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公开(公告)号：CN110234785B
公开(公告)日：2022-05-24
申请号：CN201880009057.4
申请日：2018-01-31
Applicant: 出光兴产株式会社
IPC: C23C14/08 , C04B35/01 , C23C14/34 , H01L21/203 , H01L29/786
Abstract: 一种氧化物烧结体，含有In2O3晶体以及晶体A，所述晶体A在利用X射线即Cu‑Kα射线衍射测量观测到的、由下述(A)～(F)表达的入射角(2θ)的范围内具有衍射峰，31.0°～34.0°…(A)36.0°～39.0°…(B)50.0°～54.0°…(C)53.0°～57.0°…(D)9.0°～11.0°…(E)19.0°～21.0°…(F)。
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公开(公告)号：CN113614276A
公开(公告)日：2021-11-05
申请号：CN202080023273.1
申请日：2020-03-26
Applicant: 出光兴产株式会社
IPC: C23C14/08 , C30B29/22 , H01L29/786
Abstract: 本发明涉及一种晶体氧化物薄膜，其包含In元素、Ga元素以及Ln元素，In元素为主成分，Ln元素是从La、Nd、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb以及Lu构成的组中选择的一种以上的元素，平均晶体粒径D1为0.05μm以上、0.5μm以下。
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公开(公告)号：CN113195434A
公开(公告)日：2021-07-30
申请号：CN201980085191.7
申请日：2019-12-26
Applicant: 出光兴产株式会社
IPC: C04B35/01 , C23C14/34 , H01L21/363
Abstract: 本发明涉及一种烧结体，是含有In元素、Ga元素以及Ln元素的烧结体，包含：由In2O3表示的方铁锰矿结构的第1氧化物；含有In元素、Ga元素以及Ln元素的石榴石结构的第2氧化物；和满足由下述(1)、(2)以及(3)表示的原子组成比的范围的第3氧化物，Ln元素是选自La、Nd、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb以及Lu构成的组中的一种以上的元素。0.3≤In/(In+Ga+Ln)≤0.7…(1)0.3≤Ga/(In+Ga+Ln)≤0.7…(2)0≤Ln/(In+Ga+Ln)＜0.05…(3)。
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公开(公告)号：CN110447093A
公开(公告)日：2019-11-12
申请号：CN201880012548.4
申请日：2018-02-15
Applicant: 出光兴产株式会社
IPC: H01L21/363 , C04B35/453 , C23C14/08 , C23C14/34 , H01L29/786
Abstract: 一种氧化物半导体膜，其特征在于，以下述原子比含有In、Ga以及Sn，0.01≦Ga/(In+Ga+Sn)≦0.30…(1)0.01≦Sn/(In+Ga+Sn)≦0.40…(2)0.55≦In/(In+Ga+Sn)≦0.98…(3)，且以下述原子比含有稀土元素X，0.03≦X/(In+Ga+Sn+X)≦0.25…(4)。
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公开(公告)号：CN110234785A
公开(公告)日：2019-09-13
申请号：CN201880009057.4
申请日：2018-01-31
Applicant: 出光兴产株式会社
IPC: C23C14/08 , C04B35/01 , C23C14/34 , H01L21/203 , H01L29/786
Abstract: 一种氧化物烧结体，含有In2O3晶体以及晶体A，所述晶体A在利用X射线即Cu-Kα射线衍射测量观测到的、由下述(A)～(F)表达的入射角(2θ)的范围内具有衍射峰，31.0°～34.0°…(A)36.0°～39.0°…(B)50.0°～54.0°…(C)53.0°～57.0°…(D)9.0°～11.0°…(E)19.0°～21.0°…(F)。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113195434B
公开(公告)日：2023-08-08
申请号：CN201980085191.7
申请日：2019-12-26
Applicant: 出光兴产株式会社
IPC: C04B35/01 , C23C14/34 , H01L21/363
Abstract: 本发明涉及一种烧结体，是含有In元素、Ga元素以及Ln元素的烧结体，包含：由In2O3表示的方铁锰矿结构的第1氧化物；含有In元素、Ga元素以及Ln元素的石榴石结构的第2氧化物；和满足由下述(1)、(2)以及(3)表示的原子组成比的范围的第3氧化物，Ln元素是选自La、Nd、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb以及Lu构成的组中的一种以上的元素。0.3≤In/(In+Ga+Ln)≤0.7…(1)0.3≤Ga/(In+Ga+Ln)≤0.7…(2)0≤Ln/(In+Ga+Ln)＜0.05…(3)。
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公开(公告)号：CN110678433B
公开(公告)日：2023-01-06
申请号：CN201880020911.7
申请日：2018-03-29
Applicant: 出光兴产株式会社
IPC: C04B35/01 , C23C14/08 , C23C14/34 , H01L21/363 , H01L27/146 , H01L29/786
Abstract: 本发明涉及氧化物烧结体及制造方法、薄膜及薄膜晶体管、电子设备、溅射靶。其中，氧化物烧结体以下述式(1)～(3)所规定的范围的原子比含有In元素、Y元素以及Ga元素，0.80≦In/(In+Y+Ga)≦0.96…(1)0.02≦Y/(In+Y+Ga)≦0.10…(2)0.02≦Ga/(In+Y+Ga)≦0.15…(3)并且，以下述式(4)所规定的范围的原子比含有Al元素，0.005≦Al/(In+Y+Ga+Al)≦0.07…(4)式中，In、Y、Ga、Al分别表示氧化物烧结体中的In元素、Y元素、Ga元素以及Al元素的原子数。
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公开(公告)号：CN112512974B
公开(公告)日：2022-12-23
申请号：CN201980050314.3
申请日：2019-08-01
Applicant: 出光兴产株式会社
IPC: C01G15/00 , C04B35/01 , C30B29/22 , H01L21/363
Abstract: 本发明涉及一种化合物，由铟元素(In)、镓元素(Ga)、铝元素(Al)以及氧元素(O)形成，晶格常数为α＝111.70±0.50°，β＝107.70±0.50°以及γ＝90.00±0.50°，晶系呈现出三斜晶系。
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公开(公告)号：CN112512991A
公开(公告)日：2021-03-16
申请号：CN201980050258.3
申请日：2019-08-01
Applicant: 出光兴产株式会社
IPC: C04B35/01 , C01G15/00 , C23C14/08 , C23C14/34 , H01L29/786
Abstract: 本发明涉及一种晶体结构化合物A，以下述组成式(2)表示，在利用下述(A)～(K)所规定的X射线(Cu‑Kα射线)衍射测量观测到的入射角(2θ)的范围内具有衍射峰。(InxGayAlz)2O3····(2)(式(2)中，0.47≤x≤0.53，0.17≤y≤0.43，0.07≤z≤0.33，x+y+z＝1。)31°～34°…(A)、36°～39°…(B)、30°～32°…(C)、51°～53°…(D)、53°～56°…(E)、62°～66°…(F)、9°～11°…(G)、19°～21°…(H)、42°～45°…(I)、8°～10°…(J)、17°～19°…(K)。
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公开(公告)号：CN111668315A
公开(公告)日：2020-09-15
申请号：CN202010532733.5
申请日：2014-08-08
Applicant: 出光兴产株式会社
IPC: H01L29/872 , H01L29/861 , H01L29/47 , H01L29/26 , H01L29/24 , H01L29/04 , H01L21/34
Abstract: 本发明提供一种肖特基势垒二极管元件，其具有硅(Si)基板、氧化物半导体层、及肖特基电极层，且上述氧化物半导体层包含具有3.0eV以上且5.6eV以下的带隙的多晶和/或非晶质的氧化物半导体。
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