公开(公告)号：CN1690183A

公开(公告)日：2005-11-02

申请号：CN200510067052.1

申请日：2005-04-27

Applicant: 恩益禧电子股份有限公司 ,  关东化学株式会社

Inventor： 青木秀充 ,  铃木达也 ,  大和田拓央 ,  池上薰 ,  石川典夫

IPC: C11D7/32 ,  G03F7/42 ,  H01L21/304

CPC classification number: H01L21/02063 ,  C11D7/08 ,  C11D7/10 ,  C11D7/265 ,  C11D11/0047 ,  G03F7/426

Abstract: 制造半导体器件的方法在衬底上形成的镍硅化物层上形成层间绝缘膜，并通过使用在层间绝缘膜上形成的光致抗蚀剂图形作为掩模进行干蚀刻来形成通孔，然后通过灰化除去光致抗蚀剂图形。使用由具有1.0到5.0质量百分比的含氟化合物的含量、0.2到5.0质量百分比的螯合剂的含量和0.1到3.0质量百分比的有机酸盐的含量的水溶液组成的清洗液来清洗灰化工艺之后的晶片。

公开(公告)号：CN1660983A

公开(公告)日：2005-08-31

申请号：CN200410098311.2

申请日：2004-12-03

Applicant: 关东化学株式会社 ,  三洋电机株式会社

Inventor： 石川典夫 ,  木野村芳孝 ,  泥谷秀树

IPC: C11D7/50 ,  H05B33/12

CPC classification number: C11D7/5004

Abstract: 本发明提供一种可以用1种清洗液去除附着在低分子型有机EL元件制造的真空蒸镀工序中掩模上的各种有机材料的清洗液以及清洗方法。本发明的所述清洗液含有1种或2种或以上的非质子性极性溶剂。

公开(公告)号：CN1203163C

公开(公告)日：2005-05-25

申请号：CN98116270.3

申请日：1998-08-10

Applicant: 关东化学株式会社 ,  恩益禧电子股份有限公司

Inventor： 石川典夫 ,  森清人 ,  青木秀充

IPC: C11D9/30

CPC classification number: H01L21/02074 ,  C11D7/265 ,  C11D7/3245 ,  C11D11/0047 ,  H05K3/26

Abstract: 提供一种不腐蚀金属、可以容易地去除基板表面的金属杂质的洗涤液，即在环境负荷、保存性等方面没有问题的、布设了金属配线后的基板洗涤用的洗涤液。布设了金属配线后的基板洗涤用洗涤液，其特征在于含有草酸、草酸铵、多氨基羧酸类中至少一种。

公开(公告)号：CN1434492A

公开(公告)日：2003-08-06

申请号：CN02154501.4

申请日：2002-12-04

Applicant: 恩益禧电子股份有限公司 ,  关东化学株式会社

Inventor： 渡边薰 ,  石川典夫 ,  青木秀充 ,  森清人

IPC: H01L21/306 ,  H01L21/304

CPC classification number: H01L21/6708 ,  Y10S134/902

Abstract: 本发明涉及一种通过化学溶液溶解和除去粘附于半导体衬底的钌基金属的化学溶液处理装置，其具有化学溶液处理单元，和具有排气管道的储存单元，所述的储存单元用于储存化学溶液，以便使源自所述的化学溶液处理中溶解和去除的钌基金属的气体成分挥发而脱离化学溶液，其中，与衬底接触之后的化学溶液在化学溶液处理单元中的停留时间比化学溶液在储存单元中的停留时间短。

公开(公告)号：CN1346864A

公开(公告)日：2002-05-01

申请号：CN01142051.0

申请日：2001-09-07

Applicant: 关东化学株式会社

Inventor： 石川典夫 ,  森清人

IPC: C09K13/04

CPC classification number: H01L31/1884 ,  C09K13/00 ,  H01L21/32134 ,  Y02E10/50

Abstract: 本发明提供一种蚀刻液组合物,该组合物含有透明导电膜用蚀刻液,以及从聚磺酸化合物和聚氧化乙烯－聚氧化丙烯嵌段共聚物构成的物质组中选取的一种或两种以上的化合物。该蚀刻液对发泡性具有抑制作用,而且蚀刻后不产生残渣。

公开(公告)号：CN103046050A

公开(公告)日：2013-04-17

申请号：CN201210393956.3

申请日：2012-10-17

Applicant: 关东化学株式会社

Inventor： 山口隆雄 ,  石川典夫

IPC: C23F1/16 ,  C23F1/18

Abstract: 本发明涉及一种在FPD（平板显示器）的显示装置、太阳能电池或触控面板的电极等中使用的透明导电膜的蚀刻液组合物，并提供可对铜和/或铜合金膜与氧化铟锡等透明导电膜同时进行蚀刻处理的蚀刻液组合物。本发明的用于对铜和/或铜合金膜与透明导电膜同时进行蚀刻处理的蚀刻液组合物，其包括盐酸、氯化铁或氯化铜，以及水，盐酸的浓度为15.0~36.0重量%，氯化铁或氯化铜的浓度为0.05~2.00重量%。

公开(公告)号：CN1716104B

公开(公告)日：2011-11-16

申请号：CN200510081085.1

申请日：2005-06-29

Applicant: 关东化学株式会社

Inventor： 大和田拓央 ,  池上薰 ,  石川典夫

IPC: G03F7/42

CPC classification number: G03F7/423 ,  G03F7/425

Abstract: 本发明提供一种光致抗蚀剂残渣及聚合物残渣的除去组合物，其用于在具有铜及以铜为主要成分的合金、各种低介电常数膜的半导体装置的制造步骤中，除去在干蚀刻后及灰化后所残留的光致抗蚀剂残渣及聚合物残渣。该组合物包含至少1种氟化合物、至少1种有机酸、至少1种有机胺和水，且所述组合物的pH值为4～7，除了水以外的成分的总含量相对于全部组合物为0.3～30重量％。

公开(公告)号：CN101538716B

公开(公告)日：2011-02-09

申请号：CN200910132574.3

申请日：2001-02-23

Applicant: 关东化学株式会社 ,  瑞萨电子株式会社

Inventor： 青木秀充 ,  渡边香织 ,  石川典夫 ,  森清人

IPC: C23F1/30 ,  H01L21/00

Abstract: 本发明提供一种含钌金属的去除剂及其使用方法，该去除剂包括(a)硝酸铈(IV)盐和(b)选自硝酸、高氯酸和乙酸构成的组中的至少一种酸。

公开(公告)号：CN101876076A

公开(公告)日：2010-11-03

申请号：CN201010165519.7

申请日：2010-04-27

Applicant: 关东化学株式会社

Inventor： 山口隆雄 ,  石川典夫

IPC: C23F1/32 ,  C09K13/06 ,  H01L21/306

Abstract: 本发明提供了一种草酸铟溶解剂，解决了现有问题，该草酸铟溶解剂化学性地溶解去除沉积在由氧化铟锡(ITO)膜或氧化铟锌(IZO)膜形成的透明导电膜的湿蚀刻装置内的草酸铟。本发明涉及一种用于溶解去除在蚀刻装置体系内沉积的草酸铟的溶解剂组合物，其特征在于，所述溶解剂组合物为含有碱性成分以及从氨基多羧酸及其盐中选择的1种或2种以上的水溶液，本发明还涉及使用该溶解剂组合物的蚀刻装置体系内的清洗方法。

公开(公告)号：CN101580774A

公开(公告)日：2009-11-18

申请号：CN200910136547.3

申请日：2009-05-06

Applicant: 关东化学株式会社

Inventor： 村上丰 ,  石川典夫

IPC: C11D7/26 ,  C11D7/32 ,  H01L21/304

CPC classification number: C11D11/0047 ,  C11D3/2082 ,  C11D3/2086 ,  C11D3/33 ,  C11D7/265 ,  C11D7/3245

Abstract: 本发明的目的是提供一种半导体基板洗涤液组合物，其在半导体电路元件的制备工序中，可以去除基板表面的金属杂质而不腐蚀铜布线。本发明的清洗半导体基板的洗涤液，为含有一种或两种以上的脂肪族多元羧酸类和一种或两种以上的碱性氨基酸类的洗涤液组合物，由此，在具有铜布线的半导体基板的清洗工序中，特别是在化学机械抛光(CMP)后的铜布线裸露的半导体基板的清洗工序中，可以去除金属杂质而不腐蚀铜布线。