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公开(公告)号：CN102696080A
公开(公告)日：2012-09-26
申请号：CN201080057698.0
申请日：2010-12-16
Applicant: 丰田自动车株式会社
IPC: H01F1/057
CPC classification number: H01F1/0571 , B82Y25/00 , C22C33/003 , C22C38/002 , C22C38/005 , C22C45/02 , C22F3/00 , H01F1/0579
Abstract: 本发明的稀土磁体具有由组成式RaHbFecCodBeMf表示的组成，其中：R是至少一种包括Y的稀土元素；H是选自Dy和Tb中的至少一种重稀土元素；M是选自Ga、Zn、Si、Al、Nb、Zr、Ni、Cu、Cr、Hf、Mo、P、C、Mg和V中的至少一种元素；13≤a≤20；0≤b≤4；c＝100-a-b-d-e-f；0≤d≤30；4≤e≤20；0≤f≤3，并且具有由主相和晶界相构成的结构，所述主相为：(RH)2(FeCo)14B相，所述晶界相为：(RH)(FeC0)4B4相和RH相，其中所述主相的结晶粒度为10nm至200nm。
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公开(公告)号：CN114331947A
公开(公告)日：2022-04-12
申请号：CN202111106817.3
申请日：2021-09-22
Applicant: 丰田自动车株式会社
IPC: G06T7/00
Abstract: 本公开提供一种能够简易地对映现在通过透射电子显微镜(TEM：Transmission Electron Microscope)而拍摄到的图像上的材料的结晶性的不相同的区域进行判断的信息处理装置、信息处理方法、以及记录有信息处理程序的记录介质。服务器(14)的取得部(142)取得通过透射电子显微镜而拍摄到的图像。接下来，计算部(144)针对所取得的图像的局部区域中的每一个，而对该局部区域中所包含的像素的像素值的差异进行计算。判断部(146)针对图像的局部区域中的每一个，而基于被计算出的局部区域的像素值的差异来对局部区域的结晶性的高度进行判断。
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公开(公告)号：CN112951342A
公开(公告)日：2021-06-11
申请号：CN202011386666.7
申请日：2020-12-02
Applicant: 丰田自动车株式会社
Abstract: 本公开提供数据解析系统以及数据解析方法，在避免测量数据的解析结果的偏差的同时，提高测量数据的解析精度。数据解析系统(1)具备：测量数据取得部(21)，取得经由通信部(10)接收到的、分析材料而得到的测量数据；数据解析部(22)，使用已训练的机器训练模型来处理测量数据，输出测量数据的解析结果；储存处理部(27)，将包括测量数据和处理测量数据而得到的处理结果的数据组作为解析结果数据组，储存到存储装置(30)的解析结果数据库(32)；训练用数据组取得部(28)，取得经由通信部(10)接收到的、包括根据解析结果数据组在外部进行的针对测量数据的处理结果的评价的结果的训练用数据组；以及训练部(29)，根据训练用数据组，使机器训练模型再训练。
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公开(公告)号：CN109300640B
公开(公告)日：2021-03-09
申请号：CN201811186197.7
申请日：2014-06-05
Applicant: 丰田自动车株式会社
Abstract: 本发明涉及稀土磁体及其制造方法。本发明提供了减少Nd等的量、且磁各向异性优异的稀土磁体及其制造方法。稀土磁体具备晶粒，该晶粒具有(R2(1‑x)R1x)yFe100‑y‑w‑z‑vCowBzTMv(此处，R2为Nd、Pr、Dy、Tb中的至少一种，R1为Ce、La、Gd、Y、Sc中的至少一种或两种以上的合金，TM为Ga、Al、Cu、Au、Ag、Zn、In、Mn中的至少一种，0＜x＜1，y＝12～20，z＝5.6～6.5，w＝0～8，v＝0～2)的整体组成，晶粒的平均粒径为1000nm以下，晶粒由芯部及其周围的外廓部构成，芯部具有R1多于R2的组成，外廓部具有R2多于R1的组成。
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公开(公告)号：CN109585107A
公开(公告)日：2019-04-05
申请号：CN201810986716.1
申请日：2018-08-28
Applicant: 丰田自动车株式会社 , 国立大学法人东京大学
Abstract: 本发明涉及稀土磁体。提供一种稀土磁体及其制造方法，该稀土磁体即使在至少一部分稀土元素中使用Ce、用Fe置换一部分Co的情况下，1-5相也是稳定的。一种稀土磁体及其制造方法，该稀土磁体具有式(CexLa(1-x-w)R’w)v(CoyFe(1-y))(100-v-z)Mz所示的组成，并且在所述式中满足y≥-3x+1.7的关系，在所述式中，R’是除Ce和La以外的一种以上的稀土元素，M是选自由除Co和Fe以外的过渡金属元素、Ga、Al、Zn及In组成的组中的一种以上，以及不可避免的杂质元素，并且0＜x＜1.0、0＜y＜1.0、0≤w≤0.1、7.1≤v≤20.9、以及0≤z≤8.0。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105518809B
公开(公告)日：2018-11-20
申请号：CN201480031731.0
申请日：2014-06-05
Applicant: 丰田自动车株式会社
Abstract: 本发明提供了减少Nd等的量、且磁各向异性优异的稀土磁体及其制造方法。稀土磁体具备晶粒，该晶粒具有(R2(1‑x)R1x)yFe100‑y‑w‑z‑vCowBzTMv(此处，R2为Nd、Pr、Dy、Tb中的至少一种，R1为Ce、La、Gd、Y、Sc中的至少一种或两种以上的合金，TM为Ga、Al、Cu、Au、Ag、Zn、In、Mn中的至少一种，0＜x＜1，y＝12～20，z＝5.6～6.5，w＝0～8，v＝0～2)的整体组成，晶粒的平均粒径为1000nm以下，晶粒由芯部及其周围的外廓部构成，芯部具有R1多于R2的组成，外廓部具有R2多于R1的组成。
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公开(公告)号：CN108257754A
公开(公告)日：2018-07-06
申请号：CN201711326507.6
申请日：2017-12-13
Applicant: 丰田自动车株式会社
Abstract: 本发明涉及稀土磁体及其制造方法。稀土磁体，其具备主相、存在于所述主相的周围的晶界相以及被夹在所述主相和所述晶界相之间的中间相，整体组成由((Ce(1‑x)Lax)(1‑y)R1y)pT(100‑p‑q‑r)BqM1r·(R21‑zM2z)s表示，Ce和La的合计浓度在所述主相中比在所述中间相中高，并且R2的浓度在所述中间相中比在所述主相中高。R1和R2为Ce和La以外的稀土元素，T为选自Fe、Ni和Co的一种以上，M1为不影响磁特性的少量元素，M2为使R21‑zM2z的熔点与R2的熔点相比降低的合金元素。
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公开(公告)号：CN105304251B
公开(公告)日：2017-10-10
申请号：CN201510303575.5
申请日：2015-06-05
Applicant: 丰田自动车株式会社
CPC classification number: C22C1/02 , B22F1/00 , B22F1/0044 , B22F7/06 , B22F2007/066 , B32B15/01 , B32B15/013 , C22C28/00 , C22C33/0242 , C22C38/002 , C22C38/005 , C22C2202/02 , H01F1/0572 , H01F1/0577
Abstract: 本发明涉及纳米复合磁体和制备该纳米复合磁体的方法。该纳米复合磁体包含晶粒，该晶粒包括Re‑TM‑B相的壳和TM或TM‑B相的核。Re为稀土元素且TM为过渡金属元素。
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公开(公告)号：CN104011811B
公开(公告)日：2016-11-02
申请号：CN201280063828.0
申请日：2012-12-27
Applicant: 丰田自动车株式会社 , 独立行政法人物质·材料研究机构
CPC classification number: H01F7/02 , C22C38/005 , H01F1/0311 , H01F10/126
Abstract: 提供一种兼具高的顽磁力和剩余磁化，最大能积也提高了的纳米复合磁铁。该纳米复合磁铁的特征在于，使非铁磁性相介在于稀土类磁铁组成的硬磁性相、和软磁性相之间，所述非铁磁性相与这些硬磁性相以及软磁性相的任一项都不反应。作为典型的方式，硬磁性相包含Nd2Fe14B，软磁性相包含Fe或者Fe2Co，非铁磁性相包含Ta。优选包含Ta的非铁磁性相的厚度为5nm以下、包含Fe或者Fe2Co的软磁性相的厚度为20nm以下。更优选在Nd2Fe14B硬磁性相的晶粒边界扩散有Nd、或者Pr、或者Nd与Cu、Ag、Al、Ga、Pr中的任一种的合金、或者Pr与Cu、Ag、Al、Ga中的任一种的合金。
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公开(公告)号：CN102714082A
公开(公告)日：2012-10-03
申请号：CN201180005262.1
申请日：2011-01-27
Applicant: 丰田自动车株式会社
CPC classification number: H01F41/0213 , B82Y25/00 , H01F1/0577 , H01F1/0579 , H01F1/15333 , H01F41/0266
Abstract: 一种具有纳米复合磁体组成的熔融合金，其被淬火和凝固以制造具有由平均晶粒直径为10-200nm的硬磁相和平均晶粒直径为1-100nm的软磁相构成的多晶相的箔。烧结包括形成在所述箔的表面上并且具有比多晶相的熔点低的熔点的低熔点相的所述箔。
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