105.5
申请日：2004-06-11
Applicant: 北京科技大学
IPC: G08G1/042
Abstract: 本实用新型提供了一种金属薄膜磁电阻式车辆检测器，由金属薄膜磁电阻磁场传感器元件(3)、信号处理电路(4)、填充材料(2)和外壳(1)四部分组成。磁场传感器元件(3)采用金属薄膜磁电阻探头，车辆检测器的填充材料(2)为石蜡或环氧树脂；根据产品设计要求，磁性金属合金薄膜层被光刻成的具有1微米－200微米宽度的金属薄膜磁电阻条(8)，并在金属薄膜磁电阻条上光刻上与磁电阻条成45°角的金属电极(7)，光刻后的金属电极还将磁电阻条连接成电桥电路并将输入输出端引出；电桥的每个桥臂由1－100个金属薄膜磁电阻条(8)组成，并由金属电极串联起来。其优点在于：体积小、灵敏度高、使用寿命长、成本低，使用时埋设和更换方便，便于推广。
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