公开(公告)号：CN104362987B

公开(公告)日：2017-04-19

申请号：CN201410559718.4

申请日：2014-10-18

Applicant: 北京工业大学

Inventor： 谢红云 ,  张良浩 ,  刘硕 ,  张万荣 ,  赵飞义 ,  邓蔷薇 ,  江之韵

IPC: H03F3/04 ,  H03G3/20

Abstract: 超宽带可变增益放大器涉及射频集成电路技术领域。该放大器包括Cascode输入级，电流复用放大级，输出缓冲级和电流镜增益控制级。本发明采用Cascode结构实现输入匹配和噪声匹配，同时获得高增益。本发明采用两级电流复用结构将放大级和输出缓冲级连接起来，有效地降低该放大器的功耗。本发明采用电流镜增益控制结构实现增益可控，同时保证了电路的良好线性度和功率效率。

公开(公告)号：CN105226129B

公开(公告)日：2017-02-01

申请号：CN201510680838.4

申请日：2015-10-20

Applicant: 北京工业大学

Inventor： 谢红云 ,  刘硕 ,  张良浩 ,  孙丹 ,  张万荣

IPC: H01L31/11 ,  H01L31/0352 ,  H01L31/028

Abstract: 一种SiGe/Si异质结光敏晶体管探测器是一种兼顾效率和速度的可见光及近红外光探测器。该探测器包括Si衬底；在Si衬底上依次制备出的Si亚集电区、Si集电区/吸收层、Ge组份非均匀分布的SiGe基区/吸收层、多晶硅发射区和多晶硅吸收层；多晶硅发射区上的发射极；SiGe基区上的基极；Si亚集电区上的集电极。器件分离光探测吸收和光电流放大两个功能区，分别优化载流子的传输速度和电流放大功能。光电流放大区是基于标准SiGe BiCMOS工艺的SiGe HBT；在其光吸收区，利用HBT的发射结和集电结作为吸收区的浅结和深结，分别对应吸收长度短的可见光波段和吸收长度长的近红外波段，均衡全波段内的响应度。

公开(公告)号：CN105226129A

公开(公告)日：2016-01-06

申请号：CN201510680838.4

申请日：2015-10-20

Applicant: 北京工业大学

Inventor： 谢红云 ,  刘硕 ,  张良浩 ,  孙丹 ,  张万荣

IPC: H01L31/11 ,  H01L31/0352 ,  H01L31/028

CPC classification number: H01L31/11 ,  H01L31/028 ,  H01L31/035272

Abstract: 一种SiGe/Si异质结光敏晶体管探测器是一种兼顾效率和速度的可见光及近红外光探测器。该探测器包括Si衬底；在Si衬底上依次制备出的Si亚集电区、Si集电区/吸收层、Ge组份非均匀分布的SiGe基区/吸收层、多晶硅发射区和多晶硅吸收层；多晶硅发射区上的发射极；SiGe基区上的基极；Si亚集电区上的集电极。器件分离光探测吸收和光电流放大两个功能区，分别优化载流子的传输速度和电流放大功能。光电流放大区是基于标准SiGe BiCMOS工艺的SiGe HBT；在其光吸收区，利用HBT的发射结和集电结作为吸收区的浅结和深结，分别对应吸收长度短的可见光波段和吸收长度长的近红外波段，均衡全波段内的响应度。

公开(公告)号：CN104917488A

公开(公告)日：2015-09-16

申请号：CN201510366412.1

申请日：2015-06-29

Applicant: 北京工业大学

Inventor： 张万荣 ,  黄鑫 ,  谢红云 ,  金冬月 ,  赵彦晓 ,  金子超 ,  陈吉添 ,  刘亚泽 ,  刘硕 ,  赵馨仪

IPC: H03H11/08

Abstract: 本发明提供了一种射频有源电感，包括第一级回转器，第二级回转器，耦合电容，可变电容，直流偏置电路，其中，第一级回转器与第二级回转器通过耦合电容耦合形成级联回转器结构，第一级回转器的输入端作为有源电感的信号输入端，第二级回转器的输出端作为有源电感的信号输出端，可变电容的输入端连接第一级回转器的输出端，直流偏置电路同时连接第一级回转器与第二级回转器，提供直流偏置。本发明创新地采用级联回转器结构，提高了有源电感的自谐振频率，使有源电感可在高频段下工作，通过调节可变电容的电容值使有源电感的等效电感值与品质因子Q在高频范围内可调，可满足无线通信系统中的射频集成电路与射频系统在高频段下工作的需求。