公开(公告)号：CN108878266B

公开(公告)日：2020-09-08

申请号：CN201810715485.0

申请日：2018-07-03

Applicant: 北京大学

Inventor： 杨学林 ,  沈波 ,  冯玉霞 ,  张智宏 ,  刘开辉 ,  张洁 ,  许福军 ,  王新强 ,  唐宁

IPC: H01L21/02

Abstract: 本发明公开了一种在多晶或非晶衬底上生长单晶氮化镓薄膜的方法，包括：将单晶石墨烯转移至多晶或非晶衬底上；对单晶石墨烯表面进行预处理，产生悬挂键；生长AlN成核层；外延生长氮化镓单晶薄膜。本发明利用可转移的单晶石墨烯为氮化物生长提供所需的六方模板，大大拓宽氮化物可集成的衬底材料，可应用于GaN基大功率器件和柔性器件。

公开(公告)号：CN107904654A

公开(公告)日：2018-04-13

申请号：CN201710020397.4

申请日：2017-01-12

Applicant: 北京大学

Inventor： 徐小志 ,  张智宏 ,  吴慕鸿 ,  俞大鹏 ,  王恩哥 ,  刘开辉

IPC: C30B1/02 ,  C30B29/02 ,  C22F1/08

Abstract: 本发明提供了一种大尺寸单晶铜箔的制备方法。所述方法为多晶铜箔作为原料，一端剪成尖端，利用特殊退火工艺制备出大尺寸单晶铜箔。本发明提出的方法，解决了单晶铜箔价格昂贵的问题，通过非常简单的方法，实现了大尺寸单晶铜箔的制备。

公开(公告)号：CN105714382B

公开(公告)日：2017-12-29

申请号：CN201610098625.5

申请日：2016-02-23

Applicant: 北京大学

Inventor： 张智宏 ,  徐小志 ,  刘开辉

IPC: C30B29/52 ,  C30B1/02

Abstract: 本发明提供了一种大尺寸Cu(100)单晶铜箔的制备方法。所述方法为用掺杂金属元素的多晶铜箔作为原料，利用特殊退火工艺制备出超大尺寸单晶Cu(100)。本发明提出的方法，解决了单晶Cu(100)价格昂贵的问题，通过非常简单的方法，实现了Cu(100)单晶铜箔的制备。

公开(公告)号：CN105803522A

公开(公告)日：2016-07-27

申请号：CN201610193137.2

申请日：2016-03-30

Applicant: 北京大学

Inventor： 徐小志 ,  张智宏 ,  俞大鹏 ,  王恩哥 ,  刘开辉

IPC: C30B25/00 ,  C30B29/02 ,  C30B33/02

CPC classification number: C30B25/00 ,  C30B29/02 ,  C30B33/02

Abstract: 本发明提供了一种连续制备大单晶石墨烯的方法，涉及大单晶石墨烯的制备方法。其主要特征为用铜箔作为催化剂及生长基底，利用两个常压化学气相沉积设备将铜箔退火和石墨烯生长分开进行，通过两端的转动装置，连续获得大尺寸高质量的石墨烯。本发明提出的方法，解决了CVD方法制备的石墨烯单晶尺寸小、价格昂贵、基底表面处理工序复杂且生长周期长等技术问题，通过非常简单的方法，实现了连续制备大单晶石墨烯样品。

公开(公告)号：CN105714382A

公开(公告)日：2016-06-29

申请号：CN201610098625.5

申请日：2016-02-23

Applicant: 北京大学

Inventor： 张智宏 ,  徐小志 ,  刘开辉

IPC: C30B29/52 ,  C30B1/02

CPC classification number: C30B29/52 ,  C30B1/02

Abstract: 本发明提供了一种大尺寸Cu(100)单晶铜箔的制备方法。所述方法为用掺杂金属元素的多晶铜箔作为原料，利用特殊退火工艺制备出超大尺寸单晶Cu(100)。本发明提出的方法，解决了单晶Cu(100)价格昂贵的问题，通过非常简单的方法，实现了Cu(100)单晶铜箔的制备。

公开(公告)号：CN105603514A

公开(公告)日：2016-05-25

申请号：CN201610098623.6

申请日：2016-02-23

Applicant: 北京大学

Inventor： 徐小志 ,  张智宏 ,  刘开辉

IPC: C30B25/18 ,  C30B1/02 ,  C30B29/02

CPC classification number: C30B25/186 ,  C30B1/02 ,  C30B29/02

Abstract: 本发明提供了一种大尺寸Cu(111)单晶铜箔和超大尺寸单晶石墨烯的制备方法。所述方法为用掺杂金属元素的多晶铜箔作为原料，利用特殊退火工艺制备出超大尺寸单晶Cu(111)，然后利用常压化学气相沉积法，以Cu(111)单晶为衬底获得超大尺寸高质量单晶石墨烯。本发明提出的方法，解决了单晶Cu(111)价格昂贵的问题，并利用衬底的调控作用制备出超大尺寸单晶石墨烯，解决了石墨烯生长中单晶尺寸小、生长过程复杂等技术问题，通过非常简单的方法，实现了铜箔单晶和高质量大尺寸的单晶石墨烯样品的制备。