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公开(公告)号：CN117794348A
公开(公告)日：2024-03-29
申请号：CN202311380067.8
申请日：2023-10-23
Applicant: 北京智芯微电子科技有限公司 , 北京智芯半导体科技有限公司
Abstract: 本发明实施例提供一种霍尔元件、一种霍尔芯片和一种电子设备，属于电子技术领域。霍尔元件包括：基底；一对激励电极，在所述基底上相对设置；所述一对激励电极之间相连形成的方向为第一方向；一对接地电极，在所述基底上相对设置；所述一对接地电极之间相连形成的方向为第二方向；所述第一方向与所述第二方向之间呈角度设置；多个输出电极，相邻的激励电极和接地电极之间设有一个输出电极。本发明的霍尔元件在基底的呈角度设置的两个方向上分别放置一对激励电极和一对接地电极，实现在单个基底的霍尔区域上形成有四个极化方向的电流，得到和四相旋转电流等效的零偏消除效果，从而实现提高带宽。
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公开(公告)号：CN117098447A
公开(公告)日：2023-11-21
申请号：CN202311364146.X
申请日：2023-10-20
Applicant: 北京智芯微电子科技有限公司
Abstract: 本发明涉及磁传感器领域，提供一种垂直霍尔传感器及制造方法、芯片。所述垂直霍尔传感器包括：硅衬底、垂直嵌入硅衬底内的电源激励电极以及形成于硅衬底表面的霍尔电压检测电极，电源激励电极包括至少一个外围电源激励电极以及至少一个中间电源激励电极，霍尔电压检测电极位于外围电源激励电极与中间电源激励电极之间。其中，电源激励电极是通过在硅衬底中刻蚀形成深沟槽，在深沟槽内填充重掺杂的多晶硅和金属形成的。本发明采用沟槽电极结构的电源激励电极，避免了离子注入工艺形成掺杂区不均匀的问题，有效提高垂直霍尔传感器的灵敏度，减小零偏。
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公开(公告)号：CN220399625U
公开(公告)日：2024-01-26
申请号：CN202321836692.4
申请日：2023-07-12
Applicant: 北京智芯微电子科技有限公司 , 北京智芯半导体科技有限公司
Abstract: 本实用新型实施例提供一种霍尔芯片校准结构、系统及霍尔芯片，属于芯片技术领域。所述霍尔芯片校准结构包括：至少一个校验霍尔盘，所述校验霍尔盘的外形与待校准霍尔芯片中用于功能实现的霍尔盘的外形相同；所述校验霍尔盘设置有输入端和输出端，所述校验霍尔盘的输入端与外部激励的输出端连接，所述校验霍尔盘的输出端用于输出霍尔电压。相对于现有技术中采用电路或是模组进行校准，大大减少了校准误差，提高了校准结果的准确度。
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公开(公告)号：CN221354898U
公开(公告)日：2024-07-16
申请号：CN202322845779.4
申请日：2023-10-23
Applicant: 北京智芯微电子科技有限公司 , 北京智芯半导体科技有限公司
Abstract: 本实用新型提供一种霍尔元件、一种霍尔芯片和一种电子设备，属于电子技术领域。霍尔元件包括：基底；一对激励电极，在所述基底上相对设置；所述一对激励电极之间相连形成的方向为第一方向；一对接地电极，在所述基底上相对设置；所述一对接地电极之间相连形成的方向为第二方向；所述第一方向与所述第二方向之间呈角度设置；多个输出电极，相邻的激励电极和接地电极之间设有一个输出电极。本实用新型的霍尔元件在基底的呈角度设置的两个方向上分别放置一对激励电极和一对接地电极，实现在单个基底的霍尔区域上形成有四个极化方向的电流，得到和四相旋转电流等效的零偏消除效果，从而实现提高带宽。
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