公开(公告)号：CN115948100A

公开(公告)日：2023-04-11

申请号：CN202211651282.2

申请日：2022-12-21

申请人： 北京智芯微电子科技有限公司 ,  天津大学 ,  国网山东省电力公司营销服务中心(计量中心) ,  国家电网有限公司

发明人： 黄海潮 ,  付振 ,  王帅鹏 ,  陈燕宁 ,  刘芳 ,  杜艳 ,  朱艳吉 ,  汪怀远 ,  孟磊

IPC分类号： C09D163/02 ,  C09D5/08 ,  C09D109/00 ,  C09D115/00

摘要： 本发明涉及芯片封装材料领域，公开了一种复合材料组合物及复合材料的制备方法及复合材料和应用。该组合物包含环氧树脂、液体橡胶、固化剂和溶剂；其中，所述环氧树脂、所述液体橡胶、所述固化剂和所述溶剂的重量比为1：(0.1‑0.5)：(1‑3)：(1‑5)。本发明提供的复合材料在3.5％(w/v)的盐水环境下浸泡60天后，阻抗值在6.35E+07Ω以上，静态接触角在60°以上，硬度在60D以上，落重冲击测试的直接抗冲击强度在48cm以上，500g负载下，经1000目砂纸摩擦2000圈后的厚度损失在31％以下，具有良好的防腐性能，同时具有良好的机械性能和耐磨性能。

公开(公告)号：CN115064446B

公开(公告)日：2022-12-16

申请号：CN202210990168.6

申请日：2022-08-18

申请人： 北京智芯微电子科技有限公司 ,  北京芯可鉴科技有限公司 ,  国家电网有限公司

发明人： 赵东艳 ,  肖超 ,  陈燕宁 ,  邵瑾 ,  付振 ,  刘芳 ,  田俊 ,  张泉 ,  尹强

IPC分类号： H01L21/336 ,  H01L29/06 ,  H01L29/78

摘要： 本公开涉及功率半导体领域，具体公开了一种超结半导体器件及其制备方法，该制备方法包括：通过深沟槽刻蚀工艺在晶圆的第一预定区域刻蚀得到至少一个Ai深沟槽，在所述Ai深沟槽中填充掺杂浓度为NAi的第一外延层形成第i层第一导电类型的外延柱；通过深沟槽刻蚀工艺在晶圆的第二预定区域刻蚀得到至少一个Di深沟槽，在所述Di深沟槽中填充掺杂浓度为NDi的第二外延层形成第i层第二导电类型的外延柱；循环上述步骤在晶圆中制作超结结构。该技术方案可以解决传统深沟槽单次外延填充产生的空洞问题；主要用于制备超结半导体器件。

公开(公告)号：CN114864666A

公开(公告)日：2022-08-05

申请号：CN202210810588.1

申请日：2022-07-11

申请人： 北京芯可鉴科技有限公司 ,  北京智芯微电子科技有限公司 ,  国网上海市电力公司 ,  国家电网有限公司

发明人： 赵东艳 ,  王于波 ,  陈燕宁 ,  吴波 ,  刘芳 ,  邓永锋 ,  王凯 ,  余山 ,  付振 ,  郁文 ,  刘倩倩 ,  王帅鹏 ,  彭鹏 ,  邵宇鹰

IPC分类号： H01L29/06 ,  H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  H01L27/088

摘要： 本发明涉及半导体技术领域，公开了一种NLDMOS器件、NLDMOS器件的制备方法及芯片。所述NLDMOS器件包括：衬底；设于所述衬底上的P型体区与N型漂移区；设于所述N型漂移区上的场氧化层与N型掺杂区；以及设于所述场氧化层与所述N型掺杂区上的栅极，其中，所述N型掺杂区包括所述场氧化层、所述栅极与所述N型漂移区的交界区。本发明中的N型掺杂区可在保证一定的关断状态下的击穿电压（BVoff）下减小NLDMOS器件的导通电阻，同时有效地将电力线密度重新分布以降低交界区的电场峰值，在器件大注入时为漂移区提供额外的净电荷，从而能够使Kirk效应得到有效的抑制，进而提高导通状态下的击穿电压（BVon），即，提高NLDMOS器件的安全工作区和可靠性。

公开(公告)号：CN114415087A

公开(公告)日：2022-04-29

申请号：CN202210318799.3

申请日：2022-03-29

申请人： 北京芯可鉴科技有限公司 ,  北京智芯微电子科技有限公司 ,  国家电网有限公司 ,  国网重庆市电力公司电力科学研究院

发明人： 赵东艳 ,  王于波 ,  陈燕宁 ,  程晓峰 ,  付振 ,  王帅鹏 ,  刘芳 ,  黄海潮 ,  蒋西平 ,  李永福

IPC分类号： G01R33/09 ,  G01R11/24

摘要： 本发明实施例提供一种磁传感器、电路和电能表，该磁传感器包括：信号采集模块及信号处理模块；所述信号采集模块包括第一惠斯通电桥和第二惠斯通电桥，用于采集磁场信号并输出电压信号；所述第一惠斯通电桥同心放置于所述第二惠斯通电桥内；所述信号处理模块用于根据电压信号确定磁场是否存在。该磁传感器能够检测多方位的磁场信号，极大的提升了检测能力。

公开(公告)号：CN112289852B

公开(公告)日：2021-05-11

申请号：CN202011471670.3

申请日：2020-12-15

申请人： 北京芯可鉴科技有限公司 ,  北京智芯微电子科技有限公司 ,  国网思极紫光(青岛)微电子科技有限公司 ,  国网信息通信产业集团有限公司 ,  西安电子科技大学 ,  国家电网有限公司 ,  国网山东省电力公司营销服务中心(计量中心)

发明人： 赵东艳 ,  王于波 ,  陈燕宁 ,  付振 ,  刘芳 ,  王立城 ,  庞振江 ,  彭业凌 ,  张宏涛 ,  任晨 ,  张龙涛 ,  马晓华 ,  曹艳荣 ,  赵扬 ,  周芝梅 ,  万勇 ,  陈琳 ,  杜艳

IPC分类号： H01L29/10 ,  H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  H01L21/762

摘要： 本发明提供一种降低埋氧层泄漏电流的SOI器件结构和一种降低埋氧层泄漏电流的SOI器件结构的制作方法，所述SOI器件结构包括：衬底；形成于所述衬底上的埋氧层；以及形成于所述埋氧层上的有源区；所述有源区划分有栅区以及位于所述栅区两端的源区和漏区，所述栅区下方即所述源区和漏区之间形成有沟道；所述栅区为由二氧化硅层、高K介质层和多晶硅由下而上层叠形成的多晶硅栅极结构；所述源区和漏区上方为源极和漏极；所述栅区与所述源极和漏极之间的器件表面被SiN钝化层覆盖；所述埋氧层由表面向下形成有沟槽，所述沟槽的深度大于源电场及漏电场所能扩展的纵向距离。本发明在减小SOI器件结构的泄漏电流的同时提高了SOI器件结构的散热性能。

公开(公告)号：CN112289852A

公开(公告)日：2021-01-29

申请号：CN202011471670.3

申请日：2020-12-15

申请人： 北京芯可鉴科技有限公司 ,  北京智芯微电子科技有限公司 ,  国网思极紫光(青岛)微电子科技有限公司 ,  国网信息通信产业集团有限公司 ,  西安电子科技大学 ,  国家电网有限公司 ,  国网山东省电力公司营销服务中心(计量中心)

发明人： 赵东艳 ,  王于波 ,  陈燕宁 ,  付振 ,  刘芳 ,  王立城 ,  庞振江 ,  彭业凌 ,  张宏涛 ,  任晨 ,  张龙涛 ,  马晓华 ,  曹艳荣 ,  赵扬 ,  周芝梅 ,  万勇 ,  陈琳 ,  杜艳

IPC分类号： H01L29/10 ,  H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  H01L21/762

摘要： 本发明提供一种降低埋氧层泄漏电流的SOI器件结构和一种降低埋氧层泄漏电流的SOI器件结构的制作方法，所述SOI器件结构包括：衬底；形成于所述衬底上的埋氧层；以及形成于所述埋氧层上的有源区；所述有源区划分有栅区以及位于所述栅区两端的源区和漏区，所述栅区下方即所述源区和漏区之间形成有沟道；所述栅区为由二氧化硅层、高K介质层和多晶硅由下而上层叠形成的多晶硅栅极结构；所述源区和漏区上方为源极和漏极；所述栅区与所述源极和漏极之间的器件表面被SiN钝化层覆盖；所述埋氧层由表面向下形成有沟槽，所述沟槽的深度大于源电场及漏电场所能扩展的纵向距离。本发明在减小SOI器件结构的泄漏电流的同时提高了SOI器件结构的散热性能。

公开(公告)号：CN116063252A

公开(公告)日：2023-05-05

申请号：CN202211686490.6

申请日：2022-12-26

申请人： 北京智芯微电子科技有限公司 ,  天津大学 ,  国网山东省电力公司营销服务中心(计量中心) ,  国家电网有限公司

发明人： 黄海潮 ,  付振 ,  王帅鹏 ,  陈燕宁 ,  刘芳 ,  杜艳 ,  朱艳吉 ,  汪怀远 ,  朱洪宇 ,  申小松

IPC分类号： C07D303/27 ,  C07D301/14 ,  H01L23/29 ,  H01L23/373 ,  C08G59/24

摘要： 本发明涉及高分子芯片封装材料领域，公开了一种联萘单体及其制备方法和环氧树脂及其制备方法和应用。该单体为式(I)所示的单体，由该单体制得的环氧树脂具有良好的导热性能和机械性能，固化难度低且制备方式简单。

公开(公告)号：CN115358282A

公开(公告)日：2022-11-18

申请号：CN202211292155.8

申请日：2022-10-21

申请人： 北京智芯微电子科技有限公司 ,  国网上海市电力公司 ,  国家电网有限公司

发明人： 赵东艳 ,  王于波 ,  成睿琦 ,  梁英宗 ,  陈燕宁 ,  王立城 ,  仝傲宇 ,  王帅鹏 ,  彭鹏 ,  邵宇鹰

IPC分类号： G06K9/00

摘要： 本申请涉及数据处理领域，提供一种电磁环境数据压缩方法及装置。所述电磁环境数据压缩方法，包括：对电磁环境数据中的突变信号数据进行截取；对截取的突变信号数据进行滤波处理；对滤波处理后的数据进行特征点选取；对选取的特征点连接形成的包络线进行数据拟合，提取描述包络线波形的特征参数，将描述包络线波形的特征参数作为电磁环境数据的特征值。本申请实施例通过选取电磁环境数据的特征点，将特征点连接形成的包络线进行数据拟合，将拟合得到的特征参数作为电磁环境数据的特征值，实现对电磁环境数据的压缩。在对电磁环境数据进行存储时，大大降低了数据存储容量，且可以从存储的数据中直接获取特征数据。

公开(公告)号：CN114966294A

公开(公告)日：2022-08-30

申请号：CN202210894078.7

申请日：2022-07-27

申请人： 北京智芯微电子科技有限公司 ,  北京芯可鉴科技有限公司 ,  国网福建省电力有限公司电力科学研究院 ,  国家电网有限公司

发明人： 陈燕宁 ,  王立城 ,  赵扬 ,  仝傲宇 ,  成睿琦 ,  梁英宗 ,  林文彬 ,  林国栋 ,  李智诚

IPC分类号： G01R31/00 ,  G05B15/02

摘要： 本发明实施例提供一种电力设备的可靠性试验系统及控制方法、装置和介质，属于可靠性试验技术领域。高温老化箱，设置于试验室端，用于容纳预期进行可靠性试验的第一电力设备；控制装置，设置于试验室端并与所述高温老化箱连接，用于设置在高温老化箱内对所述第一电力设备进行可靠性试验的试验环境参数，并监测第一电力设备在基于试验环境参数的可靠性试验下的运行情况；采集装置，其设置于位于现场端的第二电力设备的箱体内，用于采集第二电力设备内部的参考环境参数，并将该参考环境参数提供给控制装置以使得控制装置基于参考环境参数设置试验环境参数。本发明对于第一电力设备的试验环境参数设置更贴近实际，试验结果更准确可靠。

公开(公告)号：CN114583049B

公开(公告)日：2022-07-29

申请号：CN202210479541.1

申请日：2022-05-05

申请人： 北京芯可鉴科技有限公司 ,  北京智芯微电子科技有限公司 ,  国家电网有限公司 ,  国网重庆市电力公司电力科学研究院

发明人： 赵东艳 ,  王于波 ,  王凯 ,  陈燕宁 ,  付振 ,  刘芳 ,  余山 ,  邓永峰 ,  吴波 ,  郁文 ,  刘倩倩

IPC分类号： H01L49/02

摘要： 本发明涉及半导体领域，提供一种MIM电容器的制作方法及MIM电容器。所述MIM电容器的制作方法包括：在基板上形成下极板；在下极板上沉积温度系数低的导热电阻材料，形成第一薄膜电阻层；在第一薄膜电阻层上形成介质层；在介质层上沉积温度系数低的导热电阻材料，形成第二薄膜电阻层，使第一薄膜电阻层和第二薄膜电阻层全包覆介质层；在第二薄膜电阻层上形成上极板。本发明通过两层温度系数低的薄膜电阻层将MIM电容器的介质层全包覆住，可以降低MIM电容器整体的温度系数，提高MIM电容器的温度线性度性能。