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公开(公告)号：CN110322984B
公开(公告)日：2022-09-16
申请号：CN201910234078.2
申请日：2019-03-26
Applicant: 住友金属矿山株式会社
Inventor： 川久保胜弘
Abstract: 提供了厚膜电阻用组成物、厚膜电阻用膏体及厚膜电阻。该厚膜电阻用组成物包括不含铅成分的氧化钌粉末以及不含铅成分的玻璃，氧化钌粉末中根据(110)晶面的峰值计算出的微晶径D1为25nm以上80nm以下，比表面积径D2为25nm以上114nm以下，且，微晶径D1(nm)与比表面积径D2(nm)之比满足以下公式(1)，0.70≤D1/D2≤1.00 (1)；玻璃包含SiO2、B2O3以及RO(R是从Ca、Sr以及Ba中选择的1种以上的元素)，在SiO2与B2O3与RO的合计量为100质量份的情况下，SiO2的含有比率为10质量份以上50质量份以下，B2O3的含有比率为8质量份以上30质量份以下，RO的含有比率为40质量份以上65质量份以下。
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公开(公告)号：CN109427427B
公开(公告)日：2020-05-05
申请号：CN201810597309.1
申请日：2018-06-12
Applicant: 住友金属矿山株式会社
Abstract: 本发明提供厚膜电阻体组合物和包含其的厚膜电阻糊剂。本发明提供能够采用脉冲调节法有效率地调整厚膜电阻体的电阻值的厚膜电阻体组合物。厚膜电阻体组合物，是包含玻璃料和钌化合物粉末的电阻体组合物，其特征在于，上述玻璃料包含：软化点为550℃以上且650℃以下的玻璃料LM、和在比上述玻璃料LM的软化点高200℃以上且350℃以下的范围显示高温软化点的玻璃料HM，相对于上述玻璃料LM和上述玻璃料HM的合计量，含有15质量％以上且50质量％以下的上述玻璃料LM，上述钌化合物粉末的比表面积粒径为30nm以上且100nm以下。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110322984A
公开(公告)日：2019-10-11
申请号：CN201910234078.2
申请日：2019-03-26
Applicant: 住友金属矿山株式会社
Inventor： 川久保胜弘
Abstract: 提供了厚膜电阻用组成物、厚膜电阻用膏体及厚膜电阻。该厚膜电阻用组成物包括不含铅成分的氧化钌粉末以及不含铅成分的玻璃，氧化钌粉末中根据(110)晶面的峰值计算出的微晶径D1为25nm以上80nm以下，比表面积径D2为25nm以上114nm以下，且，微晶径D1(nm)与比表面积径D2(nm)之比满足以下公式(1)，0.70≤D1/D2≤1.00(1)；玻璃包含SiO2、B2O3以及RO(R是从Ca、Sr以及Ba中选择的1种以上的元素)，在SiO2与B2O3与RO的合计量为100质量份的情况下，SiO2的含有比率为10质量份以上50质量份以下，B2O3的含有比率为8质量份以上30质量份以下，RO的含有比率为40质量份以上65质量份以下。
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公开(公告)号：CN110291599A
公开(公告)日：2019-09-27
申请号：CN201880011579.8
申请日：2018-02-01
Applicant: 住友金属矿山株式会社
Inventor： 川久保胜弘
Abstract: 本发明提供未含铅成分、供形成具有电阻温度系数为±100ppm/℃以内且接近0的优异特性的电阻器用组合物、电阻器用糊膏，进一步地提供使用它们的厚膜电阻器。本发明的电阻器用组合物是含有未含铅的钌系导电粒子、与至少两种未含铅的玻璃粉末为主要构成成分的电阻器用组合物；其中，玻璃粉末中的一种是含SiO2、B2O3、Al2O3、BaO、ZnO的Si-B-Al-Ba-Zn-O系玻璃粉末，其含有5质量％以上且12质量％以下的B2O3，而玻璃粉末的另一种是含SiO2、B2O3、Al2O3、BaO的Si-B-Al-Ba-O系玻璃粉末，其含有14质量％以上且25质量％以下的B2O3。
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公开(公告)号：CN109427427A
公开(公告)日：2019-03-05
申请号：CN201810597309.1
申请日：2018-06-12
Applicant: 住友金属矿山株式会社
Abstract: 本发明提供厚膜电阻体组合物和包含其的厚膜电阻糊剂。本发明提供能够采用脉冲调节法有效率地调整厚膜电阻体的电阻值的厚膜电阻体组合物。厚膜电阻体组合物，是包含玻璃料和钌化合物粉末的电阻体组合物，其特征在于，上述玻璃料包含：软化点为550℃以上且650℃以下的玻璃料LM、和在比上述玻璃料LM的软化点高200℃以上且350℃以下的范围显示高温软化点的玻璃料HM，相对于上述玻璃料LM和上述玻璃料HM的合计量，含有15质量％以上且50质量％以下的上述玻璃料LM，上述钌化合物粉末的比表面积粒径为30nm以上且100nm以下。
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公开(公告)号：CN1822240B
公开(公告)日：2010-05-12
申请号：CN200610006955.3
申请日：2006-01-26
Applicant: 住友金属矿山株式会社
Abstract: 本发明目的在于提供一种熔蚀现象少、且不含铅的厚膜导体形成用组合物。为了达到上述目的，使用由导电粉末、氧化物粉末、有机展色料构成的厚膜导体形成用组合物。其中，所述氧化物粉末包含SiO2-B2O3-Al2O3-CaO-Li2O系玻璃粉末和Al2O3粉末。SiO2-B2O3-Al2O3-CaO-Li2O系玻璃粉末的组成比为，SiO2：20～60质量％、B2O3：2～25质量％、Al2O3：2～25质量％、CaO：20～50质量％、以及Li2O：0.1～10质量％，相对于100质量份的导电粉末，SiO2-B2O3-Al2O3-CaO-Li2O系玻璃粉末为0.1～15质量份、Al2O3粉末为0.1～8质量份。
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公开(公告)号：CN1691216A
公开(公告)日：2005-11-02
申请号：CN200510063197.4
申请日：2005-04-06
Applicant: 住友金属矿山株式会社
Inventor： 川久保胜弘
Abstract: 一种比电阻高、微细且粒径均匀的分散性优异的Ru－M－O微粉末、其制造方法、及使用其的耐静电放电性优异的厚膜电阻组合物。提供Ru－M－O微粉末的制造方法，是从Ru化合物(A)和含有选自Nb或Ta中的至少一种的5A族元素M的5A族金属化合物(B)制造Ru－M－O微粉末的方法，包含对Ru化合物(A)配合能够与其形成具有金红石型结晶结构的固溶体所需的充分量的5A族金属化合物(B)后，对该配合物混合充分量的硼化合物(C)的第一工序；把所得化合物在500～1000℃温度进行热处理，形成由Ru和5A族金属M的固溶体、及氧化硼构成的热处理物的第二工序；及对所得热处理物添加溶剂，溶解去除氧化硼的第三工序。
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