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公开(公告)号：CN101382730A
公开(公告)日：2009-03-11
申请号：CN200810212835.8
申请日：2008-09-05
Applicant: 信越化学工业株式会社
Inventor： 白崎享
CPC classification number: G03F1/64 , Y10T428/13
Abstract: 本发明的目的在于提供一种优异的防护薄膜框架，其能防止因为防护薄膜张力或使用处理所造成的框架歪曲，并能防止因为黏贴防护薄膜组件所造成的光罩歪曲。为达成上述目的，在半导体平板印刷所使用的防护薄膜框架中，用弹性系数不同的2种以上的材料接合制成框架。其中，更宜用弹性系数10GPa以下的材料与弹性系数50GPa以上的材料制成框架，或在垂直防护薄膜膜面方向上以多层接合的方式制成防护薄膜框架，或将弹性系数大的材料堆迭在最外层，或用相反的堆迭构造。
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公开(公告)号：CN101349875A
公开(公告)日：2009-01-21
申请号：CN200810129297.6
申请日：2008-06-30
Applicant: 信越化学工业株式会社
Inventor： 白崎享
CPC classification number: G03F1/64
Abstract: 本发明的目的在于提供一种防护薄膜框架，其可使光罩在完成后即使黏贴防护薄膜组件，光罩的平面度也不易恶化。为达成上述目的，在半导体光刻使用的防护薄膜组件中，本发明的防护薄膜框架使用杨氏模量100GPa以上的材料。又，在半导体光刻使用的防护薄膜组件中，该防护薄膜框架的平面度在15μm以下。
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公开(公告)号：CN101281362A
公开(公告)日：2008-10-08
申请号：CN200810083165.4
申请日：2008-03-07
Applicant: 信越化学工业株式会社
Inventor： 白崎享
IPC: G03F1/14
CPC classification number: G03F1/64
Abstract: 本发明的目的在于提供一种防护薄膜，即使将该防护薄膜贴附在掩模上，也不会损害到掩模的平坦度。本发明的防护薄膜的特征是，该防护薄膜的框架的掩模贴附侧的平坦度在30μm以下，且该防护薄膜的框架的防护薄膜侧的平坦度在15μm以下。
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公开(公告)号：CN117751325A
公开(公告)日：2024-03-22
申请号：CN202280050110.1
申请日：2022-07-28
Applicant: 信越化学工业株式会社
Abstract: 本发明提供一种防护薄膜及防护膜，所述防护薄膜的特征在于包括具有氮化硼纳米管的膜(BNNT膜)，所述防护膜为包含防护薄膜以及防护膜框架、且所述防护薄膜经由接着剂设置于所述防护膜框架的一端面的光微影用防护膜，其特征在于，所述防护薄膜包含BNNT膜。根据本发明，可提供一种EUV曝光下的透过率高、耐热性及耐久性优异、且具有耐氢自由基性的防护薄膜及包括所述防护薄膜的防护膜。
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公开(公告)号：CN103901716B
公开(公告)日：2018-03-27
申请号：CN201310726595.4
申请日：2013-12-25
Applicant: 信越化学工业株式会社
Inventor： 白崎享
IPC: G03F1/62
Abstract: 本发明提供一种光刻技术用防尘薄膜组件,在防尘薄膜组件的处理中，即使在因防尘薄膜的张力下降导致防尘薄膜松弛的情况下也不会使防尘薄膜受到损伤。本发明是一种光刻技术用防尘薄膜组件，其具有防尘薄膜和防尘薄膜组件框架，所述防尘薄膜绷紧设置于所述防尘薄膜组件框架的上端表面，其特征在于，绷设有所述防尘薄膜的所述防尘薄膜组件框架的膜侧内切削面的角度小于45度，更优选所述防尘薄膜组件框架的膜侧内切削面的角度为10度至30度。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101382730B
公开(公告)日：2015-02-04
申请号：CN200810212835.8
申请日：2008-09-05
Applicant: 信越化学工业株式会社
Inventor： 白崎享
IPC: G03F1/64
CPC classification number: G03F1/64 , Y10T428/13
Abstract: 本发明的目的在于提供一种优异的防护薄膜框架，其能防止因为防护薄膜张力或使用处理所造成的框架歪曲，并能防止因为黏贴防护薄膜组件所造成的光罩歪曲。为达成上述目的，在半导体平板印刷所使用的防护薄膜框架中，用弹性系数不同的2种以上的材料接合制成框架。其中，更宜用弹性系数10GPa以下的材料与弹性系数50GPa以上的材料制成框架，或在垂直防护薄膜膜面方向上以多层接合的方式制成防护薄膜框架，或将弹性系数大的材料堆迭在最外层，或用相反的堆迭构造。
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公开(公告)号：CN103901716A
公开(公告)日：2014-07-02
申请号：CN201310726595.4
申请日：2013-12-25
Applicant: 信越化学工业株式会社
Inventor： 白崎享
IPC: G03F1/62
Abstract: 本发明提供一种光刻技术用防尘薄膜组件，在防尘薄膜组件的处理中，即使在因防尘薄膜的张力下降导致防尘薄膜松弛的情况下也不会使防尘薄膜受到损伤。本发明是一种光刻技术用防尘薄膜组件，其具有防尘薄膜和防尘薄膜组件框架，所述防尘薄膜绷紧设置于所述防尘薄膜组件框架的上端表面，其特征在于，绷设有所述防尘薄膜的所述防尘薄膜组件框架的膜侧内切削面的角度小于45度，更优选所述防尘薄膜组件框架的膜侧内切削面的角度为10度至30度。
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公开(公告)号：CN101930165B
公开(公告)日：2013-05-15
申请号：CN201010214013.0
申请日：2010-06-24
Applicant: 信越化学工业株式会社 , 英特尔公司
IPC: G03F1/64
CPC classification number: G03F1/64
Abstract: 本发明的目的在于提供一种防护膜框架，即使在将防护膜贴合于曝光底版上，仍可极力减轻因防护膜框架的变形所引起的曝光底版的变形；还提供一种具有此种防护膜框架的光刻用防护膜。本发明的防护膜框架，其特征在于，防护膜框架杆的剖面，是在上边与下边平行的基本四边形的两侧边具有四边形形状的凹陷部的形状。另外，本发明的光刻用防护膜，其特征在于，借助防护胶膜粘接剂将防护胶膜贴设于该防护膜框架的一端面，且在另一端面设置曝光底版粘接剂。
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公开(公告)号：CN101887846A
公开(公告)日：2010-11-17
申请号：CN201010129354.8
申请日：2010-03-08
Applicant: 信越化学工业株式会社
Inventor： 白崎享
IPC: H01L21/027
CPC classification number: G03F1/62
Abstract: 本发明之目的在于提供一种防尘薄膜组件，其即使经过长期间使用，透光率也不会降低太多。为达成上述目的，本发明提供一种防尘薄膜组件的制造方法，包含一照射步骤，其对包含氟树脂的防尘薄膜照射220nm以下之波长的紫外光。在对防尘薄膜照射220nm以下之波长的紫外光的照射步骤中，宜从由低压水银灯、重氢灯、氙准分子灯以及ArF准分子雷射所构成之群组中选择至少1种紫外线光源以照射220nm以下之波长的紫外光。
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公开(公告)号：CN101581876A
公开(公告)日：2009-11-18
申请号：CN200910138593.7
申请日：2009-05-12
Applicant: 信越化学工业株式会社
Inventor： 白崎享
IPC: G03F1/14
CPC classification number: G03F1/64
Abstract: 本发明的目的在于提供一种能够维持掩模平坦性的防护薄膜组件。为达成上述目的，在本发明的防护薄膜组件中，将防护薄膜组件框架的掩模粘着剂层设置成表层与下部层，并让表层的杨格系数比下部层的杨格系数更高。
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