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公开(公告)号：CN111952394A
公开(公告)日：2020-11-17
申请号：CN202010639304.8
申请日：2020-07-06
申请人： 北京北方高业科技有限公司
IPC分类号： H01L31/09 , H01L31/0216 , H01L31/0224 , H01L31/0232 , H01L31/18 , G01J5/20
摘要： 本公开涉及一种红外探测器及其制备方法，红外探测器包括多个阵列排布的探测器像元，每个探测器像元包括电极层，电极层上设置有多个阵列排布的图案化镂空结构，图案化镂空结构呈正六边形；红外探测器的红外吸收谱段为3微米至30微米波段。通过本公开的技术方案，实现了红外探测器的宽谱吸收，大大提高了红外探测器对目标物体温度红外辐射能量的吸收率，进而使得红外探测器具有较高的探测灵敏度。
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公开(公告)号：CN111525023A
公开(公告)日：2020-08-11
申请号：CN202010638137.5
申请日：2020-07-06
申请人： 北京北方高业科技有限公司
摘要： 本公开涉及一种红外探测器及其制备方法，红外探测器包括多个阵列排布的探测器像元，每个探测器像元包括电极层，电极层上设置有多个阵列排布的图案化镂空结构，图案化镂空结构呈开口圆环状；红外探测器的红外吸收谱段为3微米至30微米波段。通过本公开的技术方案，实现了红外探测器的宽谱吸收，大大提高了红外探测器对目标物体温度红外辐射能量的吸收率，进而使得红外探测器具有较高的探测灵敏度。
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公开(公告)号：CN110146177A
公开(公告)日：2019-08-20
申请号：CN201910435626.8
申请日：2019-05-23
申请人： 北京北方高业科技有限公司
IPC分类号： G01J5/20
摘要： 本发明实施例公开了一种温度检测装置的制备方法，通过直接在温度检测装置的温度敏感元件上形成键合层，并基于CIS(CMOS Image Sensor)键合减薄工艺平台，采用混合键合的工艺将信号读取芯片通过键合层与温度传感芯片键合，并对衬底进行减薄，能够简化温度检测装置的制备工艺，提高产品良率，降低成本，实现批量化生产。
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公开(公告)号：CN116230724A
公开(公告)日：2023-06-06
申请号：CN202310500810.2
申请日：2023-05-06
申请人： 北京北方高业科技有限公司
IPC分类号： H01L27/144 , H01L27/146 , G01J5/10
摘要： 本公开涉及基于CMOS工艺的红外探测器盲像元和红外探测器，该红外探测器像元形成于CMOS测量电路系统上，盲像元与CMOS有效像元同步制备；CMOS测量电路系统包括集成电路基板，盲像元用于调节有效像元两端的电流或电压；盲像元包括：热敏板、柱状结构和牺牲层；热敏板通过柱状结构与集成电路基板电连接，热敏板为不具有梁结构的板状结构；构成牺牲层的材料是氧化硅，牺牲层保留在热敏板与集成电路基板之间的至少部分空间内。由此提供一种CMOS工艺下的红外探测器盲像元，且其可与CMOS有效像元同步制备，无需增加额外的工艺步骤，工艺流程简单；二者膜层结构相同，响应于相同环境参数的变化一致，进而提升红外探测准确性，且保留牺牲层，工艺和结构稳定性好。
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公开(公告)号：CN113720465B
公开(公告)日：2023-05-12
申请号：CN202110324043.5
申请日：2021-03-26
申请人： 北京北方高业科技有限公司
摘要： 本公开涉及基于CMOS工艺的红外探测器像元及其制备方法，红外探测器，该像元包括：CMOS测量电路系统和其上的CMOS红外传感结构，采用全CMOS工艺制备；CMOS红外传感结构包括位于CMOS测量电路系统上的反射层、红外转换结构和多个柱状结构，柱状结构位于反射层和红外转换结构之间，反射层包括反射板和支撑底座，红外转换结构通过柱状结构和支撑底座与CMOS测量电路系统电连接；CMOS红外传感结构还包括位于反射层上的介质保护层以及刻蚀阻挡层；介质保护层包围柱状结构的侧面，刻蚀阻挡层至少覆盖于介质保护层的棱角位置处。解决了传统MEMS工艺红外探测器的性能低，像素规模低，良率低等问题；以及提升了红外探测器结构稳定性。
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公开(公告)号：CN113447140B
公开(公告)日：2023-01-06
申请号：CN202110711254.4
申请日：2021-06-25
申请人： 北京北方高业科技有限公司
IPC分类号： G01J5/24
摘要： 本公开涉及一种CMOS红外微桥探测器，红外微桥探测器中的CMOS测量电路系统和CMOS红外传感结构均使用CMOS工艺制备，红外微桥探测器中，第一柱状结构位于反射层与梁结构之间，第二柱状结构位于吸收板与梁结构之间，第一柱状结构和第二柱状结构均为空心柱状结构，吸收板和梁结构均包括电极层和至少两层介质层，第一柱状结构和第二柱状结构均至少包括电极层。通过本公开的技术方案，解决了传统MEMS工艺红外焦平面探测器的性能低，像素规模低，良率低以及一致性差的问题，有利于减小第一柱状结构以及第二柱状结构的热导，增加吸收板的面积，提升红外微桥探测器的红外探测灵敏度。
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公开(公告)号：CN113720472B
公开(公告)日：2022-10-11
申请号：CN202110324009.8
申请日：2021-03-26
申请人： 北京北方高业科技有限公司
IPC分类号： G01J5/24
摘要： 本公开涉及一种基于CMOS工艺的红外探测器，红外探测器中CMOS测量电路系统和CMOS红外传感结构均使用CMOS工艺制备，在CMOS测量电路系统上直接制备CMOS红外传感结构；CMOS红外传感结构的CMOS制作工艺包括金属互连工艺、通孔工艺以及RDL工艺，CMOS红外传感结构包括至少两层金属互连层、至少两层介质层和多个互连通孔，介质层至少包括一层牺牲层和一层热敏感介质层，热敏感介质层包括电阻温度系数大于设定值的热敏材料；CMOS红外传感结构包括由反射层和热敏感介质层构成的谐振腔、控制热传递的悬空微桥结构以及具有电连接和支撑功能的柱状结构。通过本公开的技术方案，解决了传统MEMS工艺红外探测器的性能低，像素规模低，良率低等问题，优化了红外探测器的性能。
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公开(公告)号：CN113720464B
公开(公告)日：2022-09-06
申请号：CN202110324027.6
申请日：2021-03-26
申请人： 北京北方高业科技有限公司
摘要： 本公开涉及一种基于CMOS工艺的红外探测器镜像像元和红外探测器，该镜像像元包括：CMOS测量电路系统和CMOS红外传感结构，CMOS测量电路系统和CMOS红外传感结构均使用CMOS工艺制备，在CMOS测量电路系统上直接制备CMOS红外传感结构；CMOS红外传感结构包括位于CMOS测量电路系统上的反射层、红外转换结构和多个柱状结构，柱状结构位于反射层和红外转换结构之间，反射层包括支撑底座，红外转换结构通过柱状结构和支撑底座与CMOS测量电路系统电连接；与支撑底座同层设置的反射板被刻蚀掉。通过本公开的技术方案，解决了传统MEMS工艺红外探测器的性能低，像素规模低，良率低等问题。
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公开(公告)号：CN114112057A
公开(公告)日：2022-03-01
申请号：CN202110324079.3
申请日：2021-03-26
申请人： 北京北方高业科技有限公司
IPC分类号： G01J5/24
摘要： 本公开涉及基于CMOS工艺的红外探测器像元和红外探测器，该红外探测器像元包括：CMOS测量电路系统和位于CMOS测量电路系统上的CMOS红外传感结构，CMOS测量电路系统和CMOS红外传感结构均采用CMOS工艺制备；CMOS红外传感结构包括位于CMOS测量电路系统上的反射层、红外转换结构和多个柱状结构，柱状结构位于反射层和红外转换结构之间，反射层包括反射板和支撑底座，红外转换结构通过柱状结构和支撑底座与CMOS测量电路系统电连接；柱状结构采用实心金属柱。通过本公开的技术方案，解决了传统MEMS工艺红外探测器的性能低，像素规模低，良率低等问题；同时，柱状结构采用实心金属柱，可实现稳定支撑，红外探测器的结构稳定性较好。
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公开(公告)号：CN114112055A
公开(公告)日：2022-03-01
申请号：CN202110324015.3
申请日：2021-03-26
申请人： 北京北方高业科技有限公司
IPC分类号： G01J5/24
摘要： 本公开涉及一种基于CMOS工艺的红外探测器及其制备方法，红外探测器包括CMOS测量电路系统和位于CMOS测量电路系统上的CMOS红外传感结构，CMOS测量电路系统和CMOS红外传感结构均采用CMOS工艺制备；吸收板和梁结构之间设置有第二柱状结构，吸收板用于将红外信号转换为电信号并通过第二柱状结构和对应的梁结构与对应的第一柱状结构电连接；红外探测器像元还包括加固结构，加固结构位于第一柱状结构上且对应第一柱状结构所在位置设置，加固结构用于增强第一柱状结构与梁结构之间的连接稳固性。通过本公开的技术方案，解决了传统MEMS工艺红外探测器的性能低，像素规模低，良率低等问题，增强了红外探测器像元的结构稳定性。
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