公开(公告)号：CN106255663B

公开(公告)日：2019-11-08

申请号：CN201580023889.8

申请日：2015-04-24

Applicant: 信越化学工业株式会社

Inventor： 宫尾秀一 ,  祢津茂义 ,  冈田哲郎

IPC: C01B33/035 ,  C30B29/06

Abstract: 在本发明中，暂且先通过西门子法培育出多晶硅棒，然后将该多晶硅棒在750℃～900℃的范围的温度下进行热处理而除去在结晶内部残留的应力。根据本发明人的实验，利用这种程度的低温下的热处理也可以充分地除去残余应力，而且，没有引起金属污染的风险，也没有改变多晶硅棒的各物性的风险。上述热处理可以在培育出多晶硅棒的炉内实施，也可以在培育出多晶硅棒的炉外实施。根据本发明，可以得到基于2θ‑sin2Ψ线图评价的残余应力(σ)为+20MPa以下的多晶硅棒，以该多晶硅棒作为原料培育单晶硅时，能够得到优质的单晶硅。

公开(公告)号：CN107954427A

公开(公告)日：2018-04-24

申请号：CN201710958219.6

申请日：2017-10-16

Applicant: 信越化学工业株式会社

Inventor： 宫尾秀一 ,  祢津茂义 ,  星野成大 ,  冈田哲郎

IPC: C01B33/035 ,  C30B35/00

CPC classification number: C30B13/34 ,  C01B33/035 ,  C30B29/06 ,  C30B35/007

Abstract: 本发明涉及多晶硅块、多晶硅棒及单晶硅的制造方法。提供适合用于稳定地制造单晶硅的多晶硅块、多晶硅棒。作为单晶硅的制造原料，使用在将在1400℃以上的温度范围内以60℃/分钟以下的速度升温时的熔化的开始温度设为Ts并将熔化的完成温度设为Te时ΔT＝Te-Ts的值为50℃以下的多晶硅块。