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公开(公告)号：CN113162072A
公开(公告)日：2021-07-23
申请号：CN202110449595.9
申请日：2021-04-25
Applicant: 全球能源互联网研究院有限公司 , 国家电网有限公司 , 武汉大学
Abstract: 本发明提供一种基于光伏电站运行特性和光照强度的变下垂系数控制方法。该方法在光伏发电有功‑频率和无功‑电压下垂控制的基础上，结合太阳辐照度和光伏电站运行特性，对有功‑频率和无功‑电压下垂控制设置随太阳辐照度和光伏电站运行特性变化的下垂系数，从而让光伏发电更加充分的参与到电力系统调频和调压中。本发明通过增大有功‑频率特性曲线和无功‑电压特性曲线在运行点附近的下垂系数,减小频率和电压偏差，提高电力系统的稳定性；通过增大有功或无功调节裕量较大的光伏电站的下垂系数，使裕量较大的光伏电站在调频和调压过程中承担更多任务，各光伏电站充分发挥调频和调压能力，提高光伏电站间协调控制的精度。
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公开(公告)号：CN109473422B
公开(公告)日：2021-04-23
申请号：CN201811153245.2
申请日：2018-09-29
Applicant: 全球能源互联网研究院有限公司
Abstract: 本发明涉及压接器件技术领域，具体公开了一种压接器件的封装结构和电流测试方法，封装结构包括设置于电路板上的若干压接芯片，所述电路板的外围设置有若干错位过孔，导电线沿错位方向依次绕制于各所述错位过孔形成罗氏线圈。一方面，可以通过罗氏线圈对电路板上的压接芯片进行电流检测；另一方面，罗氏线圈相当于直接设置于电路板内部，减小了罗氏线圈所占用的空间，无需扩大整个压接器件的封装结构的尺寸，仍然能够保证压接器件整体的高功率密度。另外，由于罗氏线圈是直接设置于电路板内部的，因此无需对罗氏线圈进行装配，使用非常方便。
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公开(公告)号：CN106771947B
公开(公告)日：2020-10-13
申请号：CN201611060556.5
申请日：2016-11-25
Applicant: 全球能源互联网研究院有限公司
IPC: G01R31/26
Abstract: 本发明提供了一种用于IGBT浪涌电流的检测电路及其检测方法，其检测电路包括：充电回路和放电回路；充电回路包括：串联的高压充电单元、充电开关和储能电容；放电回路包括：串联的辅助IGBT、负载电感和放电开关；其中，充电开关和放电开关相连，高压充电单元分别与储能电容和辅助IGBT连接。本发明提供的技术方案中设置的辅助IGBT和时序控制切换实现了对IGBT耐受能力的检测及分断浪涌电流能力的检测，为验证IGBT是否满足直流断路器这一特殊工况提供了可行的模拟方法。
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公开(公告)号：CN111293040A
公开(公告)日：2020-06-16
申请号：CN202010104556.0
申请日：2020-02-20
Applicant: 全球能源互联网研究院有限公司 , 国网浙江省电力有限公司 , 国家电网有限公司
IPC: H01L21/04
Abstract: 本发明公开了一种n型掺杂离子注入准确度的提升方法。本发明包括：根据目标值采用TRIM仿真继而确定n型掺杂离子的注入能量和剂量的仿真值；根据仿真值对碳化硅外延层进行离子注入；对注入后的碳化硅外延层进行SIMS检测获得实际注入值，比较实际注入值与目标值之间的偏差；根据偏差对仿真值进行校准，根据校准后的仿真值再次进行离子注入；重复上述对仿真值进行校准的步骤，确定最终离子注入能量和剂量以获得最接近目标值的实际注入值。本发明记载了相应的缩小离子注入目标值与实际注入值之间偏差的方法，通过多次对注入碳化硅外延层的n型掺杂离子的仿真值进行校准，进而使碳化硅器件的离子注入的实际注入值与目标值更加接近，以加快器件的研制。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109212399B
公开(公告)日：2021-01-01
申请号：CN201810906443.5
申请日：2018-08-10
Applicant: 全球能源互联网研究院有限公司
IPC: G01R31/26
Abstract: 本发明公开了一种半导体器件高温电特性测试装置及方法，该装置包括：脉冲电源、恒温加热设备、电特性测试设备，在第一预设时间内，脉冲电源向待测器件提供电流脉冲，恒温加热设备对待测器件进行加热；在第一预设时间后，脉冲电源与待测器件的连接断开，恒温加热设备对待测器件进行调温，使待测器件的结温达到并保持目标温度；电特性测试设备对待测器件进行高温电特性测试。通过实施本发明，使待测器件在自身损耗和恒温加热装置的共同作用下加热，升温速度快；电特性测试设备在器件升温过程中不与器件接触，避免受高温影响；脉冲电源与电特性测试设备在测试期间断开，避免两个设备相互影响，使得测试过程更加安全，且可以连续的长时间快速大批量测试。
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公开(公告)号：CN109004024A
公开(公告)日：2018-12-14
申请号：CN201810706963.1
申请日：2018-07-02
Applicant: 全球能源互联网研究院有限公司 , 国家电网有限公司 , 国网河北省电力有限公司
IPC: H01L29/739 , H01L21/331 , H01L29/06
Abstract: 本发明提供一种半导体器件及其制作方法，该半导体制作方法包括：提供第一衬底；在所述第一衬底的表面形成第一阱区；在所述第一阱区中形成第二阱区；提供第二衬底，所述第二衬底导电类型与所述第一衬底导电类型相同；在所述第二衬底的表面形成第三阱区；将所述第一衬底未形成阱的表面和所述第二衬底未形成阱的表面进行键合。该方法采取背面直接键合的方式，形成高压逆阻IGBT，所形成的器件能够实现高压反向耐压，且制作工艺与传统IGBT制造工艺兼容，工艺简单，可实施性强，克服了现有技术中高压逆阻IGBT制作困难、成本高昂等问题。
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公开(公告)号：CN108987350A
公开(公告)日：2018-12-11
申请号：CN201810712912.X
申请日：2018-06-29
Applicant: 全球能源互联网研究院有限公司
IPC: H01L23/10 , H01L23/043 , H01L23/22 , H01L23/473 , H01L21/52
Abstract: 本发明提供了一种半导体器件封装结构和方法，该封装结构包括：第一电极片；第二电极片，与所述第一电极片相对设置；半导体器件芯片，置在所述第一电极片和第二电极片之间；支撑部件，设置在所述半导体器件芯片的侧面，以在所述半导体器件芯片、所述第一电极片与所述支撑部件之间和/或所述半导体器件芯片、所述第二电极片与所述支撑部件之间形成空腔，并且所述支撑部件具有贯穿所述支撑部件且与所述空腔连通的通孔。所述半导体器件在使用时，通过该支撑部件上的通孔向该腔体内注入导电流体，有效提高器件封装的可靠性；对半导体器件芯片有良好的散热作用；同时具有良好的自保护功能，一旦液体泄漏，上电极或下电极自动与芯片开路。
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公开(公告)号：CN107731768A
公开(公告)日：2018-02-23
申请号：CN201710806890.9
申请日：2017-09-08
Applicant: 全球能源互联网研究院有限公司
Abstract: 本发明涉及大功率IGBT模块封装技术领域，具体涉及一种IGBT模块封装结构，包括绝缘基板；至少两个IGBT芯片并联支路组，设于所述绝缘基板上；至少两个发射极汇流结构，与所述IGBT芯片并联支路组一一对应地设置于所述绝缘基板上，且多个所述发射极汇流结构之间相互绝缘，每个所述IGBT芯片并联支路组的发射极与其对应的所述发射极汇流结构电气连接；发射极端子母线，设于所述绝缘基板上，与每个所述发射极汇流结构电气连接。本发明提供的IGBT模块封装结构，能够有效抑制关断时刻高频拖尾振荡。
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公开(公告)号：CN208796983U
公开(公告)日：2019-04-26
申请号：CN201821038994.6
申请日：2018-06-29
Applicant: 全球能源互联网研究院有限公司
Abstract: 本实用新型提供了一种半导体器件封装结构，该半导体器件封装结构，包括：第一电极片；第二电极片，与所述第一电极片相对设置；半导体器件芯片，设置在所述第一电极片和第二电极片之间；以及导电弹性部件，设置在所述半导体器件芯片与所述第一电极片之间和/或所述半导体器件芯片与所述第二电极片之间。该封装结构通过在半导体器件芯片与电极片之间设置导电弹性部件，通过该导电弹性部件缓冲并释放封装时施加在所述功率半导体器件芯片上的应力，有效保护功率半导体器件芯片不因局部受力过大而损坏，有效提高器件封装的可靠性，获得良好的封装和器件性能。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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