公开(公告)号：CN1716104A

公开(公告)日：2006-01-04

申请号：CN200510081085.1

申请日：2005-06-29

Applicant: 关东化学株式会社

Inventor： 大和田拓央 ,  池上薰 ,  石川典夫

IPC: G03F7/42

CPC classification number: G03F7/423 ,  G03F7/425

Abstract: 本发明提供一种光致抗蚀剂残渣及聚合物残渣的除去组合物，其用于在具有铜及以铜为主要成分的合金、各种低导电率膜的半导体装置的制造步骤中，除去在干蚀刻后及灰化后所残留的光致抗蚀剂残渣及聚合物残渣。该组合物包含至少1种氟化合物、至少1种有机酸、至少1种有机胺和水，且所述组合物的pH值为4～7，除了水以外的成分的总含量相对于全部组合物为0.3～30重量％。

公开(公告)号：CN1637604A

公开(公告)日：2005-07-13

申请号：CN200510003846.1

申请日：2005-01-07

Applicant: 关东化学株式会社

Inventor： 池上薰 ,  石川典夫

IPC: G03F7/039

Abstract: 本发明提供一种不需要紫外线照射的前处理、在室温下可以剥离正型抗蚀剂的剥离液，其可以在装置内快速地消泡，而且对环境的影响小。本发明的光致抗蚀剂剥离液组合物剥离以苯醌二叠氮化物为感光性物质的正型光致抗蚀剂，该组合物含有下述成分：偏硅酸钠或氢氧化钠之中的任何一种，从二乙二醇或三乙二醇的单丁基醚或单己基醚之中选择的一种、两种或以上，以及水。

公开(公告)号：CN1716104B

公开(公告)日：2011-11-16

申请号：CN200510081085.1

申请日：2005-06-29

Applicant: 关东化学株式会社

Inventor： 大和田拓央 ,  池上薰 ,  石川典夫

IPC: G03F7/42

CPC classification number: G03F7/423 ,  G03F7/425

Abstract: 本发明提供一种光致抗蚀剂残渣及聚合物残渣的除去组合物，其用于在具有铜及以铜为主要成分的合金、各种低介电常数膜的半导体装置的制造步骤中，除去在干蚀刻后及灰化后所残留的光致抗蚀剂残渣及聚合物残渣。该组合物包含至少1种氟化合物、至少1种有机酸、至少1种有机胺和水，且所述组合物的pH值为4～7，除了水以外的成分的总含量相对于全部组合物为0.3～30重量％。

公开(公告)号：CN1322105C

公开(公告)日：2007-06-20

申请号：CN200510067052.1

申请日：2005-04-27

Applicant: 恩益禧电子股份有限公司 ,  关东化学株式会社

Inventor： 青木秀充 ,  铃木达也 ,  大和田拓央 ,  池上薰 ,  石川典夫

IPC: C11D7/32 ,  G03F7/42 ,  H01L21/304

CPC classification number: H01L21/02063 ,  C11D7/08 ,  C11D7/10 ,  C11D7/265 ,  C11D11/0047 ,  G03F7/426

Abstract: 制造半导体器件的方法在衬底上形成的镍硅化物层上形成层间绝缘膜，并通过使用在层间绝缘膜上形成的光致抗蚀剂图形作为掩模进行干蚀刻来形成通孔，然后通过灰化除去光致抗蚀剂图形。使用由具有1.0到5.0质量百分比的含氟化合物的含量、0.2到5.0质量百分比的螯合剂的含量和0.1到3.0质量百分比的有机酸盐的含量的水溶液组成的清洗液来清洗灰化工艺之后的晶片。

公开(公告)号：CN1831654A

公开(公告)日：2006-09-13

申请号：CN200610054750.2

申请日：2006-03-10

Applicant: 关东化学株式会社

Inventor： 大和田拓央 ,  池上薰

IPC: G03F7/42

CPC classification number: G03F7/426 ,  G03F7/425

Abstract: 本发明提供光致抗蚀剂剥离液组合物、以及光致抗蚀剂和光致抗蚀剂变质层的剥离方法，其在半导体电路元件的制造工序中，对干蚀刻后残留的光致抗蚀剂以及光致抗蚀剂变质层等具有优良的剥离性；且不会对新型的布线材料和层间绝缘膜材料产生浸蚀。本发明所使用的光致抗蚀剂剥离液组合物含有：炔醇化合物和有机磺酸化合物之中的至少1种、以及多元醇及其衍生物之中的至少1种。

公开(公告)号：CN1831654B

公开(公告)日：2012-07-18

申请号：CN200610054750.2

申请日：2006-03-10

Applicant: 关东化学株式会社

Inventor： 大和田拓央 ,  池上薰

IPC: G03F7/42

CPC classification number: G03F7/426 ,  G03F7/425

Abstract: 本发明提供光致抗蚀剂剥离液组合物、以及光致抗蚀剂和光致抗蚀剂变质层的剥离方法，其在半导体电路元件的制造工序中，对干蚀刻后残留的光致抗蚀剂以及光致抗蚀剂变质层等具有优良的剥离性；且不会对新型的布线材料和层间绝缘膜材料产生浸蚀。本发明所使用的光致抗蚀剂剥离液组合物含有：炔醇化合物和有机磺酸化合物之中的至少1种、以及多元醇及其衍生物之中的至少1种。

公开(公告)号：CN1690183A

公开(公告)日：2005-11-02

申请号：CN200510067052.1

申请日：2005-04-27

Applicant: 恩益禧电子股份有限公司 ,  关东化学株式会社

Inventor： 青木秀充 ,  铃木达也 ,  大和田拓央 ,  池上薰 ,  石川典夫

IPC: C11D7/32 ,  G03F7/42 ,  H01L21/304

CPC classification number: H01L21/02063 ,  C11D7/08 ,  C11D7/10 ,  C11D7/265 ,  C11D11/0047 ,  G03F7/426

Abstract: 制造半导体器件的方法在衬底上形成的镍硅化物层上形成层间绝缘膜，并通过使用在层间绝缘膜上形成的光致抗蚀剂图形作为掩模进行干蚀刻来形成通孔，然后通过灰化除去光致抗蚀剂图形。使用由具有1.0到5.0质量百分比的含氟化合物的含量、0.2到5.0质量百分比的螯合剂的含量和0.1到3.0质量百分比的有机酸盐的含量的水溶液组成的清洗液来清洗灰化工艺之后的晶片。