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公开(公告)号：CN102738329A
公开(公告)日：2012-10-17
申请号：CN201210086827.X
申请日：2012-03-28
Applicant: 丰田合成株式会社
Abstract: 本发明提供了一种在不增加驱动电压的情况下表现出改进的发射性能的第III族氮化物半导体发光器件。该第III族氮化物半导体发光器件至少包括n型层侧包覆层、具有包括AlxGa1-xN(0＜x＜1)层作为势垒层的多量子结构的发光层以及p型层侧包覆层，其中，每个层由第III族氮化物半导体形成。在发光层从n型层侧包覆层到p型层侧包覆层沿着厚度方向分为第一块、第二块和第三块这三个块的情况下，第一块和第三块中的势垒层的数量相同，并且，每个发光层的Al组成比被设置成满足关系式x+z＝2y且z＜x，其中，x表示第一块中的势垒层的平均Al组成比，y表示第二块中的势垒层的平均Al组成比，z表示第三块中的势垒层的平均Al组成比。
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公开(公告)号：CN100403566C
公开(公告)日：2008-07-16
申请号：CN200610002758.4
申请日：2006-01-25
Applicant: 丰田合成株式会社
IPC: H01L33/00
Abstract: 本发明是一种III族氮化物系化合物半导体发光元件，其在阱层上下形成的层与阱层的接合部附近具有下列区域，该区域为：使在该阱层上下形成的层的晶格常数，以接近该阱层的晶格常数的方式，发生变化而形成。本发明是具有单或多量子阱结构的发光层的III族氮化物系化合物半导体发光元件制造方法，该结构具有至少包含铟(In)的阱层，其中，在利用气相生长法来形成阱层时，从In源的最低供给量来开始供给，然后使In源的供给量增加到目标供给量为止，此后保持一定供给量，接下来，从目标供给量减少到最低供给量，对In源之外的III族原料源而言，在从In源供给开始至供给结束为止的这一期间，以一定的供给量来供给。
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公开(公告)号：CN102738329B
公开(公告)日：2015-01-28
申请号：CN201210086827.X
申请日：2012-03-28
Applicant: 丰田合成株式会社
Abstract: 本发明提供了一种在不增加驱动电压的情况下表现出改进的发射性能的第III族氮化物半导体发光器件。该第III族氮化物半导体发光器件至少包括n型层侧包覆层、具有包括AlxGa1-xN(0＜x＜1)层作为势垒层的多量子结构的发光层以及p型层侧包覆层，其中，每个层由第III族氮化物半导体形成。在发光层从n型层侧包覆层到p型层侧包覆层沿着厚度方向分为第一块、第二块和第三块这三个块的情况下，第一块和第三块中的势垒层的数量相同，并且，每个发光层的Al组成比被设置成满足关系式x+z＝2y且z＜x，其中，x表示第一块中的势垒层的平均Al组成比，y表示第二块中的势垒层的平均Al组成比，z表示第三块中的势垒层的平均Al组成比。
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公开(公告)号：CN1819288A
公开(公告)日：2006-08-16
申请号：CN200610002758.4
申请日：2006-01-25
Applicant: 丰田合成株式会社
IPC: H01L33/00
Abstract: 本发明是一种Ⅲ族氮化物系化合物半导体发光元件，其在阱层上下形成的层与阱层的接合部附近具有下列区域，该区域为：使在该阱层上下形成的层的晶格常数，以接近该阱层的晶格常数的方式，发生变化而形成。本发明是具有单或多量子阱结构的发光层的Ⅲ族氮化物系化合物半导体发光元件制造方法，该结构具有至少包含铟(In)的阱层，其中，在利用气相生长法来形成阱层时，从In源的最低供给量来开始供给，然后使In源的供给量增加到目标供给量为止，此后保持一定供给量，接下来，从目标供给量减少到最低供给量，对In源之外的Ⅲ族原料源而言，在从In源供给开始至供给结束为止的这一期间，以一定的供给量来供给。
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