公开(公告)号：CN103149791A

公开(公告)日：2013-06-12

申请号：CN201210599085.0

申请日：2012-11-21

Applicant: 信越化学工业株式会社 ,  凸版印刷株式会社

Inventor： 吉川博树 ,  稻月判臣 ,  小板桥龙二 ,  金子英雄 ,  小岛洋介 ,  原口崇 ,  广濑智一

IPC: G03F1/32 ,  G03F1/80 ,  G03F1/72 ,  G03F1/78 ,  G03F7/20

CPC classification number: G03F1/32 ,  G03F1/26

Abstract: 本发明涉及一种光图案曝光方法，半色调相移掩模及半色调相移掩模坯料。光图案曝光方法是通过半色调相移掩模向抗蚀膜照射ArF准分子激光。该掩模包括透明衬底和包含过渡金属、硅、氮和氧的材料的半色调相移膜的图案，且所述材具有0.18-0.25的原子比(Met/Si)，25-50原子％的氮含量，以及5-20原子％的氧含量。该掩模可用ArF准分子激光以至少10kJ/cm2的累积剂量照射。

公开(公告)号：CN102385241A

公开(公告)日：2012-03-21

申请号：CN201110383933.X

申请日：2007-03-09

Applicant: 信越化学工业株式会社 ,  凸版印刷株式会社

Inventor： 吉川博树 ,  稻月判臣 ,  冈崎智 ,  原口崇 ,  佐贺匡 ,  小岛洋介 ,  千叶和明 ,  福岛佑一

IPC: G03F1/32 ,  G03F1/46

CPC classification number: G03F1/32 ,  C23F4/00 ,  G03F1/30 ,  G03F1/46 ,  G03F1/54 ,  G03F1/80 ,  Y10T428/31616

Abstract: 一种光掩模基板以及光掩模制作方法。该光掩模基板包括透明衬底、沉积在衬底上并包含易于氟干法蚀刻的金属或金属化合物的光屏蔽膜、以及沉积在该光屏蔽膜上并包含耐氟干法蚀刻的另一金属或金属化合物的蚀刻掩模膜。当对光屏蔽膜进行干法蚀刻以形成图案时，由图案密度的依赖性所引起的图案尺寸的变化减少了，从而以高精确度制造出光掩模。

公开(公告)号：CN101080671B

公开(公告)日：2010-05-12

申请号：CN200580043248.5

申请日：2005-12-02

Applicant: 凸版印刷株式会社

Inventor： 小西敏雄 ,  小岛洋介 ,  根本悟 ,  佐佐木淳 ,  田中启司

IPC: G03F1/08 ,  H01L21/027

CPC classification number: G03F1/30 ,  G03F1/28

Abstract: 一种相移掩模，具备透明基板、和形成在该透明基板上的遮光膜，在上述遮光膜上交替地形成有第1开口部和第2开口部，上述透明基板从上述第2开口部开始被凹入规定的深度，从而形成凹部，通过上述第1及第2开口部的透射光的相位交替地反转，其特征在于，根据上述遮光膜的上述第1开口部的开口端部和第2开口部的开口端部之间的截距，设定上述透射光的相位差。

公开(公告)号：CN104698737B

公开(公告)日：2019-04-02

申请号：CN201510140000.6

申请日：2011-09-09

Applicant: 信越化学工业株式会社 ,  凸版印刷株式会社

Inventor： 吉川博树 ,  稻月判臣 ,  小板桥龙二 ,  金子英雄 ,  原口崇 ,  小岛洋介 ,  广濑智一

IPC: G03F1/32 ,  G03F1/48 ,  G03F1/50 ,  G03F1/72

Abstract: 本发明涉及一种光掩模坯料和制造方法、光掩模、光图案曝光方法和过渡金属/硅基材料膜的设计方法。本发明特别涉及一种光掩模坯料，其具有过渡金属/硅基材料的膜，该过渡金属/硅基材料包含过渡金属、硅、氧和氮，具有至少3原子％的氧含量，并满足式：4×CSi/100‑6×CM/100>1，其中CSi是以原子％计的硅含量和CM是以原子％计的过渡金属含量。

公开(公告)号：CN102402117B

公开(公告)日：2015-10-21

申请号：CN201110348752.3

申请日：2011-09-09

Applicant: 信越化学工业株式会社 ,  凸版印刷株式会社

Inventor： 吉川博树 ,  稻月判臣 ,  小板桥龙二 ,  金子英雄 ,  原口崇 ,  小岛洋介 ,  广濑智一

IPC: G03F1/50 ,  G03F1/32 ,  G03F1/72 ,  G03F1/48

CPC classification number: G03F1/72 ,  G03F1/32 ,  G03F1/48 ,  G03F1/50

Abstract: 本发明涉及一种光掩模坯料和制造方法、光掩模、光图案曝光方法和过渡金属/硅基材料膜的设计方法。本发明特别涉及一种光掩模坯料，其具有过渡金属/硅基材料的膜，该过渡金属/硅基材料包含过渡金属、硅、氧和氮，具有至少3原子％的氧含量，并满足式：4×CSi/100-6×CM/100＞1，其中CSi是以原子％计的硅含量和CM是以原子％计的过渡金属含量。

公开(公告)号：CN103135362B

公开(公告)日：2015-09-30

申请号：CN201210599017.4

申请日：2012-11-21

Applicant: 信越化学工业株式会社 ,  凸版印刷株式会社

Inventor： 吉川博树 ,  稻月判臣 ,  小板桥龙二 ,  金子英雄 ,  小岛洋介 ,  原口崇 ,  广濑智一

IPC: G03F7/20 ,  G03F1/32 ,  G03F1/72

CPC classification number: G03F1/00 ,  G03F1/32 ,  G03F1/60

Abstract: 本发明涉及一种光图案曝光方法，光掩模及光掩模坯料。光图案曝光方法是通过光掩模向抗蚀膜照射ArF准分子激光。光掩模包括透明衬底和包含过渡金属、硅、氮和氧的材料的光学膜的图案，过渡金属、硅、氮和氧的含量在特定范围内。光掩模可被ArF准分子激光以至少10kJ/cm2的累积剂量照射过。

公开(公告)号：CN1973244A

公开(公告)日：2007-05-30

申请号：CN200580020602.2

申请日：2005-04-19

Applicant: 凸版印刷株式会社

Inventor： 小岛洋介 ,  小西敏雄 ,  田中启司 ,  大泷雅央 ,  佐佐木淳

IPC: G03F1/08 ,  G03F7/20 ,  H01L21/027

CPC classification number: G03F1/30 ,  G03F1/36

Abstract: 一种Levenson型相移掩模，具有形成在透明衬底上的遮光部分和开口。部分挖掘开口处的透明衬底或者在开口处的透明衬底上部分设置透明膜，以形成移相器开口和非移相器开口。移相器开口和非移相器开口重复存在于掩模中。移相器开口将透射光的相位反相。该Levenson型相移掩模具有从两侧插入在相邻的相同类型的开口之间的遮光部分图案。该遮光部分图案受到偏移修正，相对于通过掩模设计设定的预定设计线宽，所述偏移修正使遮光部分图案以预定量向其两侧扩展。