公开(公告)号：CN111684572A

公开(公告)日：2020-09-18

申请号：CN201980012334.1

申请日：2019-02-26

Applicant: 信越半导体株式会社

Inventor： 五十岚健作 ,  阿部达夫

IPC: H01L21/304 ,  B08B3/04 ,  H01L21/683

Abstract: 本发明为一种晶圆的处理装置，其具备能够在腔室内旋转的台及配置在该台上的多个保持销，由该多个保持销保持晶圆的周缘部，且一边使该晶圆旋转一边进行清洗及/或干燥处理，其特征在于，所述多个保持销中的一个以上的保持销是可驱动的，并对所述晶圆按压而进行保持，使得施加于受保持的晶圆的合力为将该晶圆弯曲至上凸的方向。由此，提供能够防止颗粒在晶圆旋转中心密集并能够防止产生干燥痕等的晶圆的处理装置及晶圆的处理方法。

公开(公告)号：CN110140197A

公开(公告)日：2019-08-16

申请号：CN201780082034.1

申请日：2017-12-20

Applicant: 信越半导体株式会社

Inventor： 五十岚健作 ,  阿部达夫

IPC: H01L21/304

Abstract: 一种半导体晶圆的洗净方法，对于在表面形成有氧化膜的半导体晶圆予以供给得以除去该氧化膜的洗净液，且在旋转该半导体晶圆的同时予以进行洗净，而将形成于该半导体晶圆的表面的氧化膜予以除去，其中该氧化膜的除去，系自该洗净液的洗净开始直至疏水面出现前为止，以该半导体晶圆的旋转速度为300rpm以上而进行，之后以切换该半导体晶圆的旋转速度为100rpm以下而进行而将该氧化膜完全除去。由此提供能兼得表面粗糙度的改善及表面缺陷的抑制的半导体晶圆的洗净方法。