公开(公告)号：CN100411208C

公开(公告)日：2008-08-13

申请号：CN200510133870.7

申请日：2005-12-19

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 永井阳一 ,  北林弘之 ,  齐藤裕久 ,  池田亚矢子

IPC: H01L33/00

CPC classification number: H01L33/025 ,  H01L33/22 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2224/45139 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/8592 ,  H01L2924/00011 ,  H01L2924/10155 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/3025 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/20752 ,  H01L2924/2076 ,  H01L2924/01049 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01005

Abstract: 发光装置是包括：作为氮化物半导体基板的GaN基板(1)；在氮化物半导体基板的第(1)主表面一侧的n型AlxGa1-xN层(3)；从氮化物半导体基板看，远离n型AlxGa1-xN层(3)的p型AlxGa1-xN层(5)；位于n型AlxGa1-xN层(3)以及p型AlxGa1-xN层(5)之间的量子井(4)的发光装置。在此发光装置中，氮化物半导体基板的比电阻为0.5Ω·cm以下，向下安装p型AlxGa1-xN层(5)的一侧，从作为和氮化物半导体基板的第(1)主表面相反的一侧的主表面的第(2)主表面(1a)发射光。在氮化物半导体基板的第(2)主表面(1a)上形成槽(80)。由于构造简单，所以能够得到制造容易、在长时间能够安定地得到大的发光效率的发光装置。

公开(公告)号：CN1881628A

公开(公告)日：2006-12-20

申请号：CN200610009238.6

申请日：2006-02-15

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 永井阳一 ,  片山浩二 ,  北林弘之

IPC: H01L33/00

CPC classification number: H01L33/22 ,  H01L33/20 ,  H01L33/32 ,  H01L33/38 ,  H01L33/44 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/32257 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/3011 ,  H01L2924/3025 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00

Abstract: 根据本发明的发光器件具有：GaN衬底(1)；GaN衬底(1)的第一主表面侧上的n型AlxGa1－xN层(3)；比n型AlxGa1－xN层(3)更远离GaN衬底(1)设置的p型AlxGa1－xN层(5)；以及位于n型AlxGa1－xN层(3)和p型AlxGa1－xN层(5)之间的多量子阱(MQW)(4)。在该发光器件中，p型AlxGa1－xN层(5)侧被向下安装，并且光从第二主表面(1a)发射，其中第二主表面是与GaN衬底(1)的第一主表面相对的主表面。GaN衬底(1)的第二主表面(1a)包括其上形成凹腔和凸出的区域。此外，该发光器件包括在GaN衬底(1)的第二主表面(1a)上形成的n电极(11)和覆盖n电极(11)的侧壁而形成的保护膜(30)。

公开(公告)号：CN1855564A

公开(公告)日：2006-11-01

申请号：CN200610077311.3

申请日：2006-04-26

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 永井阳一 ,  片山浩二 ,  北林弘之

IPC: H01L33/00

CPC classification number: H01L33/20 ,  H01L33/22 ,  H01L33/32 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/32257 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/8592 ,  H01L2924/10157 ,  H01L2924/3011 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明涉及一种发光装置，包括：GaN衬底1；布置在GaN衬底1的第一主表面侧面上的n－型氮化物半导体衬底层(n－型AlxGa1－xN层3)；与n－型氮化物半导体衬底层相比更远离GaN衬底1布置的p－型氮化物衬底层(p－型AlxGa1－xN层5)；以及位于n－型氮化物半导体层和p－型氮化物半导体层之间的发光层(多量子阱(MQW)4)。p－型氮化物半导体层侧面被向下安装。此外，光从第二主表面1a发出，该第二主表面1a是与GaN衬底1的第一主表面相对的主表面。在GaN衬底的第二主表面上形成沟槽80。沟槽80的内周边表面包括其上执行表面处理以使该内周边表面光滑的部分(曲面部分)。

公开(公告)号：CN1619849A

公开(公告)日：2005-05-25

申请号：CN200410094689.5

申请日：2004-11-12

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 齐藤裕久 ,  广濑义幸 ,  永井阳一 ,  北林弘之 ,  池田亚矢子

IPC: H01L33/00

CPC classification number: H01L33/505 ,  G02B6/0046 ,  H01L33/46 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2924/00014

Abstract: 一种发光二极管(1)具有半导体叠片(6)、光学反射层(17)和(19)、光学反射薄膜(25)以及磷光片(27)。叠片(6)由按顺序层叠在衬底(7)上的n型包层(9)、有源层(11)、p型包层(13)以及p型接触层(15)形成。光学反射层(17)和(19)分别位于p型接触层(15)上和衬底(7)的背面(7b)上。光学反射薄膜(25)位于叠片(6)的三个侧面上。将磷光片(27)安装在叠片(6)不具有光学反射薄膜(25)的侧面上。在每个光学反射层反射从有源层(11)输出的蓝光(L1)，然后聚集在设置有磷光片(27)的侧面上。一部分蓝光(L1)在磷光片(27)中变成黄光(L2)，并发出由蓝光(L1)和黄光(L2)组成的白光。