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公开(公告)号：CN102288639B
公开(公告)日：2013-01-09
申请号：CN201110197798.X
申请日：2011-07-14
Applicant: 北京工业大学
IPC: G01N25/20
Abstract: 功率半导体LED热阻快速批量筛选装置和方法属于半导体LED及相关PN结器件热阻考核和筛选技术领域。该发明主要应用于快速、非破坏性确定器件热阻过大的方法和装置。本发明的主要发明点在于：设计了可容纳百颗LED的夹具，保证每颗LED的热学接触状况均匀一致，且稳定可靠；通过针台结构，实现LED电学接触便捷、可靠；利用程序控制的继电器方式，实现批量LED扫描测试的快速切换。本发明可以对测量LED的个数实现较好的扩展性。
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公开(公告)号：CN102129023B
公开(公告)日：2012-10-31
申请号：CN201110026227.X
申请日：2011-01-24
Applicant: 北京工业大学
IPC: G01R31/26
Abstract: 一种测量半导体器件有源区薄层材料中热传导参数的方法涉及半导体器件测试领域。现有技术中有源区同时起到发热区和温度探测区的作用，热量在薄层中的传导速度也无法测量。采用本方法制备的测试芯片，将热源区和温敏探测区空间上分开。加热和测量过程可以同时进行，不存在时间延迟，可以测量出实际器件结构的热时间常数达到纳秒量级(依高速A/D采集卡的速度而定)。本发明可以实现测试器件实际有源区薄层热传导参数的目的，如GaN HEMT等基于肖特基栅结构的器件，也可以用于特定薄膜材料的热传导参数测定。
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公开(公告)号：CN101435852B
公开(公告)日：2010-08-25
申请号：CN200810239394.0
申请日：2008-12-12
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 一种电学法测量结型半导体发光器件光效退化参数的方法属于半导体发光器件产品的质量监控领域。半导体发光器件(发光管和激光器)的发光效率η是决定产品退化和工作寿命的重要参数。发光效率的测量通常使用光学仪器。本技术利用光效与器件温升和热阻的关系，通过使用电学参数方法，测量器件的温升和热阻随老化工作时间的变化关系，测出发光器件光效的退化参数。本技术适用于半导体发光器件产品的质量监控，可靠性分析和寿命预测的生产和研究等领域。
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公开(公告)号：CN1054221C
公开(公告)日：2000-07-05
申请号：CN96109786.8
申请日：1996-09-11
Applicant: 北京工业大学
IPC: G06F3/023
Abstract: 增值税发票的键盘录入计算机接收方法及其录入器，属于税务数据处理技术领域。其特征是：它由输入原始数据、按“功能转换”键后用户判断进入录入器或计算器状态，若是前者则再判别录入或查询数据、若是后者则再判别计算或消除数据、录毕取出数据卡、税务专用计算机读卡等步骤组成，又提供一个单片机总线控制式的录入器电路原理图，具有插卡式结构、数据可在税务局和用户间双向传递、汉字提示下数据输入、存储的可靠性高、功耗低等优点。
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公开(公告)号：CN1106922A
公开(公告)日：1995-08-16
申请号：CN94101005.8
申请日：1994-02-08
Applicant: 北京工业大学
IPC: G01K7/00
Abstract: 砷化镓场效应晶体管沟道温度测试方法属于半导体器件测试技术领域。其特点是：分别在工作状态下加有加热脉冲电压的栅极负偏压以及只加有栅极负偏压且其管芯温度与环境温度相等的条件下测出器件向测量状态转换时的Vgsf与t的曲线和只加负偏压且在设定的不同管芯温度下各V′gsf1与时间的曲线，求出在一定栅极负偏压下的温度系数与时间的关系曲线把冷却曲线经过外推并使用器件多层三维模型求出在任意工作条件下的沟道温度、热阻、峰值沟道温度和峰值热阻。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN119471281A
公开(公告)日：2025-02-18
申请号：CN202411611879.3
申请日：2024-11-13
Applicant: 北京工业大学
IPC: G01R31/26
Abstract: 本发明公开了一种基于瞬态漏源电流响应的CNTFET陷阱表征方法，属于半导体器件可靠性领域。包括：给定陷阱填充阶段的栅极填充电压区间；给定陷阱测试阶段的测试电压条件；给定陷阱测试阶段瞬态电流响应的测试时间范围及精度；给定陷阱能级及时间常数的测试范围。对CNTFET施加一定栅极填充电压以填充空穴陷阱，采集栅极和漏极测试电压下CNTFET漏源两端的瞬态电流响应曲线，并通过贝叶斯反卷积建立空穴陷阱的时间常数谱，提取CNTFET内部陷阱的时间常数参数。在多组温度条件下重复测试并获取陷阱时间常数的变化，利用阿伦尼乌斯公式计算CNTFET陷阱能级参数。本专利涉及方法操作简单便捷，可适用于多种来源CNTFET器件，可实现CNTFET陷阱参数的准确、无损、原位表征。
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公开(公告)号：CN117074893A
公开(公告)日：2023-11-17
申请号：CN202310809170.3
申请日：2023-07-04
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 本发明提供了一种采用射频切换电路实现HEMT热阻准在线测量的方法和装置。本发明通过控制射频切换电路可将被测HEMT器件从工作回路与热阻测量电路中来回切换，同时实现器件射频工作功能以及热阻测量功能。射频切换电路将防自激电路与射频切换开关相结合；通过电路改进将热阻仪的状态切换与射频切换电路开关切换控制集成到一起，热阻测量流程可变更为首先射频开关与第二选通端连接，HEMT器件处于工作回路中的射频下工作状态，而后热阻测试仪开关切换到热阻测试仪测量状态同时使得射频开关一同切换，射频开关从工作回路中断开与热阻测试仪连接进行热阻测量，从而由射频下工作状态替代热阻测试仪工作状态，所得热阻为器件处于实际射频工作状态下的真实热阻。
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公开(公告)号：CN116660721A
公开(公告)日：2023-08-29
申请号：CN202310564357.1
申请日：2023-05-18
Applicant: 北京工业大学
IPC: G01R31/28
Abstract: 本发明公开了一种测试功率模块内部芯片有源区温度分布均匀性的无损方法，在不同温度下测试模块温度敏感电学参数，获得模块温度敏感电学参数的校温曲线；利用芯片有源区各温度区间的温度分布规律，结合算法，建立温度分布参数(尺度参数和位置参数)和电流电压关系的四维校温曲线库；通过测试模拟实际工况下升温后模块温度敏感电学参数，与四维校温曲线库比对，实现功率模块内部芯片有源区温度均匀性的无损检测。
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公开(公告)号：CN116520117A
公开(公告)日：2023-08-01
申请号：CN202310429707.3
申请日：2023-04-20
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 本发明提供了一种采用探针接触快速测量多路半导体器件的温度系数的方法和装置。本发明将控制模块、激励源模块、测量模块、采集模块、传输模块以及数据处理模块进行了级联调试，设计了对应测试器件的夹具，采用探针法进行测量，完成了高精度的温度系数测量系统的设计与实现。本发明提供的测量方法和装置解决了传统测量只能测量单只器件的问题，同时完成了测量系统的自动化实现，省去了复杂的人工操作，同时提高了测量精度。
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