公开(公告)号：CN103794488A

公开(公告)日：2014-05-14

申请号：CN201210433685.X

申请日：2012-11-02

Applicant: 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司

Inventor： 蒋中伟

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/268 ,  C23F1/02 ,  B23K26/362

CPC classification number: H01L21/02019

Abstract: 本发明提出一种衬底的刻蚀方法，其包括以下步骤：提供第一衬底；在第一衬底之上形成第一掩膜图形，第一掩膜图形穿透第一衬底；将第一衬底转移至第二衬底；以及通过第一衬底之上的第一掩膜图形对第二衬底进行刻蚀。采用本发明提出的衬底刻蚀方法，能够对难刻蚀材料进行深刻蚀，可以在刻蚀过程中提供足够的掩膜，在保证获得所需的刻蚀深度的同时，保证硬掩膜下的材料不被损伤。此外，该刻蚀方法更加简单方便，可靠性、安全性得到显著提高。

公开(公告)号：CN103789771A

公开(公告)日：2014-05-14

申请号：CN201210420577.9

申请日：2012-10-29

Applicant: 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司

Inventor： 蒋中伟

IPC: C23F4/00 ,  B81C1/00 ,  H01L21/3065

Abstract: 本发明公开了一种等离子体处理方法。该等离子体处理方法包括：向工艺腔室内通入第一反应气体；通过所述第一反应气体对刻蚀处理后的衬底进行等离子体处理，以去除扇形形貌。本发明提供的等离子体处理方法的技术方案中，可通过第一反应气体对刻蚀处理后的衬底进行等离子体处理以消除或者减小扇形形貌，从而极大的减小了衬底的侧壁粗糙度。

公开(公告)号：CN102468105A

公开(公告)日：2012-05-23

申请号：CN201010532812.2

申请日：2010-11-01

Applicant: 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司

Inventor： 蒋中伟

IPC: H01J37/32

Abstract: 本发明公开了一种电感耦合等离子体装置，包括：反应腔室；电感耦合线圈；静电卡盘，所述静电卡盘设置在所述反应腔室内，用于支撑待处理晶片；气体抽吸单元，所述气体抽吸单元与所述反应腔室相连接，用于对所述反应腔室抽真空；以及气体供给通路，所述气体供给通路选择性地与所述反应腔室和所述气体抽吸单元相连通。本发明的电感耦合等离子体装置可以减少了上步工艺残余气体对刻蚀效果的影响，从而提高了晶片生产的良品率。

公开(公告)号：CN205194654U

公开(公告)日：2016-04-27

申请号：CN201521037086.1

申请日：2015-12-14

Applicant: 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司

Inventor： 蒋中伟

IPC: H01J37/32 ,  H01L21/67

Abstract: 本实用新型公开了一种石英盖及真空反应腔室，该石英盖设置于真空反应腔室的上部，所述石英盖包括石英密封板和石英匀流板，所述石英密封板与所述真空反应腔室的侧壁和真空反应腔室的底壁围成所述真空反应腔室的内腔，所述石英匀流板位于所述内腔且在所述石英盖板的下方，所述石英密封板上设置有进气口，所述石英匀流板具有至少两个通孔，所述进气口、所述通孔和所述内腔之间连通。本实用新型中的石英盖的石英匀流板位于所述内腔且在所述石英盖板的下方，且进气口、通孔和内腔之间连通，从而使得工艺气体在内腔均匀分布，进而可以使得工艺时内腔内的晶片表面反应速率更加均匀，提高了工艺的稳定性，提高了生产的良品率。所述真空反应腔室包括上述的石英盖。