公开(公告)号：CN1110723A

公开(公告)日：1995-10-25

申请号：CN94120758.7

申请日：1994-12-28

Applicant: 佳能株式会社

Inventor： 松田高一 ,  近藤隆治 ,  宫本祐介

IPC: C23C16/50 ,  C23C14/38

CPC classification number: H01L31/076 ,  C23C16/46 ,  C23C16/463 ,  C23C16/50 ,  C23C16/545 ,  H01L21/02425 ,  H01L21/02447 ,  H01L21/0245 ,  H01L21/02452 ,  H01L21/02505 ,  H01L21/02529 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02535 ,  H01L21/02576 ,  H01L21/02579 ,  H01L21/0262 ,  H01L31/075 ,  H01L31/202 ,  H01L31/206 ,  Y02E10/548 ,  Y02P70/521

Abstract: 一种适合于辊对辊式或类似配置的等离子CVD方法，i-型半导体层形成前后加快基带温度变化率，以防止用等离子CVD法在基带上形成淀积薄的这种结构的退火而引起的杂质扩散，为对在i-型层放电室内移动的细长基带在放电室入口前的紧邻处按4℃/秒以上的速率加热，并在放电室出口后面立即按4℃/秒以上的速率冷却时，连续地形成了大面积的性能均匀一致的没有因扩散而造成特性变坏的迭层式光电器件。