-
公开(公告)号:CN116349238A
公开(公告)日:2023-06-27
申请号:CN202180072028.4
申请日:2021-10-14
Applicant: 佳能株式会社
Inventor: 森本和浩
IPC: H04N25/53
Abstract: 本发明包括:光电转换单元;光值保持单元,该光值保持单元保持基于在第一曝光时段和第二曝光时段期间生成的信号电荷的光值,该第二曝光时段与第一曝光时段在开始定时和/或结束定时方面不同;比较单元,该比较单元将基于在第一曝光时段期间生成的信号电荷的光值与基于在第二曝光时段期间生成的信号电荷的光值进行比较;以及控制单元,该控制单元基于比较单元的比较结果执行控制,以设置第三曝光时段和第四曝光时段,第四曝光时段与第三曝光时段在开始定时和/或结束定时方面不同。第三曝光时段与第四曝光时段短于第一曝光时段和/或第二曝光时段。
-
公开(公告)号:CN115802182A
公开(公告)日:2023-03-14
申请号:CN202211092489.0
申请日:2022-09-08
Applicant: 佳能株式会社
Abstract: 本发明涉及一种光电转换装置、光电转换系统、计算电路和移动体。所述光电转换装置包括:设置在雪崩光电二极管和电源之间的电路;计数器,其被配置为对从所述雪崩光电二极管输出的输出信号进行计数;以及存储器,其中表示所述计数器的计数值在比曝光时间短的预定曝光时间段内达到阈值的时间信息被写入所述存储器中,其中时钟信号被配置为在所述曝光时间段中被输入到所述电路。
-
公开(公告)号:CN115775808A
公开(公告)日:2023-03-10
申请号:CN202211079325.4
申请日:2022-09-05
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H01L27/146
Abstract: 本发明提供光电转换装置、光电转换系统和移动体。该光电转换装置包括在具有第一面和与所述第一面相对的第二面的层中设置的多个雪崩二极管,其中,所述多个雪崩二极管各自包括位于第一深度的第一导电类型的第一区域、位于第二深度的第二导电类型的第二区域以及位于第三深度的所述第二导电类型的第三区域,相对于所述第二面,所述第二深度大于所述第一深度,并且相对于所述第二面,所述第三深度大于所述第二深度,其中,所述层包括设置在所述第一面中的多个结构,并且其中,所述多个结构的有效周期小于hc/Ea,h表示普朗克常数[J·s],c表示光速[m/s],并且Ea表示基板的带隙[J]。
-
公开(公告)号:CN107946326B
公开(公告)日:2022-07-15
申请号:CN201710949673.5
申请日:2017-10-13
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H01L27/146 , H01L31/0352 , H01L31/107
Abstract: 本发明公开一种光检测装置及光检测系统,在该装置中,在平面图中,第一导电类型的第一半导体区域与第三半导体区域的至少一部分重叠,第二半导体区域与第二导电类型的第四半导体区域的至少一部分重叠,第三半导体区域的关于第一导电类型的电荷的电位的高度低于第四半导体区域的电位的高度,并且第一半导体区域的电位的高度与第三半导体区域的电位的高度之间的差大于第二半导体区域的电位的高度与第四半导体区域的电位的高度之间的差。
-
公开(公告)号:CN114725141A
公开(公告)日:2022-07-08
申请号:CN202210002305.0
申请日:2022-01-04
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H01L27/146
Abstract: 本发明公开了光电转换装置和光检测系统。装置包括:光电二极管,所述光电二极管包括阳极和阴极;开关,所述开关连接到所述阳极和阴极中的一个的节点而且连接到电源线,并且用于切换所述节点与所述电源线之间的电阻值,驱动电压经由所述电源线供给;以及产生单元,所述产生单元被配置为产生用于控制所述开关的切换的脉冲信号。所述装置能够在包括第一模式和第二模式的两个模式中的一个下操作,所述第二模式能够在比所述第一模式下的照度条件低的照度条件下使用。在用于获取一帧信号的曝光时段中,所述第二模式下的脉冲信号的数量比所述第一模式下小。
-
公开(公告)号:CN114497096A
公开(公告)日:2022-05-13
申请号:CN202111265276.9
申请日:2021-10-28
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H01L27/146
Abstract: 本发明提供一种光电转换设备、光电转换系统和可移动体。光电转换设备包括多个雪崩光电二极管。所述多个雪崩光电二极管中的各雪崩光电二极管包括由配置在第一深度处的第一导电型的第一半导体区域、以及配置在比所述第一深度深的第二深度处的与所述第一导电型不同的第二导电型的第二半导体区域形成的雪崩倍增单元。在比第二导电型的第三半导体区域浅的位置处配置导电型和杂质浓度至少之一与所述第三半导体区域不同的第四半导体区域,并且所述第三半导体区域和所述第四半导体区域之间的边界部的深度比所述雪崩倍增单元深。
-
公开(公告)号:CN107666570B
公开(公告)日:2021-01-15
申请号:CN201710626637.5
申请日:2017-07-28
Applicant: 佳能株式会社
Abstract: 本发明公开了成像设备、成像系统和移动体。在保持在第一时段中在光电转换部分处产生的电荷的同时,第一电荷保持部分保持在作为不接续第一时段的时段并且在长度上与第一时段不同的第二时段中在光电转换部分处产生的电荷,并且第二电荷保持部分保持在作为不与第一时段和第二时段重叠的时段的第三时段中在光电转换部分处产生的电荷。
-
-
-
-
-
-