公开(公告)号：CN116014563A

公开(公告)日：2023-04-25

申请号：CN202211678191.8

申请日：2022-12-26

Applicant: 北京工业大学

Inventor： 王智勇 ,  马万里 ,  兰天

IPC: H01S5/20 ,  H01S5/343

Abstract: 本发明公开了一种光子级联型边发射半导体激光器及制备方法，包括：激光巴条，激光巴条包括有源区、设置在有源区两侧且掺杂有相同的一种或多种稀土元素的N型Alx1Ga1‑x1As下波导层和P型Alx2Ga1‑x2As上波导层，有源区产生激光λ1，稀土元素作为受激光λ1激发而产生激光λ2的增益介质；激光巴条的前腔面上依次设有第一高反膜和增透膜、后腔面上依次设有第一高反膜和第二高反膜，第一高反膜对激光λ1高反射，第二高反膜对激光λ2高反射，增透膜对激光λ2透射。本发明可兼顾固体激光器可产生窄线宽、脉冲光以及半导体激光器结构简单、体积小、效率高、成本低的优势。

公开(公告)号：CN115859680A

公开(公告)日：2023-03-28

申请号：CN202211680445.X

申请日：2022-12-26

Applicant: 北京工业大学

Inventor： 兰天 ,  马万里 ,  王智勇

IPC: G06F30/20 ,  G06F17/12 ,  G06F119/14

Abstract: 本发明公开了一种外腔VCSEL激光阵列互注入动力学建模仿真方法，包括：设定具有多高阶横模的外腔VCSEL激光阵列的结构参数以及驱动外腔VCSEL激光阵列正常运转的工作条件；基于L‑K速率方程模型建立外腔VCSEL激光阵列互注入的动力学模型，构建载流子密度、光子密度以及相位与空间和时间相关的偏微分方程组；对偏微分方程组进行约化处理，使偏微分方程组转化为只有时间变量的常微分方程组；对常微分方程组进行离散化处理，并使用有限差分法计算数值解；输出载流子密度、光子密度、相位以及波长随时间的变化图像。本发明可分析具有多高阶横模输出的VCSEL阵列外腔互注入的动力学过程，并寻找可实现相干锁相的条件。