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公开(公告)号：CN116555800A
公开(公告)日：2023-08-08
申请号：CN202310592998.8
申请日：2023-05-24
Applicant: 北京工业大学
IPC: C25B11/02 , C25B11/031 , C25B11/046 , C25B1/04 , B22F10/28 , B22F10/64 , B22F10/85 , B33Y10/00 , B33Y50/02 , B33Y70/00 , B33Y80/00 , C22C19/03 , B22F10/38
Abstract: 本发明公开了一种电催化水分解自支撑电极及制备方法，包括：设计针状或开孔泡沫状的自支撑电极；将Ni粉末和Mo粉末进行球磨混合，得到适合于3D打印的混合粉末；将混合粉末置入3D打印设备，并将所设计的自支撑电极的图形数据传入3D打印设备，3D打印设备对数据进行处理，制备所需结构的NiMo自支撑电极；对NiMo自支撑电极进行退火处理、清洗，得到电催化水分解用的HER电极。本发明制得的NiMo自支撑电极具有高比表面积、高催化活性和高稳定性，有助于实现高性能催化剂的快速制造与大规模工业化应用。
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公开(公告)号：CN116303220A
公开(公告)日：2023-06-23
申请号：CN202310307038.2
申请日：2023-03-27
Applicant: 北京工业大学
IPC: G06F15/173 , G06F15/78
Abstract: 本发明公开了一种叠层相干多核可重构数字信号处理器架构，包括：多层结构；每层结构包括：多个存储路由器和多个处理器；每个存储路由器通过数据线与周围具有第一临近关系的存储路由器和/或处理器相连；每个处理器通过数据线与周围具有第二临近关系的存储路由器相连；在相邻的两层结构之间：一层的存储路由器与另一层具有第三邻近关系的存储路由器和处理器通过数据线相连，一层的处理器与另一层具有第四第三邻近关系的存储路由器通过数据线相连。本发明可以在较小的空间内容纳大量的计算和存储元件，增加计算资源，提升计算机算力。
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公开(公告)号：CN116014563A
公开(公告)日：2023-04-25
申请号：CN202211678191.8
申请日：2022-12-26
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 本发明公开了一种光子级联型边发射半导体激光器及制备方法，包括：激光巴条，激光巴条包括有源区、设置在有源区两侧且掺杂有相同的一种或多种稀土元素的N型Alx1Ga1‑x1As下波导层和P型Alx2Ga1‑x2As上波导层，有源区产生激光λ1，稀土元素作为受激光λ1激发而产生激光λ2的增益介质；激光巴条的前腔面上依次设有第一高反膜和增透膜、后腔面上依次设有第一高反膜和第二高反膜，第一高反膜对激光λ1高反射，第二高反膜对激光λ2高反射，增透膜对激光λ2透射。本发明可兼顾固体激光器可产生窄线宽、脉冲光以及半导体激光器结构简单、体积小、效率高、成本低的优势。
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公开(公告)号：CN115632149A
公开(公告)日：2023-01-20
申请号：CN202211364124.9
申请日：2022-11-02
Applicant: 北京工业大学
IPC: H01M8/0656 , H01M8/1007
Abstract: 本发明公开了一种中温氨燃料电池，包括氨分解制氢电池和燃料电池；氨分解制氢电池的两端连接供电装置；氨分解制氢电池两端设有氨气进口和反应产物出口，反应产物出口与燃料电池进口通道连通；氨气通过氨气进口进入氨分解制氢电池内，氨气在通过氨裂解层后产生氢气，氢气经氢氧化电催化层后被氧化产生质子氢；质子氢经第一固体酸电解质膜到析氢电催化层后发生析氢反应产生氢气，氢气通过反应产物出口进入燃料电池，在燃料电池中与氧气反应。本发明的电池为无水质子传输且工作温度可达250℃，氨分解为氢，氢转化为质子，通过电力驱动穿过固体酸电解质膜到析氢电催化层产生氢，不产生毒化电解质膜的杂质离子，降低了对质子交换膜的损伤。
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公开(公告)号：CN114300943B
公开(公告)日：2022-10-18
申请号：CN202111655783.3
申请日：2021-12-30
Applicant: 北京工业大学
IPC: H01S5/183
Abstract: 本发明公开了一种电吸收主动调制自发脉冲式光子级联半导体激光器及制备方法，衬底的一侧依次形成有掺杂镧系稀土元素的泵浦源VCSEL半导体激光外延结构、第一反射层；衬底的另一侧依次形成有电吸收调制结构、第二反射层。本发明利用泵浦源VCSEL输出某波长特定激光泵浦，使掺杂在VCSEL有源区下方的镧系稀土元素掺杂层内稀土粒子能级发生粒子数反转，光致发光，形成光子级联，其产生的新波长光在第二波长谐振腔内振荡，并由电吸收调制结构进行主动调制。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114374144A
公开(公告)日：2022-04-19
申请号：CN202210056190.3
申请日：2022-01-18
Applicant: 北京工业大学
IPC: H01S5/024
Abstract: 本发明公开了一种微通道芯片的液氮循环散热系统及制备方法，系统包括半导体激光芯片，固接于半导体激光芯片下表面的微通道热沉，连接微通道热沉进液口的冷却液抽取管，连接微通道热沉出液口的冷却液集液管以及用于供应冷却液并控制冷却液在微通道热沉中循环的控制系统。其中，控制系统由冷却装置及用于储存冷却液的储液瓶构成，冷却装置连接冷却液集液管以对回收液进行再次降温液化并送入储液瓶中，储液瓶的出口连接冷却液抽取管，并设有开关阀以控制冷却液的通断及流量大小。本发明针对传统散热技术散热效率低的问题，采用微通道冷板并通以液氮作为冷却液对芯片进行循环散热，大大提高了芯片的散热效率。
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公开(公告)号：CN114336283A
公开(公告)日：2022-04-12
申请号：CN202111651600.0
申请日：2021-12-30
Applicant: 北京工业大学
IPC: H01S5/183
Abstract: 本发明公开了一种光模式调制光子级联激光器及制备方法，包括：GaAs衬底；GaAs衬底的一侧依次形成有信号光上反射层、光子级联层、泵浦光有源区和泵浦光下反射层，GaAs衬底的另一侧依次形成光模式调制层和增反膜；光子级联层自信号光上反射层至泵浦光有源区依次包括第一泵浦光上反射层、稀土元素掺杂层、信号光下反射层和第二泵浦光上反射层。本发明先通过VCSEL结构输出特定波长泵浦光，泵浦光使稀土元素掺杂层的稀土元素晶体光致发光，形成光子级联，并产生信号光；信号光在GaAs衬底、光模式调制层和增反膜构成的外腔反馈结构内调制光场横模、锁定频率纵模，以得到高质量的单频信号光输出。
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公开(公告)号：CN114300940A
公开(公告)日：2022-04-08
申请号：CN202111651653.2
申请日：2021-12-30
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 本发明公开了一种稀土掺杂VCSEL外腔反馈相干阵激光器及其制备方法，激光器包括衬底和衬底上所制备的具有稀土元素掺杂层的VCSEL芯片外延结构，VCSEL芯片外延结构中，第一激光谐振腔和第二激光谐振腔形成光子级联复合腔，第一激光谐振腔产生第一波长激光，第一波长激光作为第二激光谐振腔中的泵浦光；第二激光谐振腔中稀土元素掺杂层中掺杂的稀土元素离子在第一波长激光的激发下产生第二波长荧光；第二波长荧光进入第三激光谐振外腔后再进入第二激光谐振腔，形成外腔互注入反馈，并由第三激光谐振外腔输出相干阵第二波长激光。通过本发明的技术方案，输出窄线宽高光束质量的相干阵激光，提高了发光效率，提高了激光光束质量。
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公开(公告)号：CN112117640B
公开(公告)日：2022-02-22
申请号：CN202011204317.9
申请日：2020-11-02
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 本发明公开了一种衬底型衍射光学元件VCSEL分光结构及制备方法，自下而上依次包括：热沉、底发射VCSEL阵列芯片、带有二元衍射光栅的衬底层、超表面结构层、保护层和增透膜层；所述衬底层的底部设有所述底发射VCSEL阵列芯片，所述衬底层的顶部设有二元衍射光栅，所述超表面结构层的组成微元呈正方形网格结构排布。本发明在底发射VCSEL芯片上键合衍射光学元件，将VCSEL芯片每个发光单元发射的激光分束，使输出激光束数量级增大；以及在衍射光学元件之上键合超表面结构层，用于激光分束后聚焦。本发明设计的衬底型衍射光学元件的VCSEL分光结构可以在半导体工艺下一步制成，且不需要外部光学元件，易实现器件小型化、芯片化。
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公开(公告)号：CN113534351B
公开(公告)日：2022-02-11
申请号：CN202111089965.9
申请日：2021-09-17
Applicant: 北京工业大学
IPC: G02B6/27
Abstract: 本发明提供一种柱矢量光纤隔离器及光学设备，涉及光学设备领域，柱矢量光纤隔离器包括第一偏振分束器、第二偏振分束器、第一光学部件和第二光学部件，第二偏振分束器与第一偏振分束器间隔设置，第二偏振分束器与所述第一偏振分束器关于设定轴对称。第一光学部件设置于第一偏振分束器与第二偏振分束器之间，第一光学部件适于使穿过第一光学部件的入射光的偏振方向顺时针旋转第一角度。第二光学部件适于使沿正向穿过第二光学部件的入射光的偏振方向逆时针旋转第二角度，并使沿反向穿过第二光学部件的入射光的偏振方向顺时针旋转第三角度。柱矢量光纤隔离器对空间均匀偏振光束与空间非均匀偏振光束均适用，具有结构简单和可靠性高的优点。
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