-
公开(公告)号：CN110349946B
公开(公告)日：2024-05-24
申请号：CN201910697080.3
申请日：2019-07-30
申请人： 北京北方高业科技有限公司
摘要： 本发明实施例公开了一种温度图像传感器及其制备方法，该温度图像传感器包括：读出电路芯片、存储芯片以及包括至少一个传感像素单元的温度传感芯片；读出电路芯片包括相对的第一面和第二面；存储芯片通过第一键合层键合在读出电路芯片的第一面，温度传感芯片通过第二键合层键合在读出电路芯片的第二面，存储芯片和读出电路芯片通过第一键合层进行键合，温度传感芯片和读出电路芯片通过第二键合层进行键合，简化了温度图像传感器的制备工艺，降低了制备成本，有利于实现温度图像传感器的量产，并在保证温度图像传感器的功能的前提下，减小了温度图像传感器的面积，实现温度图像传感器的小型化。
-
公开(公告)号：CN116207111B
公开(公告)日：2024-01-30
申请号：CN202310500808.5
申请日：2023-05-06
申请人： 北京北方高业科技有限公司
IPC分类号： H01L27/144 , H01L27/146 , G01J5/10
摘要： 本公开涉及基于CMOS工艺的红外探测器盲像元和红外探测器，该红外探测器像元形成于CMOS测量电路系统上，盲像元与CMOS有效像元同步制备；CMOS测量电路系统包括集成电路基板，盲像元用于调节有效像元两端的电流或电压；盲像元包括：位于集成电路基板上的反射层、热敏板和柱状结构；柱状结构位于反射层和热敏板之间，反射层包括支撑底座，热敏板通过柱状结构和支撑底座与集成电路基板电连接；热敏板为不具有梁结构的板状结构。通过本公开的技术方案，提供一种CMOS工艺下红外探测器盲像元的结构，且该盲像元可与CMOS有效像元同步制备形成，无需增加额外的工艺步骤，工艺流程较简单；且二者膜层结构相同，响应于相同环境参数的变化一致，进而提升红外探测准确性。
-
公开(公告)号：CN116230725A
公开(公告)日：2023-06-06
申请号：CN202310500811.7
申请日：2023-05-06
申请人： 北京北方高业科技有限公司
IPC分类号： H01L27/144 , H01L27/146 , G01J5/10
摘要： 本公开涉及基于CMOS工艺的红外探测器盲像元和红外探测器，该盲像元形成于CMOS测量电路系统上，与CMOS有效像元同步制备；CMOS测量电路系统包括集成电路基板，盲像元用于调节有效像元两端的电流或电压；盲像元包括：位于集成电路基板上的反射层、热敏板和柱状结构；柱状结构位于反射层和热敏板之间，反射层包括支撑底座，热敏板通过柱状结构和支撑底座与集成电路基板电连接；热敏板不具有梁结构，相邻盲像元之间电连接。由此提供一种CMOS工艺下红外探测器的盲像元，且其可与CMOS有效像元同步制备形成，无需增加额外的工艺步骤，流程简单；且二者膜层结构相同，响应于相同环境参数的变化一致，可提升红外探测准确性，通过电连接提升对集成电路基板的适用性。
-
公开(公告)号：CN113432726B
公开(公告)日：2023-03-24
申请号：CN202110711255.9
申请日：2021-06-25
申请人： 北京北方高业科技有限公司
IPC分类号： G01J5/24
摘要： 本公开涉及一种具有组合柱状结构的红外探测器，红外探测器中，CMOS测量电路系统和CMOS红外传感结构均使用CMOS工艺制备，第一柱状结构位于反射层与梁结构之间，第二柱状结构位于吸收板与梁结构之间，吸收板和梁结构均包括电极层和至少两层介质层，第一柱状结构为实心柱状结构，第二柱状结构为空心柱状结构，第二柱状结构至少包括电极层；或者第一柱状结构为空心柱状结构，第二柱状结构为实心柱状结构，第一柱状结构至少包括电极层。通过本公开的技术方案，解决了传统MEMS工艺红外探测器的性能低，像素规模低，良率低以及一致性差的问题，有利于减小空心柱状结构的热导以及提高红外探测器的结构稳定性，增加吸收板面积，提升红外探测器的红外探测灵敏度。
-
公开(公告)号：CN113432724B
公开(公告)日：2023-03-24
申请号：CN202110711252.5
申请日：2021-06-25
申请人： 北京北方高业科技有限公司
IPC分类号： G01J5/24
摘要： 本公开涉及一种非制冷调谐型红外探测器，红外探测器中CMOS测量电路系统和CMOS红外传感结构均使用CMOS工艺制备，在CMOS测量电路系统上直接制备CMOS红外传感结构，反射层和悬空微桥结构之间设置有至少一层图案化金属互连层，图案化金属互连层与反射层之间电绝缘，图案化金属互连层用于调节红外探测器的谐振模式。通过本公开的技术方案，解决了传统MEMS工艺红外探测器的性能低，像素规模低，良率低以及一致性差等问题，有效提高了红外探测器的红外吸收率，拓宽了红外探测器的红外吸收谱段，增加了红外探测器的红外吸收谱段。
-
公开(公告)号：CN113932926B
公开(公告)日：2023-02-28
申请号：CN202111192830.5
申请日：2021-10-13
申请人： 北京北方高业科技有限公司
IPC分类号： G01J5/20
摘要： 本发明涉及一种非制冷红外探测器的制备方法及非制冷红外探测器，制备方法包括采用CMOS工艺制备CMOS测量电路系统和CMOS红外传感结构；制备CMOS红外传感结构包括采用RDL工艺在CMOS测量电路系统的顶层金属上制备第一金属互连层或者以CMOS测量电路系统的顶层金属作为第一金属互连层；在第一互连柱上方沉积第三金属互连层以形成梁结构；采用通孔工艺和CMP平坦化工艺制备第二互连柱，沉积第四金属互连层和第二介质层以形成吸收板。通过本发明的技术方案，解决了传统MEMS工艺非制冷红外探测器的性能低，像素规模低，良率低以及一致性差的问题，优化了非制冷红外探测器的性能。
-
公开(公告)号：CN113932927B
公开(公告)日：2023-01-06
申请号：CN202111192848.5
申请日：2021-10-13
申请人： 北京北方高业科技有限公司
IPC分类号： G01J5/20
摘要： 本发明涉及一种基于CMOS工艺的红外探测器的制备方法及红外探测器，制备方法包括采用CMOS工艺制备CMOS测量电路系统和CMOS红外传感结构；制备CMOS红外传感结构包括采用RDL工艺在CMOS测量电路系统的顶层金属上制备第一金属互连层或者以CMOS测量电路系统的顶层金属作为第一金属互连层；在第一互连柱上方沉积第三金属互连层以形成梁结构；沉积第五金属互连层和第二介质层以形成吸收板。通过本发明的技术方案，解决了传统MEMS工艺红外探测器的性能低，像素规模低，良率低以及一致性差的问题，优化了红外探测器的性能。
-
公开(公告)号：CN113447141B
公开(公告)日：2022-12-02
申请号：CN202110711256.3
申请日：2021-06-25
申请人： 北京北方高业科技有限公司
IPC分类号： G01J5/24
摘要： 本公开涉及一种基于CMOS工艺的红外微桥探测器，红外微桥探测器中的CMOS测量电路系统和CMOS红外传感结构均使用CMOS工艺制备，CMOS制作工艺包括金属互连工艺、通孔工艺、IMD工艺以及RDL工艺，CMOS红外传感结构中的柱状结构包括至少一层实心柱状结构和/或至少一层空心柱状结构，悬空微桥结构包括吸收板和梁结构，吸收板上形成有至少一个孔状结构，孔状结构至少贯穿吸收板中的介质层；和/或，梁结构上形成有至少一个孔状结构。通过本公开的技术方案，解决了传统MEMS工艺红外微桥探测器的性能低，像素规模低，良率低以及一致性差等问题，优化了吸收板的平坦化程度，减小了梁结构的热导，优化了红外微桥探测器的性能。
-
公开(公告)号：CN113720474B
公开(公告)日：2022-11-15
申请号：CN202110324026.1
申请日：2021-03-26
申请人： 北京北方高业科技有限公司
IPC分类号： G01J5/24
摘要： 本公开涉及一种基于CMOS工艺的红外探测器镜像像元和红外探测器，该镜像像元包括：CMOS测量电路系统和CMOS红外传感结构，CMOS测量电路系统和CMOS红外传感结构均使用CMOS工艺制备，在CMOS测量电路系统上直接制备CMOS红外传感结构；CMOS红外传感结构包括反射层、红外转换结构和多个柱状结构，红外转换结构通过柱状结构和支撑底座与CMOS测量电路系统电连接；CMOS红外传感结构还包括金属结构，金属结构位于红外转换结构和反射层之间，至少部分反射板位于金属结构的正投影区域内。通过本公开的技术方案，解决了传统MEMS工艺红外探测器的性能低，像素规模低，良率低等问题。
-
公开(公告)号：CN113720468B
公开(公告)日：2022-10-11
申请号：CN202110324038.4
申请日：2021-03-26
申请人： 北京北方高业科技有限公司
摘要： 本公开涉及一种基于CMOS工艺的红外探测器及其制备方法，红外探测器包括CMOS测量电路系统和位于CMOS测量电路系统上的CMOS红外传感结构，CMOS测量电路系统和CMOS红外传感结构均采用CMOS工艺制备；红外转换结构临近CMOS测量电路系统的表面对应柱状结构所在位置呈阶梯状，红外转换结构未与柱状结构接触的表面高于红外转换结构与柱状结构接触的表面。通过本公开的技术方案，解决了传统MEMS工艺红外探测器的性能低，像素规模低，良率低等问题，有效降低了牺牲层中间区域的凹陷程度，优化了整个红外探测器的平坦化程度。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
搜索结果
133 条记录 (耗时 0.05 秒)
