公开(公告)号：CN1593073B

公开(公告)日：2011-07-20

申请号：CN03801539.0

申请日：2003-03-19

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 夏原益宏 ,  仲田博彦 ,  柊平启 ,  桥仓学

IPC: H05B3/20 ,  H01L21/205 ,  H01L21/31 ,  H01L21/02

Abstract: 一种晶片保持体，其中通过抑制了支撑和加热晶片时的局部热辐射，改善了晶片保持表面的均匀加热性能，和一种使用该晶片保持体制备半导体的系统，其适宜于即使大直径的晶片的加工。所述的晶片保持体(1)包括包埋于陶瓷基材(2)中的电阻加热元件(3)，和穿过反应室(6)的引线(4)，其中引线(4)分别容纳于导向构件(5)中。导向构件(5)与反应室(6)是气密密封的，并且导向构件(5)的内部也是气密密封的。导向构件(5)与陶瓷基材(2)相互不连接，并且在内部密封的导向构件(5)中的陶瓷基材(2)侧的气氛基本上与反应室(6)中的气氛相同。

公开(公告)号：CN100583410C

公开(公告)日：2010-01-20

申请号：CN03109539.9

申请日：2003-04-09

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 柊平启 ,  夏原益宏 ,  仲田博彦

IPC: H01L21/68 ,  H01L21/30

CPC classification number: H01L21/67103

Abstract: 本发明公开了一种半导体制造设备工件保持架，其基片保持表面具有优良的等温属性，其适用于在涂胶机/显影机中热固光刻胶，和烘低介电常数，即低k，的绝缘膜。工件保持架由基片保持架1和支撑基片保持架1的支撑部件4组成，其特点是支撑部件4的热传导率低于基片保持架1的热传导率。基片保持架1和支撑部件4或者不连接，或者如果连接，则两者具有相同的热膨胀系数2.0×10-6/℃或者更小。基片保持架1的主要成分最好是AlN，支撑部件4的主要成分最好是高铝红柱石。

公开(公告)号：CN101331818A

公开(公告)日：2008-12-24

申请号：CN200780000730.X

申请日：2007-04-18

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 柊平启 ,  夏原益宏 ,  粟津知之 ,  仲田博彦

IPC: H05K7/20 ,  H01L23/36

CPC classification number: H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种传热部件(20)，其具有支撑体(1)和柱状体(2)，所有或一些柱状体设置成关于支撑体(1)以一角度倾斜。柱状体(2)与接触体(21)接触，且柱状体(2)沿着与接触体(21)的接触表面的形状弹性变形和/或塑性变形，从而沿着接触体(21)的波状和粗糙的凹凸形成直接接触，并引起热通过柱状体(2)移动。

公开(公告)号：CN100426458C

公开(公告)日：2008-10-15

申请号：CN03801108.5

申请日：2003-03-06

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 柊平启 ,  夏原益宏 ,  仲田博彦

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/68 ,  H01L21/203 ,  H05B3/68 ,  H01L21/31 ,  H01L21/027 ,  H05B3/74 ,  H05B3/02

Abstract: 一种半导体制造用保持体，被设置在接受反应气体的处理室内，该半导体制造装置用保持体具有：将被处理物(10)保持在表面的同时具备用于对被处理物进行加热的电阻发热体(2)的陶瓷制保持体(1)、和一端在被处理物保持表面以外的部位支持该陶瓷制保持体(1)而另一端被固定在处理室上的支持构件(6)，且设置在该陶瓷制保持体1的被处理物保持表面以外的部位的电阻发热体(2)的电极端子(3)以及引出线(4)被收容在绝缘管(5)内。根据本发明提供用于对埋设在保持体内的电阻发热体供电的电极端子以及引出线不会发生漏电和打火并且在保持体中可以获得±1.0%以内的均热性的半导体制造装置用保持体。

公开(公告)号：CN100353493C

公开(公告)日：2007-12-05

申请号：CN03800919.6

申请日：2003-05-19

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 柊平启 ,  仲田博彦

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/68 ,  C23C16/00

Abstract: 一种加热器模块和使用所述加热器模块的半导体制造设备，用于相比传统加热器模块显著地提高加热后的加热器的冷却速度，并且对改善和提高生产率作出贡献，而且不会使半导体制造设备的尺寸变大、成本增加。所述加热器模块设有：加热器部分(1a)，用于可控地加热放置在其顶部表面上的晶片；以及可相对于加热器部分移动的块体部分(3a)，用于通过邻接加热器部分(1a)的背面或与加热器部分(1a)的背面分离来与加热器部分(1a)一起改变总热容。通过使块体部分(3a)的热容为加热器部分(1a)和块体部分(3a)的总热容的20%或更多，可以使加热器冷却速度为10℃/min或更多。

公开(公告)号：CN1740385A

公开(公告)日：2006-03-01

申请号：CN200510089704.1

申请日：2003-02-26

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 柊平启 ,  夏原益宏 ,  仲田博彦

IPC: C23C16/44 ,  C23C16/458 ,  C23C16/455 ,  H01L21/285 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/31

CPC classification number: C23C16/45521 ,  C23C16/4412 ,  C23C16/4581 ,  C23C16/4586 ,  H01L21/68792

Abstract: 一种制造半导体或液晶的装置中，在反应室1内加给反应气体，陶瓷托架2具有嵌入其中的电阻加热元件7。陶瓷圆柱形支承部件3的一端支承陶瓷托架2，另一端被固定在反应室1的一部分上。惰性气体供送管4和惰性气体排气管5每一个都在圆柱形支承部件3内有开口。最好使圆柱形支承部件3内的惰性气体保持在小于0.1MPa(一个大气压)。采用这样的布置，无需加给抗氧化密封或抗腐蚀密封，即可以防止设在陶瓷托架后表面上的各电极的氧化和腐蚀。这种制造半导体或液晶的装置还保证陶瓷托架中热的均匀性，并压缩损失的能耗。此外，还能减小装置的尺寸，并降低制造成本。

公开(公告)号：CN1613139A

公开(公告)日：2005-05-04

申请号：CN03801909.4

申请日：2003-03-20

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 加智义文 ,  柊平启 ,  仲田博彦

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/31

CPC classification number: H01L21/67103 ,  H05B3/143

Abstract: 提供了半导体制造设备用的陶瓷基座，其中通过提高基座晶片载面在其高温区域的平面度，提高了加热操作过程中晶片表面的等温质量，在半导体制造过程中是在晶片载面的高温区域处理晶片的。用于半导体制造设备的陶瓷基座1在其陶瓷基片2a和2b的表面或内部有电阻加热元件3，其晶片载面在不加热(常温)时为拱形，拱形凹度为每300mm为0.001～0.7mm。陶瓷基座1还进一步在其陶瓷基片2a和2b的表面或内部配置了等离子体电极。此外，优选陶瓷基片2a和2b至少是一种选自氮化铝、氮化硅、氮氧化铝、和碳化硅的陶瓷。

公开(公告)号：CN1547760A

公开(公告)日：2004-11-17

申请号：CN03800919.6

申请日：2003-05-19

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 柊平启 ,  仲田博彦

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/68 ,  C23C16/00

CPC classification number: H01L21/67109

Abstract: 一种加热器模块和使用所述加热器模块的半导体制造设备，用于相比传统加热器模块显著地提高加热后的加热器的冷却速度，并且对改善和提高生产率作出贡献，而且不会使半导体制造设备的尺寸变大、成本增加。所述加热器模块设有：加热器部分(1a)，用于可控地加热放置在其顶部表面上的晶片；以及可相对于加热器部分移动的块体部分(3a)，用于通过邻接加热器部分(1a)的背面或与加热器部分(1a)的背面分离来与加热器部分(1a)一起改变总热容。通过使块体部分(1b)的热容为加热器部分(1a)和块体部分(1b)的总热容的20％或更多，可以使加热器冷却速度为10℃/min或更多。