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公开(公告)号：CN117174794A
公开(公告)日：2023-12-05
申请号：CN202310644954.5
申请日：2023-06-01
Applicant: 丰田合成株式会社
Abstract: 本发明涉及发光元件。第一中间层为设置于第一活性层上的半导体层，位于第一活性层与第二活性层之间。第一中间层为从第一活性层侧起依次层叠非掺杂层、n型层而成的结构。第二中间层为设置于第二活性层上的半导体层，位于第二活性层与第三活性层之间。第二中间层为从第二活性层侧起依次层叠非掺杂层、n型层而成的结构。
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公开(公告)号：CN107026223A
公开(公告)日：2017-08-08
申请号：CN201610846561.2
申请日：2016-09-23
Applicant: 丰田合成株式会社
Inventor： 奥野浩司
CPC classification number: H01L33/14 , H01L33/0025 , H01L33/0075 , H01L33/04 , H01L33/32 , H01L33/44 , H01L33/007
Abstract: 本发明涉及III族氮化物半导体发光器件，提供了一种呈现出提高的发光效率的III族氮化物半导体发光器件。该III族氮化物半导体发光器件包括基底层、n型超晶格层、发光层以及p型覆层，这些层中的每一个层都由III族氮化物半导体制成。在基底层中形成有包括单个AlxGa1‑xN(0
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公开(公告)号：CN103367113B
公开(公告)日：2016-01-13
申请号：CN201310105474.8
申请日：2013-03-28
Applicant: 丰田合成株式会社
CPC classification number: H01L29/2003 , H01L21/0254 , H01L21/02609 , H01L29/04 , H01L33/007 , H01L33/16 , H01L33/32
Abstract: 本发明涉及第III族氮化物半导体的制造方法和第III族氮化物半导体。所述用于制造第III族氮化物半导体的方法包括：在衬底的主表面上形成凸台；以及沿着第III族氮化物半导体的c轴方向生长第III族氮化物半导体，其中在生长的第III族氮化物半导体的低指数面中与凸台或凹部的侧表面最平行的面是m面(1-100)，以及在将通过使加工的侧表面的法向矢量正交投影至主表面所获得的投影矢量定义为侧面矢量时，在侧面矢量与通过将生长的第III族氮化物半导体的m面的法向矢量正交投影至主表面所获得的投影矢量之间的角为0.5°以上且6°以下。
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公开(公告)号：CN102822996B
公开(公告)日：2015-05-06
申请号：CN201180016978.1
申请日：2011-03-15
Applicant: 丰田合成株式会社
Inventor： 奥野浩司
CPC classification number: H01L33/20 , H01L33/007
Abstract: 为了提高光提取效率，公开了一种半导体发光器件，其中，每层由III族氮化物基化合物半导体形成。发光器件包括：蓝宝石衬底(10)，在该蓝宝石衬底(10)的表面上平行于第一方向(x轴)布置多个条状沟槽(11)；在所述蓝宝石衬底的表面(10a)上和沟槽(11)中沿第一方向不连续地形成的电介质(15)。半导体发光器件具有包含在沟槽的侧面上生长并且覆盖所述蓝宝石衬底的表面(10a)和电介质(15)的顶表面(15a)的III族氮化物基化合物半导体的基层；以及在基层上形成的构成发光器件的器件层。
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公开(公告)号：CN102738329B
公开(公告)日：2015-01-28
申请号：CN201210086827.X
申请日：2012-03-28
Applicant: 丰田合成株式会社
Abstract: 本发明提供了一种在不增加驱动电压的情况下表现出改进的发射性能的第III族氮化物半导体发光器件。该第III族氮化物半导体发光器件至少包括n型层侧包覆层、具有包括AlxGa1-xN(0＜x＜1)层作为势垒层的多量子结构的发光层以及p型层侧包覆层，其中，每个层由第III族氮化物半导体形成。在发光层从n型层侧包覆层到p型层侧包覆层沿着厚度方向分为第一块、第二块和第三块这三个块的情况下，第一块和第三块中的势垒层的数量相同，并且，每个发光层的Al组成比被设置成满足关系式x+z＝2y且z＜x，其中，x表示第一块中的势垒层的平均Al组成比，y表示第二块中的势垒层的平均Al组成比，z表示第三块中的势垒层的平均Al组成比。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103682001A
公开(公告)日：2014-03-26
申请号：CN201310381656.8
申请日：2013-08-28
Applicant: 丰田合成株式会社
Inventor： 奥野浩司
IPC: H01L33/06
Abstract: 本发明涉及第III族氮化物半导体发光器件。具体而言，本发明提供一种呈现出改进的发光效率的第III族氮化物半导体发光器件。发光层具有MQW结构，在MQW结构中重复沉积有多个层单元，每个层单元包括依次沉积的阱层、盖层和势垒层。阱层由InGaN形成，盖层具有在阱层上按以下顺序沉积的GaN层和AlGaN层的结构，以及势垒层由AlGaN形成。AlGaN层的Al组成比高于势垒层的Al组成比。当发光层沿厚度方向划分为n型覆层侧的前部和p型覆层侧的后部时，在前部中的AlGaN层的Al组成比低于在后部中的AlGaN层的Al组成比。
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公开(公告)号：CN103367113A
公开(公告)日：2013-10-23
申请号：CN201310105474.8
申请日：2013-03-28
Applicant: 丰田合成株式会社
CPC classification number: H01L29/2003 , H01L21/0254 , H01L21/02609 , H01L29/04 , H01L33/007 , H01L33/16 , H01L33/32
Abstract: 本发明涉及第III族氮化物半导体的制造方法和第III族氮化物半导体。所述用于制造第III族氮化物半导体的方法包括：在衬底的主表面上形成凸台；以及沿着第III族氮化物半导体的c轴方向生长第III族氮化物半导体，其中在生长的第III族氮化物半导体的低指数面中与凸台或凹部的侧表面最平行的面是m面(1-100)，以及在将通过使加工的侧表面的法向矢量正交投影至主表面所获得的投影矢量定义为侧面矢量时，在侧面矢量与通过将生长的第III族氮化物半导体的m面的法向矢量正交投影至主表面所获得的投影矢量之间的角为0.5°以上且6°以下。
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公开(公告)号：CN102208510B
公开(公告)日：2013-09-18
申请号：CN201110081860.9
申请日：2011-03-29
Applicant: 丰田合成株式会社
CPC classification number: H01L33/02 , H01L33/007 , H01L33/32
Abstract: 本发明提供一种以提供零内电场的面为主面的III族氮化物半导体发光器件，并且其表现出改善的发光性能。该发光器件包括在其表面中具有从上方观察排列成条带图案的多个凹坑的蓝宝石衬底、形成在蓝宝石衬底的凹坑表面上的n接触层、形成在n接触层上的发光层、形成在发光层上的电子阻挡层、形成在电子阻挡层上的p接触层、p电极和n电极。电子阻挡层具有2～8nm的厚度并由Al组成比例为20～30％的Mg掺杂AlGaN形成。
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公开(公告)号：CN103165785A
公开(公告)日：2013-06-19
申请号：CN201210548623.3
申请日：2012-12-17
Applicant: 丰田合成株式会社
Inventor： 奥野浩司
Abstract: 本发明提供用于制造半导体器件的方法。具体而言，提供一种用于制造包括p电极和由氮化物半导体形成的p型接触层的半导体器件的方法，该方法意在改善p型接触层与p电极之间的欧姆接触。在该制造方法中，在蓝宝石衬底上依次形成低温缓冲层、n型接触层、n型ESD层、n型SL层、MQW层以及p型覆层。随后，在p型覆层上依次形成第一p型接触层和第二p型接触层。通过使用氮和氢的气体混合物作为载气来形成第一p型接触层。通过仅使用氢作为载气来形成第二p型接触层。
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公开(公告)号：CN102822996A
公开(公告)日：2012-12-12
申请号：CN201180016978.1
申请日：2011-03-15
Applicant: 丰田合成株式会社
Inventor： 奥野浩司
CPC classification number: H01L33/20 , H01L33/007
Abstract: 为了提高光提取效率，公开了一种半导体发光器件，其中，每层由III族氮化物基化合物半导体形成。发光器件包括：蓝宝石衬底(10)，在该蓝宝石衬底(10)的表面上平行于第一方向(x轴)布置多个条状沟槽(11)；在所述蓝宝石衬底的表面(10a)上和沟槽(11)中沿第一方向不连续地形成的电介质(15)。半导体发光器件具有包含在沟槽的侧面上生长并且覆盖所述蓝宝石衬底的表面(10a)和电介质(15)的顶表面(15a)的III族氮化物基化合物半导体的基层；以及在基层上形成的构成发光器件的器件层。
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